параллельно прямой AB (рис. 7.2.6), соответствующей рабочим е, А и Я, через точку (Я Тн, Я3) провести пря мую А'В'. Слева, по шкале превышений, отсчитывается значение А3, точнее разность Л3—Л, которая и учиты вается при проектировании сооружений для подъема антенны РТС. Аналогично можно определить новый угол наклона е3. В этом случае вместо прямой А'В' следует
провести прямую |
через точки {Втя, Я3) |
и А (рис. 7.2.7). |
В обоих случаях |
угол |
Ѳ увеличивается |
(см. рис. 5.1.1). |
Определить А3 |
и е3 |
можно и аналитически. Восполь- |
А' |
|
\ ч . |
Точка(АнЯр |
в' |
â |
|
|
Точка(R-,и n r 4 j |
1
Рис. 7.2.6. Определение по ВДИ необходимого подъема антенны (А3—А) при неизмен ном угле наклона е.
Рис. 7.2.7. Определение по ВДИ необходимого угла подъема диаграммы (еа—е) при неиз менной высоте антенны.
зуемся выражениями (5.1.1 а) и (4.3.40) и примем пер воначально за изменяемую величину А. После подста новки (5.1.1а) в (4.3.40) для «>0,66 (обычный случай) получаем
Si—6,1
М _\ 4,02 ■— |
|
А + е р |
М 3 J |
П |
А з - р е/? ’ |
откуда
4,02 |
|
Д3 — (A -f- sR) (77/П 3)г,—б,і |
bR. |
Аналогично получаем |
|
4,02 |
|
П \ Si— 6 . 1 _____ д _ |
+ R j y n 3) |
R |
Разделив оба выражения на последний член, получим
|
|
|
|
4,02 |
|
ш ~ { |
w + |
|
- 1 |
|
|
(7.2.5) |
|
|
|
|
е3Р |
=(4 |
|
|
4,02 |
+ |
П |
\ Ь і— 6,1 |
д |
П 3 |
I |
Эти выражения легко номографируются. Обратив
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
внимание |
на |
то, |
что |
диапазон |
изменений значений |
е,/?/Л и АI&R приблизительно одинаков, |
строим для обеих |
функций одну номограмму (рис. 7.2.8). |
|
|
о |
Пределы применимости номограммы обычные: |
Ѳ < |
< 3 0 |
. . . 60°, |
Ямин = 0,66; |
Ямакс=10 |
(в крайнем случае до |
15 ... 20); |
/?>5,73(2а'0о.,); |
А > 0; |
s > 0 . |
|
|
|
|
П р а в и л а п о л ь з о в а н и я н о м о г р а м м о й |
|
1. |
По известным г, |
Д |
и R для |
определения е3 рассчитываем |
ß „= |
= е°Р/57,ЗД, |
для определения Д3 — ВА = Д-57,3/Ре®. |
|
2. |
По |
известным |
/7//73, |
и рассчитанным В А или В а опреде |
ляем по номограмме ВзА и ß 3e. По найденным В 3 рассчитываем |
Д3— |
= А (ВзА/В) |
или е3 = |
е (Взе/В). |
|
|
|
|
|
Пример |
|
60; й, = |
14 дБ; в = + |
3° |
Д = |
5,5 м; R 200 м, |
Задано П / П а= |
а) |
Проверка |
условий |
|
19м |
/?> 0,1 Я да, |
|
|
|
0 ,1/?я ,= '5 ,7 3 -1 0 /3 = |
|
0,66. |
|
б) |
Ѳ |
А-57,3/ß + |
e = |
4°,6, n -=0,77, |
t. e. « > |
|
2. Рассчитываем B_ = |
3*200/57,3-5,5 — 1,9; |
BA—5,5'57,3/200*о |
3. |
По номограмме находим S3Ä = 12,1 |
и Взг — 22,5. |
|
4. |
Рассчитываем |
|
Д 3 = 12,1-5,5/0,53 = |
126 м; |
®з = 22,5-3/1,9 = |
=35°.
5.Повторная проверка условия для п
ѲЛ=5=е + Д3-57,3//?== 3 + 126-57,3/200 = 39;
п = |
39/6 = |
6,5; |
I |
Условие |
выполне- |
0е =^е3 + |
Д-57,3/7? == 35 + 5,5-57,3/200 = 36,6; |
( |
но: п < |
10 |
« = |
36,6/6 = 6,1. |
' |
|
|
Кроме рассмотренных выше, к основным методам коллективной защиты можно отнести также постановку радиопоглощающих щитов непосредственно у антенны станции, частичное снижение мощности при проходе луча сканера над защищаемым объектом; снижение до минимума, когда это возможно, времени работы станций на излучение. Однако применение их связано с нежела тельными изменениями технических характеристик или режима работы станций, поэтому к ним прибегают очень редко.
Рис. 7.2.8. Номограмма для определения е3 и Д3.
1.3. ЛОКАЛЬНАЯ И ИНДИВИДУАЛЬНАЯ ЗАЩИТА
Средства и методы ограниченной защиты можно на звать подчиненными по отношению к общей защите, хотя по эффективности и массовости применения они, как пра вило, превосходят коллективные. Причиной этого явля ется, прежде всего, высокая стоимость коллективных средств защиты, а иногда и действительно малый тех нический эффект при разумных затратах. Например, при рассмотрении расчетных графиков для определения ве личины дифракционного затухания непрозрачных экра нов можно было заметить, что их постановка перед за щищаемыми объектами с большой протяженностью в глубину неэффективна. То же можно сказать о подъ еме излучающих антенн: эффективность этого способа уменьшается с удалением защищаемого объекта от антенны. Основой методов локальной защиты (выделе ние метода локальной защиты в отдельный класс до сих пор остается дискуссионным) является экранирование каналов просачивания электромагнитной энергии в за щищаемый объем извне или из находящегося в нем ко жуха, экранирующего излучающую аппаратуру. Инди видуальные средства предохраняют от облучения все тело или отдельные его части, наиболее чувствительные
квоздействию радиоволн.
Илокальные и индивидуальные средства защиты предполагают использование радиоотражающих (экра нирующих), в некоторых случаях поглощающих мате риалов (РЭМ и РПМ), которые должны удовлетворять комплексу необходимых радиотехнических и механиче ских, гигиенических, технологических и эстетических требований. На практике это удается далеко не всегда. Отсюда отсутствие универсального РЭМ и РПМ и необ ходимость подбора материала к каждому конкретному случаю.
Ниже кратко рассмотрим принципиальные и техно логические особенности применяемых в технике защиты радиозащитных материалов (РЭМ), вкратце остановим ся на описании конкретных методов и средств локаль ной и индивидуальной защиты.
7.3.1.Принципы использования радиоэкранирующих
ирадиопоглощающих материалов. Для защиты имеют
значение две характеристики радиозащитных материа лов: за экраном — сквозное затухание; перед экраном — отражение от поверхности материала. Сквозное затуха-
ние обусловлено тепловыми потерями в толще материа
ла |
(зависящими от частоты поля и толщины экрана), |
а |
также отражением электромагнитной энергии от по |
верхности материала. Отражение энергии обусловлено в основном -несоответствием волновых характеристик воздуха и материала, из которого изготовлен экран. Сквозное затухание и отражение электромагнитной энергии определяются через коэффициенты сквозного затухания Кскв и отражения Котр, выражаемые как отно шение соответственно прошедшей и отраженной энергии
(мощности) |
к падающей, |
или через величины Вскв== |
= 1/Лскв и |
5 0Тр= 1//Сотр, |
которые обычно выражаются |
в децибелах. |
|
Рис. 7.3.1. Соотношения сквозного (Вскв) и отражающего (ßorp) затуханий при использовании экрана, РПМ с экраном А и без экрана Б (РПМ без экрана — крайне редкий случай); В скв и ßoTp в натуральных -отношениях.
В зависимости от практической потребности мате риалы изготавливаются либо с большим коэффициентом отражения и соответственно большими ВСкв (РЭМ, экра ны в виде сплошных металлических листов или сеток), либо с малым коэффициентом отражения (РПМ, выпол няемые в виде объемных блоков из полупроводящих материалов, характеризующихся определенным распре делением е, р, о по толщине материала). В РПМ основ ным параметром является коэффициент отражения; сквозное затухание специально не оценивается, так как обычно вследствие наклейки фольги (с задней стороны РПМ) оно оказывается очень большим (рис. 7.3.1). В процессе разработки РПМ подбором специальных сред и распределения их электромагнитных характери стик по толщине материала добиваются очень малых отражений, -вплоть до долей -процента.
