Файл: Издательский центр сфера Всероссийская научнопрактическая конференция грань науки 2022.pdf

Всероссийская научно-практическая конференция «ГРАНЬ НАУКИ 2022»
83
Лингвистическая компетенция – термин, который вошел в методику обучения русскому языку относительно недавно. Поэтому данное определение требует осмысления его содержания.
По моему мнению, лингвистическая компетенция представляет собой овладение комплексом знаний об изучаемом языке по его уровням: фонемном, морфемном, лексическом, синтаксическом. Можно сказать, что обучающийся в полной мере владеет знаниями о лингвистической компетенции, если он осознает структуру системы изучаемого языка и может пользоваться данной системой на практике.
Лингвистическая компетенция – это усвоение основных элементов науки о русском языке, овладение информацией о языке как о системе знаков и общественном явлении. Данная компетенция подразумевает также освоение понятийной основы курса, конкретного комплекса терминов. Она предполагает формирование представлений об устройстве языка, его развитии и функционировании, овладение методами действия, которые обеспечивают опознавание языковых феноменов и их применение в речи.
Освоение изучаемого языка представляет собой не только усвоение знаний о данном языке и овладение языковым материалом. Для владения языком очень важно иметь знания для употребления тех или иных слов или коммуникации. Как мы можем предположить, лингвистическая компетенция оказывает содействие воспитанию у обучающихся понимания важности знания русского языка. Также данная компетенция формирует грамотность и точность речи, содействует повышению учебной мотивации.
Формирование лингвистической компетенции может осуществляться благодаря трѐм видам учебной деятельности:
- рецептивный вид деятельности заключается в восприятии изучаемого материала, который предлагается в готовом виде;
- репродуктивный вид деятельности связан с запоминанием приобретенных знаний, и выражается в воспроизведении учебных действий;
- продуктивный вид деятельности направлен на самостоятельное извлечение знаний.
Под лингвистической компетенцией предполагается результат осмысления речевого опыта обучающимися. Она охватывает как знание основных положений науки о русском языке, так и усвоение комплекса лингвистических терминов. Лингвистическая компетенция подразумевает также формирование представлений «о том, как русский язык устроен, что и как в нем изменяется, какие отологические аспекты являются наиболее острыми», освоение такой информации о роли изучаемого языка в жизни общества и человека, на которой формируется непрерывная стабильная заинтересованность к предмету, а также чувства любви и уважения к русскому языку.
Рассматриваемая компетенция обеспечивает и познавательную культуру личности обучающихся, становление логического мышления, памяти, воображения учащихся, усвоение навыков самоконтроля.

Всероссийская научно-практическая конференция «ГРАНЬ НАУКИ 2022»
84
Лингвистическая компетенция также планирует целенаправленное формирование лингвистической рефлексии как процесса осознания обучающимся своей деятельности.

Всероссийская научно-практическая конференция «ГРАНЬ НАУКИ 2022»
85 применения в электронике, композиционных материалах, энергетике и медицине [1].
Секрет популярности нанотрубок заключается в том, что они имеют ряд уникальных электрических и механических свойств, а также обладают сверхминиатюрные размеры и высокие эмиссионные характеристики.
Небольшие размеры и уникальные физические и электрические свойства открывают широкие возможности применения, которые в то же время определяются параметрами первичного сырья. Например, структура нанотрубок влияет на ее электрические свойства и, соответственно, разброс их структурных параметров для применений в электронных устройствах должен быть сведен к допустимому минимуму [2]. Кроме того, проблема выбора нанотрубок с определенными структурными параметрами в настоящее время является одним из основных препятствий для развития наноэлектроники, основанной на использовании нанотрубок [3].
Решение этой проблемы заключается в компьютерном моделировании строения атома. Он заключается в построении моделей из различных хризотиловых материалов и расчете соответствующих теоретических дифракционных картин для сравнения с экспериментом. Свойства распределения плотности полученных образцов предоставляют информацию для идентификации различных вариаций хризотила в тестовом образце.
Критерием достоверности полученных моделей должно быть наименьшее различие между функциями возмущения, полученными для экспериментальных образцов из распределения плотности, и соответствующими кривыми возмущения образцов. Однако в настоящее время дифракционные исследования в области компьютерного моделирования углеродных и хризотиловых материалов, особенно хризотиловых нанотрубок, носят разрозненный и нерегулярный характер. А все имеющееся программное обеспечение для организации компьютерного эксперимента не удовлетворяет все подрастающим потребностям исследователей.
Разработки структурных моделей многослойных нанотрубок ведутся с момента их открытия в середине прошлого столетия. За это время сформировались два подхода к описанию их структуры. Первый, заложенный пионерами этой области науки [4], сводится к переносу структуры слоя плоского аналога (carbon nanotube – graphite, Sn nanotube – berndtite, SnS – herzenbergite, W
nanotube – tungstenite) на цилиндрическую, либо спиральную поверхность (рис. 1). Описание структуры нанотрубок в рамках этого подхода основывалось на прямоугольной плоской ячейке, как правило
– непримитивной. Однако использование таких ячеек может привести к потере части решений при «сшивке» хирального цилиндрического слоя в экваториальном направлении, что является ограничением первого подхода.

Всероссийская научно-практическая конференция «ГРАНЬ НАУКИ 2022»
86
Второй подход, последовавший за открытием углеродных нанотрубок
[5], развивался исключительно внутри гексагональных структур [6]. Между тем трудно предположить, что все нанотрубки будут иметь гексагональную структуру. Например, были сообщения о синтезе нанотрубок со смешанным слоем SnS/SnS
2 при этом слои SnS имеют орторомбическую структуру [7].
Разумеется, в этом случае индексы хиральности, а также радиус и угол хиральности нанотрубки должны быть выражены в виде базисных векторов орторомбической, а не гексагональной системы.
Цель работы – разработать универсальный подход к описанию структуры упорядоченных, многослойных, хиральных, коаксиальных и спиральных нанотрубок на основе плоских первичных ячеек и индексов хиральности, выраженных в единицах таких ячеек. Поскольку трехмерная элементарная ячейка в цилиндрических кристаллах не определена (не определена) из-за неопределенности базисного вектора с, двумерная ячейка параллелограмма охватывает все случаи; в случае примитивной сети позволяет избежать потери решений. Термин «упорядоченная нанотрубка» означает как регулярность решетки каждого слоя, так и упаковку слоев вместе. В отличие от обычных слоистых кристаллов, в одном из направлений кристаллического пространства нанотрубок - периферическом - проблема расположения прослоек носит специфический характер. В этом направлении элементарные ячейки соседних слоев нанотрубок не могут иметь одинаковое взаимное расположение из-за разного радиуса кривизны слоев. Однако гомологичные узлы соседних слоев располагаются по определенному закону.
Лист плоского аналога можно рассматривать как развернутый лист нанотрубки, ориентированный относительно его оси (рис. 2а). Наличие предпочтительного направления, т.е. оси z нанотрубки, позволяет предложить однозначное позиционирование оси (выбор оси) в слое. Пусть основные векторы решетки слоя выбраны так, чтобы ось b находилась ближе всего к плоскости поперечного сечения нанотрубки. Угол хиральности εc при таком выборе определяется как угол между вектором b и этой плоскостью
Рис. 1. Перенос (transfer) структуры плоского слоя на цилиндрическую или спиральную поверхность (синим цветом показана плоскость слоя, касательная к поверхности в точке φ = 0, с лежащими в ней прямоугольными системами {y, x} и {ξ, z}).
ε
c
x
y
ξ
z
b
a
ε
c
x
y
ξ
z
a
b

Всероссийская научно-практическая конференция «ГРАНЬ НАУКИ 2022»
87
(рис. 2а). Такое расположение оси обеспечивает межплоскостные расстояния и индексацию отражений, которые соответствуют дифракционной картине плоского аналога для многих нанотрубок, что позволяет изучать цилиндрические кристаллы [8].
Рис. 2. Ориентация слоя относительно оси нанотрубки z (a) и определение экваториальной координаты атома (b).
Введем две системы координат в плоскости сканирования, повернутой относительно друг друга на угол хиральности: систему {a, b}, заданную кристаллографическим базисом, и прямоугольную систему {ξ, z}, ось z которой параллельна к оси нанотрубки (рис. 1, 2а). Положение атома задается вектором, где – вектор плоской решетки, j – номер атома в ячейке.
Вектор rj, определяющий положение атома в проекции ячейки на плоскость, имеет компоненты xj и yj в базисе a, b, совпадающие с координатами соответствующего атома аналога плоскости. Таким образом, формула перехода от системы {a, b} к системе {ξ, z} зависит от направления перехода, т. е. от алгебраического знака угла εc. Например, на рис. 2а переход {a, b} →
{ξ, z} соответствует вращению по часовой стрелке, следовательно, угол εc
<0. Поскольку при анализе удобнее иметь дело с модулем этого угла, мы выпишем его знак явно. Тогда в системе {ξ, z} атом имеет координаты:












cos cos sin cos
nvj
j
c
j
c
nvj
j
c
j
c
an
x
b
y
z
an
x
b
y

 


 













(1) где нижний знак соответствует переходу {a, b} → {ξ, z} по часовой стрелке, а верхний - против.
Для расчетараспределения интенсивности диффузных рефлексов с k =
1 в слоевой плоскости обратной решетки коаксиальной хиральной диэлектрической нанотрубки (диффузных рефлексов) также использовалась среда программирования Pascal.
Расчет распределения интенсивности рефлексов для первой и второй слоевых линий проводился по формуле:

Всероссийская научно-практическая конференция «ГРАНЬ НАУКИ 2022»
88
Выражение выведена из соответствующей формулы для амплитуды четких рефлексов I
ℎ????
(
????, ????∗) из предыдущего раздела путем исключения масштабного множителя N, аппроксимации функции Бесселя косинусом и возведения в квадрат. Результат приведен на рис.3.
Рис. 3. Распределение интенсивности диффузных рефлексов коаксиальной нанотрубки углерода при k=1
На дифракционной картине выбирал участок диффузных рефлексов при k =1 равный 5 нм
-1
, отмеченный жѐлтой линией в красном прямоугольнике рис. 4.
Рис. 4. Выбор участка диффузных рефлексов при k =1.
Используя функцию
«анализ профиля» получаем профиль интенсивности данного участка.
Рис. 5. Профиль интенсивности диффузных рефлексов при k =1.