Файл: Занятие Исследование основных параметров транзисторов отчет по практическому занятию 2 Цель работы.docx

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 28.04.2024

Просмотров: 24

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Раздел №3

Активные элементы радиоэлектронных устройств

Практическое занятие № 2. Исследование основных параметров транзисторов

ОТЧЕТ ПО ПРАКТИЧЕСКОМУ ЗАНЯТИЮ №2

Цель работы:

Изучение принципа действия биполярного транзистора, его основных параметров и способов их определения. Снятие входных и выходных вольтамперных характеристик биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером.

Объект и средства испытаний:

Объектами испытаний служат: биполярный транзистор структуры N-P-N. Для исследования характеристик транзистора используются включенные в цепь виртуальные приборы: вольтметры, амперметры.
1. Схема электрической цепи для снятия ВАХ биполярного транзистора transistor_1.ms14.


2. Входная вольтамперная характеристика биполярного транзистора Iб=f(Uэб) при напряжении Uкэ=5В.

Ток базы Iб, мкА

50

100

200

300

400

500

Напряжение Uбэ, В

0,715

0,737

0,763

0,781

0,798

0,811

3. Входная вольтамперная характеристика биполярного транзистора Iб=f(Uэб) при напряжении Uкэ=10В.

Ток базы Iб, мкА

50

100

200

300

400

500

Ток коллектора Iк, мА

10,7

20,5

40,3

58,1

78,0

94,3

Напряжение Uбэ, В

0,715

0,737

0,764

0,782

0,800

0,812


4. График с входными ВАХ транзистора Iб=f(Uбэ) для напряжений Uкэ равных 5 В и 10 В.



5. Передаточная характеристика транзистора. Зависимость Iк=f(Iб) для Uкэ=10 В.


6. Коэффициент усиления транзистора.



7. Выходные характеристики биполярного транзистора.

Напряжение Uкэ, В

0,1

0,5

1

5

8

12

Ток коллектора Iк, мА при токе базы Iб, мкА

50

4,459

9,772

9,822

10,22

10,52

10,91

100

8,398

19,16

19,26

20,04

20,62

21,40

200

15,02

36,73

36,92

38,41

39,52

41,01

300

20,45

53,00

53,27

55,42

57,03

59,17

400

24,24

65,53

65,86

68,51

70,50

73,15

500

29,87

86,05

86,48

89,96

92,57

96,04

8. График семейства выходных ВАХ биполярного транзистора Iк=f(Uкэ).



9. Схема электрической цепи с транзистором, база которого подключена к источнику напряжения G3.



ВЫВОД:

При подключении к базе источника напряжения отрицательной полярности транзистор закрыт, ток коллектора равен 0.
10. Схема электрической цепи для исследований характеристик биполярного транзистора.




11. Результаты эксперимента.

Параметр

Значение в контрольной точке

Iб, мкА

100

200

300

400

500

600

700

800

900

1000

1200

1400

1800

2000

2100

Uбэ, В




0,764

0,780

0,794

0,803

0,804

0,804

0,805

0,805

0,806

0,806

0,807

0,808

0,810




Uкэ, В




6,173

3,880

1,724

0,222

0,183

0,169

0,159

0,152

0,145

0,138

0,134

0,126

0,120




Iк, мА




38,85

54,13

68,51

78,52

78,78

78,88

78,94

78,99

79,03

79,08

79,11

79,16

79,20




12. Графики Uкэ=f(Uбэ) и Iк=f(Iб).



ВЫВОД:

В ходе выполнения практического задания изучили свойства транзистора. Построили входные, выходные и передаточные характеристики.