Файл: Занятие Исследование основных параметров транзисторов отчет по практическому занятию 2 Цель работы.docx
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 28.04.2024
Просмотров: 24
Скачиваний: 0
ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.
Раздел №3 | Активные элементы радиоэлектронных устройств |
Практическое занятие № 2. Исследование основных параметров транзисторов
ОТЧЕТ ПО ПРАКТИЧЕСКОМУ ЗАНЯТИЮ №2
Цель работы:
Изучение принципа действия биполярного транзистора, его основных параметров и способов их определения. Снятие входных и выходных вольтамперных характеристик биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером.
Объект и средства испытаний:
Объектами испытаний служат: биполярный транзистор структуры N-P-N. Для исследования характеристик транзистора используются включенные в цепь виртуальные приборы: вольтметры, амперметры.
1. Схема электрической цепи для снятия ВАХ биполярного транзистора transistor_1.ms14.
2. Входная вольтамперная характеристика биполярного транзистора Iб=f(Uэб) при напряжении Uкэ=5В.
Ток базы Iб, мкА | 50 | 100 | 200 | 300 | 400 | 500 |
Напряжение Uбэ, В | 0,715 | 0,737 | 0,763 | 0,781 | 0,798 | 0,811 |
3. Входная вольтамперная характеристика биполярного транзистора Iб=f(Uэб) при напряжении Uкэ=10В.
Ток базы Iб, мкА | 50 | 100 | 200 | 300 | 400 | 500 |
Ток коллектора Iк, мА | 10,7 | 20,5 | 40,3 | 58,1 | 78,0 | 94,3 |
Напряжение Uбэ, В | 0,715 | 0,737 | 0,764 | 0,782 | 0,800 | 0,812 |
4. График с входными ВАХ транзистора Iб=f(Uбэ) для напряжений Uкэ равных 5 В и 10 В.
5. Передаточная характеристика транзистора. Зависимость Iк=f(Iб) для Uкэ=10 В.
6. Коэффициент усиления транзистора.
7. Выходные характеристики биполярного транзистора.
Напряжение Uкэ, В | 0,1 | 0,5 | 1 | 5 | 8 | 12 | |
Ток коллектора Iк, мА при токе базы Iб, мкА | 50 | 4,459 | 9,772 | 9,822 | 10,22 | 10,52 | 10,91 |
100 | 8,398 | 19,16 | 19,26 | 20,04 | 20,62 | 21,40 | |
200 | 15,02 | 36,73 | 36,92 | 38,41 | 39,52 | 41,01 | |
300 | 20,45 | 53,00 | 53,27 | 55,42 | 57,03 | 59,17 | |
400 | 24,24 | 65,53 | 65,86 | 68,51 | 70,50 | 73,15 | |
500 | 29,87 | 86,05 | 86,48 | 89,96 | 92,57 | 96,04 |
8. График семейства выходных ВАХ биполярного транзистора Iк=f(Uкэ).
9. Схема электрической цепи с транзистором, база которого подключена к источнику напряжения G3.
ВЫВОД:
При подключении к базе источника напряжения отрицательной полярности транзистор закрыт, ток коллектора равен 0.
10. Схема электрической цепи для исследований характеристик биполярного транзистора.
11. Результаты эксперимента.
Параметр | Значение в контрольной точке | ||||||||||||||
Iб, мкА | 100 | 200 | 300 | 400 | 500 | 600 | 700 | 800 | 900 | 1000 | 1200 | 1400 | 1800 | 2000 | 2100 |
Uбэ, В | | 0,764 | 0,780 | 0,794 | 0,803 | 0,804 | 0,804 | 0,805 | 0,805 | 0,806 | 0,806 | 0,807 | 0,808 | 0,810 | |
Uкэ, В | | 6,173 | 3,880 | 1,724 | 0,222 | 0,183 | 0,169 | 0,159 | 0,152 | 0,145 | 0,138 | 0,134 | 0,126 | 0,120 | |
Iк, мА | | 38,85 | 54,13 | 68,51 | 78,52 | 78,78 | 78,88 | 78,94 | 78,99 | 79,03 | 79,08 | 79,11 | 79,16 | 79,20 | |
12. Графики Uкэ=f(Uбэ) и Iк=f(Iб).
ВЫВОД:
В ходе выполнения практического задания изучили свойства транзистора. Построили входные, выходные и передаточные характеристики.