Файл: 1 Тиристоры.docx

Структура МОПБТ (рис. 3.4) во многом подобна структуре МОП-транзистора; разница заключается в наличии нижнего слоя с проводимостью р⁺-типа, который придает МОПБТ свойства биполярного транзистора. Выходная цепь МОПБТ состоит из биполярного транзистора типа р-n-р, а дополнительному р-n-переходу соответствует транзистор n-р-n-типа.


Рисунок 3.4 - Структура (в), эквивалентная схема (6) и символ (в) МОПБТ
Транзисторы МОПБТ первого поколения использовались при напряжениях до 1 200 В, токах до 50 А и рабочей частоте 20—50 кГц. Дальнейшее изменение конструкции позволило создать на базе одного большого кристалла прибор с рабочим током до 100 А и напряжением 3 000 В. В настоящее время параллельное включение кристаллов в одном корпусе позволило создать модули на ток 1 кА и напряжение более 4,5 кВ.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Под ред. Н. Н. Горюнова – М.: Энергоатомиздат, 1985г. – 904 с.

Гершунский Б.С. Основы электроники и микроэлектроники: Учебник. – 4-е изд., К.: Вища школа,1983 г . –384 с.

Силовая электроника : учебник для вузов / Ю.К. Розанов, М.В. Рябчицкий, А.А. Кваснюк. 2-е изд., стереотипное. — М. : Издательский дом МЭИ, 2009. — 632 с.: ил.

Силовые электронные устройства: Введение в автоматизированное проектирование. - М.: Радио и связь, 1982. - 256 с., ил.

Силовая электроника. / Фролов В.Я., Смородинов В.В., Зверев С.Г.:Учеб. пособие. СПб: Изд-во Политехн. ун-та, 2011. 281 с.

Тейлор П. Расчет и проектирвание тиристоров: Пер с англ. – М.: Энергоатомиздат, 1990. 208с.

Белоус А.И., Ефименко С.А., Турцевич А.С. Полупроводникова силовая электроника Москва: Техносфера, 2013. - 216 с.

---