ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 18.06.2024
Просмотров: 114
Скачиваний: 1
ны Ее обоих материалов равна 1,0 эв. Величина энергии электронного сродства, полученная из фотоэмиссионных измерений, составляет £ „=1,0 эв для Na2 KSb и Еа = = 0,55 эв для трехщелочного фотокатода. Таким образом, эти материалы обладают почти такой же шириной за прещенной зоны, как и однощелочные антимониды Na3Sb и K3Sb, но значительно меньшим электронным сродст вом.
|
В отношении Na2 KSb фотокатода возникает вопрос, |
|||||||||||
почему |
соединение |
сурьмы, |
содержащее |
Na и К, |
так |
|||||||
сильно |
отличается |
по |
эмисси |
|
|
|
||||||
онным |
свойствам |
от соедине |
|
|
|
|||||||
ний сурьмы, содержащих |
толь |
|
|
|
||||||||
ко один из этих щелочных ме |
|
|
|
|||||||||
таллов. В настоящее время |
по |
|
|
|
||||||||
этому поводу можно высказать |
|
|
|
|||||||||
лишь |
некоторые |
предположе |
|
|
|
|||||||
ния. Сравнение с однощелоч- |
|
|
|
|||||||||
иыми антимонидами показыва |
|
|
|
|||||||||
ет, |
что многощелочной |
|
мате |
|
|
|
||||||
риал с проводимостью |
р-типа |
|
|
|
||||||||
и |
кубической |
решеткой |
укла |
|
|
|
||||||
дывается в общую схему, кото |
|
|
|
|||||||||
рая состоит в том, что материа |
|
|
|
|||||||||
лы |
/7-тнпа |
с |
кубической |
|
ре |
Рис. 33. Зависимость |
опти |
|||||
шеткой |
(Cs3Sb, |
кубический |
||||||||||
ческого |
поглощения |
в |
||||||||||
Rb3Sb и кубический K3 Sb) |
име |
(Cs)Na2K,Sb от энергии фо |
||||||||||
ют |
низкое |
электронное |
сродст |
тонов [Л. '157]. |
|
|||||||
во, |
а |
материалы |
с проводи |
|
|
|
||||||
мостью |
/і-типа с гексагональной |
решеткой |
(гексагональ |
|||||||||
ный Rb3Sb, гексагональный K3Sb |
и Na3Sb) |
имеют высо |
||||||||||
кую величину ft,. |
|
|
|
|
|
|
|
Связь проводимости р-типа с кубической структурой материала и проводимости я-типа с гексагональной структурой можно объяснить следующим образом. Во всех кристаллах антимонидов щелочных металлов в ку бической структуре наблюдается более плотная упаковка атомов, чем в гексагональной (Маккерол [Л. 152], Спай сер [Л. 113]). В качестве примера можно привести K3 Sb, для которого плотность была измерена в обеих модифи кациях Соммером и Маккеролом {Л. 140]. Поскольку ма териал я-типа содержит стехиометрический избыток ще лочного металла, а материал ,р-типа имеет вакансии ато мов щелочных металлов, можно предположить, что
проводимость /і-типа не может быть получена в более
плотно упакованных кубических |
кристаллах, так как до |
||
полнительные |
щелочные |
атомы |
не могут разместиться |
в междоузлиях. |
|
|
|
Если мы согласимся с объяснением корреляции кри |
|||
сталлической |
структуры |
и типа |
проводимости, остается |
вопрос, с каким из этих двух факторов связано низкое электронное сродство. В этой связи интересно рассмот реть две возможности. Как указал Спайсер [Л. 3], в по лупроводниках р-типа изгиб зон вблизи поверхности бла гоприятен для фотоэмиссии и приводит к уменьшению «эффективного» электронного сродства. Напротив, в гек сагональном материале «-типа может иметь место небла гоприятный изгиб зон. Поскольку экспериментально нельзя различить «истинное» и эффективное электронное сродство, гипотезу о том, что изгиб зон приводит к низ кому значению Еа, нельзя проверить. В пользу корреля ции между кристаллической структурой и электронным сродством можно упомянуть известный эксперименталь
ный факт, что не только среди антимонидов щелочных |
||
металлов, но и среди других |
полупроводников |
низкое |
электронное сродство наблюдается только в материалах |
||
с кубической структурой. Типичными примерами |
являют |
|
ся MgO и щелочно-галоидные |
кристаллы. |
|
Высокое значение порога |
генерации электронно-ды |
рочных пар, полученное Спайсером для обоих многоще лочных материалов из измерений распределения элек
тронов по |
скоростям вместе с данными |
Маккерола |
[Л. 152] о |
высокой степени упорядоченности |
кристалли |
ческой решетки этих соединений, подтверждает предпо ложение Спайсера [Л. 105] о том, что порог энергии гене рации пар увеличивается при увеличении степени упо рядоченности кристаллической решетки. Это объясняет,
.почему многощелочные антимониды так сильно отлича ются по величине пороговой энергии от Cs3Sb (который имеет низкую степень упорядоченности) и подобны в этом отношении K3Sb и Na3 Sb, хотя по кристалличе ской структуре, типу проводимости и низкому электрон ному сродству они гораздо ближе к Cs3Sb.
По-видимому, наиболее сложная проблема в отноше нии многощелочных фотокатодов заключается в выясне нии роли Cs в (Cs)Na2 KSb фотокатоде. Первая интер претация, состоящая в том, что поверхностная пленка Cs моноатомного размера приводит к образованию бла-
Гопріїятного дипольного слой, понижающего поверхност ный барьер, была основана на наблюдениях, что абсо лютное количество Cs очень мало, а оптическое погло щение и кристаллическая структура Na2 KSb не изменя ются при добавлении Cs. В свете последних более точ ных исследований эти три результата представляются сомнительными. Химический анализ на содержание Cs недостаточно точен для того, чтобы решить, действитель но ли количество Cs в фотокатоде меньше, чем моиослой. При добавлении цезия в Na2 KSb фотокатод были обна ружены небольшие изменения оптического поглощения, а также небольшое увеличение постоянной кристалличе ской решетки. Последнее наблюдение, по-видимому, яв ляется наиболее важным.
Имеются дополнительные доказательства влияния Cs на объемные свойства фотокатода. Как уже отмечалось, максимальная чувствительность многощелочного фото катода достигается при поочередном добавлении неболь ших количеств Cs и Sb. Из количественных измерений, выполненных методом атомного пучка (Симон [Л. 75]), следует, что в течение этого процесса вводится количе ство Cs, большее, чем необходимо для образования од ного моноатомного слоя. Еще более удивительным яв ляется то, что количество Sb, добавляемое в фотокатод при этом процессе, значительно больше, чем нужно для образования стехиометрического соединения с Cs. Это подтверждается тем, что проводимость трехщелочного фотокатода выше, чем проводимость Na2 KSb. Последний эффект можно объяснить увеличением стехиометрическо го избытка Sb в слое.
Резюмируя сказанное, следует отметить, что влияние Cs, по крайней мере частично, заключается в поверх ностном эффекте, однако исключить дополнительный объемный эффект нельзя. Весьма вероятно, что некото рые атомы Cs должны внедряться в объем материала для сохранения оптимальной концентрации Cs в поверх ностном слое; другими словами, объемный эффект неиз бежен, но совсем не обязательно, что именно он приво дит к увеличению чувствительности.
6-2. K-Cs-Sb ФОТОКАТОД
Высокая фоточувствительность K-Cs-Sb бищелочного аитимонида, так же как и других, уже описанных много щелочных фотокатодов, была открыта случайно (Сом-
мер [Л. 158]). Рассмотрим наиболее важные фотоэмис-
смопиые характеристики |
этого |
материала. |
|
|
|
||||||
Спектральная |
характеристика |
фотоэмисспп |
приведе |
||||||||
на на |
рис. 34. |
Квантовый выход |
в коротковолновой ча |
||||||||
сти видимой области спектра так же высок |
(или еще |
||||||||||
выше), |
как и у других |
многощелочных |
фотокатодов, но |
||||||||
длинноволновый |
порог |
ближе |
к |
величине, |
полученной |
||||||
|
|
|
|
для Cs3Sb, чем для (Cs)Na2 KSb. |
|||||||
%о |
|
|
|
Так же как и для Cs^Sb фото |
|||||||
|
|
|
|
катода, и в отличие от много |
|||||||
|
|
|
|
щелочных фотокатодов |
поверх |
||||||
|
|
|
|
ностное |
окисление |
заметно |
|||||
|
|
|
|
увеличивает |
величину |
кванто |
|||||
|
|
|
|
вого выхода и смещает длин |
|||||||
|
|
|
|
новолновый |
|
порог |
|
этого |
|||
|
|
|
|
материала |
(рис. |
34). |
Хотя |
||||
|
|
|
|
K-Cs-Sb фотокатод уступает |
|||||||
|
|
|
|
(Cs)Na2 KSb по величине кван |
|||||||
|
|
|
|
тового |
выхода |
в длинноволно |
|||||
|
|
|
|
вой |
области, |
он |
превосходит |
||||
|
|
|
|
все другие |
фотокатоды, обла |
||||||
|
|
|
|
дающие |
высокой |
чувствитель |
|||||
|
|
|
|
ностью |
в |
видимой |
области |
||||
Рис. 34. |
Спектральные ха |
спектра, в том, что его термо |
|||||||||
рактеристики |
квантового |
электронная |
эмиссия |
при ком |
|||||||
выхода |
foCsSb фотокатода |
натной |
температуре |
|
чрезвы |
||||||
до (кривая 1) и после (кри |
|
||||||||||
вая 2) поверхностного |
чайно мала. |
|
|
|
|
|
|||||
|
окисления. |
|
Состав |
и |
кристаллическая |
||||||
|
|
|
|
структура |
K-Cs-Sb |
|
фотока |
тода были исследованы Маккеролом [Л. 159]. Химиче
ский и рентгеноструктурный |
анализы показали, что сте- |
|
хиометрическая |
формула |
этого материала — K2CsSb. |
Материал имеет |
такую же кубическую симметрию, как |
и другие антимониды щелочных металлов с кубической решеткой, и обладает проводимостью р-тнпа.
Насан и Ми [Л. 160] измерили спектральные харак теристики фотоэмиссии, фотопроводимости и оптического
поглощения K2CsSb. Исходя из этих |
измерений, |
они на |
|
шли, что ширина запрещенной зоны |
£ g = l , 0 |
эв, |
а элек |
тронное сродство £ „=1,1 эв. Сдвиг |
порога |
фотоэмиссии |
в длинноволновую область спектра для материала, под вергнутого поверхностному окислению, указывает на уменьшение поверхностного барьера. Однако так же, как в случае Cs3Sb фотокатода, на основании эксперимен-
тальиых фактов нельзя решить, связано ли это с умень шением электронного сродства или с благоприятным из гибом энергетических зон.
KaCsSb фотокатод отличается от всех других антимонидов щелочных металлов чрезвычайно высоким удельным сопротивлением при комнатной температуре, обычно на два или три порядка большим, чем сопротив ление Cs3Sb. Поэтому практическое применение полупро зрачных фотокатодов этого типа ограничено очень малы ми фототоками, обычно меньшими Ю - 8 а. В противном случае необходимо использовать полупрозрачную прово дящую подложку.
Наиболее вероятное объяснение высокого сопротив ления КгСэБЬ фотокатода состоит в низкой концентра ции дефектов в этом материале. Как уже отмечалось, в антимонидах щелочных металлов дефекты обычно свя заны с отклонением состава соединения от точного стехиометрического отношения 3: 1. Таким образом, следует предположить, что равновесное соединение K^CsSb бли же к точному стехиометрнческому составу, чем соедине ния других антимонидов щелочных металлов. Однако остается неясным вопрос, почему в случае KzCsSb наи более стабильное соединение ближе к точному отноше нию 3 : 1 , чем для других антимонидов щелочных ме таллов.
6-3. Rb-Cs-Sb ФОТОКАТОД
Кроме рассмотренных материалов, в литературе со общается еще только об одном бищелочном фотокатоде, представляющем соединение Rb и Cs с сурьмой. Rb-Cs-Sb фотокатод впервые был описан Каневым 'и др. [Л. 161, 162], а позднее Морисоиом [Л. 163] и Едлнчкон и Видимом [Л. 164]. Последние авторы нашли, что кван товый выход и длинноволновая граница Rb-Cs-Sb фото катода увеличиваются при поверхностном окислении ана логично Cs3Sb и F^CsSb фотокатодам.
Не сообщалось никаких экспериментальных данных относительно стехиометрического состава Rb-Cs-Sb фо токатода, а квантовый выход и длинноволновая граница фотоэмиссии, по-видимому, не сильно отличаются от со ответствующих величин для Cs3Sb фотокатода. Поэтому в настоящее время трудно сказать, представляет ли этот фотокатод четко определенный многощелочной материал
и |
имеет |
ли он какие-либо преимущества по сравнению |
с |
Cs3Sb |
фотокатодом в практическом отношении. |