Файл: Соммер А. Фото-эмиссионные материалы.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 18.06.2024

Просмотров: 114

Скачиваний: 1

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

ны Ее обоих материалов равна 1,0 эв. Величина энергии электронного сродства, полученная из фотоэмиссионных измерений, составляет £ „=1,0 эв для Na2 KSb и Еа = = 0,55 эв для трехщелочного фотокатода. Таким образом, эти материалы обладают почти такой же шириной за­ прещенной зоны, как и однощелочные антимониды Na3Sb и K3Sb, но значительно меньшим электронным сродст­ вом.

 

В отношении Na2 KSb фотокатода возникает вопрос,

почему

соединение

сурьмы,

содержащее

Na и К,

так

сильно

отличается

по

эмисси­

 

 

 

онным

свойствам

от соедине­

 

 

 

ний сурьмы, содержащих

толь­

 

 

 

ко один из этих щелочных ме­

 

 

 

таллов. В настоящее время

по

 

 

 

этому поводу можно высказать

 

 

 

лишь

некоторые

предположе­

 

 

 

ния. Сравнение с однощелоч-

 

 

 

иыми антимонидами показыва­

 

 

 

ет,

что многощелочной

 

мате­

 

 

 

риал с проводимостью

р-типа

 

 

 

и

кубической

решеткой

укла­

 

 

 

дывается в общую схему, кото­

 

 

 

рая состоит в том, что материа­

 

 

 

лы

/7-тнпа

с

кубической

 

ре­

Рис. 33. Зависимость

опти­

шеткой

(Cs3Sb,

кубический

ческого

поглощения

в

Rb3Sb и кубический K3 Sb)

име­

(Cs)Na2K,Sb от энергии фо­

ют

низкое

электронное

сродст­

тонов [Л. '157].

 

во,

а

материалы

с проводи­

 

 

 

мостью

/і-типа с гексагональной

решеткой

(гексагональ­

ный Rb3Sb, гексагональный K3Sb

и Na3Sb)

имеют высо­

кую величину ft,.

 

 

 

 

 

 

 

Связь проводимости р-типа с кубической структурой материала и проводимости я-типа с гексагональной структурой можно объяснить следующим образом. Во всех кристаллах антимонидов щелочных металлов в ку­ бической структуре наблюдается более плотная упаковка атомов, чем в гексагональной (Маккерол [Л. 152], Спай­ сер [Л. 113]). В качестве примера можно привести K3 Sb, для которого плотность была измерена в обеих модифи­ кациях Соммером и Маккеролом {Л. 140]. Поскольку ма­ териал я-типа содержит стехиометрический избыток ще­ лочного металла, а материал ,р-типа имеет вакансии ато­ мов щелочных металлов, можно предположить, что


проводимость /і-типа не может быть получена в более

плотно упакованных кубических

кристаллах, так как до­

полнительные

щелочные

атомы

не могут разместиться

в междоузлиях.

 

 

Если мы согласимся с объяснением корреляции кри­

сталлической

структуры

и типа

проводимости, остается

вопрос, с каким из этих двух факторов связано низкое электронное сродство. В этой связи интересно рассмот­ реть две возможности. Как указал Спайсер [Л. 3], в по­ лупроводниках р-типа изгиб зон вблизи поверхности бла­ гоприятен для фотоэмиссии и приводит к уменьшению «эффективного» электронного сродства. Напротив, в гек­ сагональном материале «-типа может иметь место небла­ гоприятный изгиб зон. Поскольку экспериментально нельзя различить «истинное» и эффективное электронное сродство, гипотезу о том, что изгиб зон приводит к низ­ кому значению Еа, нельзя проверить. В пользу корреля­ ции между кристаллической структурой и электронным сродством можно упомянуть известный эксперименталь­

ный факт, что не только среди антимонидов щелочных

металлов, но и среди других

полупроводников

низкое

электронное сродство наблюдается только в материалах

с кубической структурой. Типичными примерами

являют­

ся MgO и щелочно-галоидные

кристаллы.

 

Высокое значение порога

генерации электронно-ды­

рочных пар, полученное Спайсером для обоих многоще­ лочных материалов из измерений распределения элек­

тронов по

скоростям вместе с данными

Маккерола

[Л. 152] о

высокой степени упорядоченности

кристалли­

ческой решетки этих соединений, подтверждает предпо­ ложение Спайсера [Л. 105] о том, что порог энергии гене­ рации пар увеличивается при увеличении степени упо­ рядоченности кристаллической решетки. Это объясняет,

.почему многощелочные антимониды так сильно отлича­ ются по величине пороговой энергии от Cs3Sb (который имеет низкую степень упорядоченности) и подобны в этом отношении K3Sb и Na3 Sb, хотя по кристалличе­ ской структуре, типу проводимости и низкому электрон­ ному сродству они гораздо ближе к Cs3Sb.

По-видимому, наиболее сложная проблема в отноше­ нии многощелочных фотокатодов заключается в выясне­ нии роли Cs в (Cs)Na2 KSb фотокатоде. Первая интер­ претация, состоящая в том, что поверхностная пленка Cs моноатомного размера приводит к образованию бла-


Гопріїятного дипольного слой, понижающего поверхност­ ный барьер, была основана на наблюдениях, что абсо­ лютное количество Cs очень мало, а оптическое погло­ щение и кристаллическая структура Na2 KSb не изменя­ ются при добавлении Cs. В свете последних более точ­ ных исследований эти три результата представляются сомнительными. Химический анализ на содержание Cs недостаточно точен для того, чтобы решить, действитель­ но ли количество Cs в фотокатоде меньше, чем моиослой. При добавлении цезия в Na2 KSb фотокатод были обна­ ружены небольшие изменения оптического поглощения, а также небольшое увеличение постоянной кристалличе­ ской решетки. Последнее наблюдение, по-видимому, яв­ ляется наиболее важным.

Имеются дополнительные доказательства влияния Cs на объемные свойства фотокатода. Как уже отмечалось, максимальная чувствительность многощелочного фото­ катода достигается при поочередном добавлении неболь­ ших количеств Cs и Sb. Из количественных измерений, выполненных методом атомного пучка (Симон [Л. 75]), следует, что в течение этого процесса вводится количе­ ство Cs, большее, чем необходимо для образования од­ ного моноатомного слоя. Еще более удивительным яв­ ляется то, что количество Sb, добавляемое в фотокатод при этом процессе, значительно больше, чем нужно для образования стехиометрического соединения с Cs. Это подтверждается тем, что проводимость трехщелочного фотокатода выше, чем проводимость Na2 KSb. Последний эффект можно объяснить увеличением стехиометрическо­ го избытка Sb в слое.

Резюмируя сказанное, следует отметить, что влияние Cs, по крайней мере частично, заключается в поверх­ ностном эффекте, однако исключить дополнительный объемный эффект нельзя. Весьма вероятно, что некото­ рые атомы Cs должны внедряться в объем материала для сохранения оптимальной концентрации Cs в поверх­ ностном слое; другими словами, объемный эффект неиз­ бежен, но совсем не обязательно, что именно он приво­ дит к увеличению чувствительности.

6-2. K-Cs-Sb ФОТОКАТОД

Высокая фоточувствительность K-Cs-Sb бищелочного аитимонида, так же как и других, уже описанных много­ щелочных фотокатодов, была открыта случайно (Сом-

мер [Л. 158]). Рассмотрим наиболее важные фотоэмис-

смопиые характеристики

этого

материала.

 

 

 

Спектральная

характеристика

фотоэмисспп

приведе­

на на

рис. 34.

Квантовый выход

в коротковолновой ча­

сти видимой области спектра так же высок

(или еще

выше),

как и у других

многощелочных

фотокатодов, но

длинноволновый

порог

ближе

к

величине,

полученной

 

 

 

 

для Cs3Sb, чем для (Cs)Na2 KSb.

 

 

 

Так же как и для Cs^Sb фото­

 

 

 

 

катода, и в отличие от много­

 

 

 

 

щелочных фотокатодов

поверх­

 

 

 

 

ностное

окисление

заметно

 

 

 

 

увеличивает

величину

кванто­

 

 

 

 

вого выхода и смещает длин­

 

 

 

 

новолновый

 

порог

 

этого

 

 

 

 

материала

(рис.

34).

Хотя

 

 

 

 

K-Cs-Sb фотокатод уступает

 

 

 

 

(Cs)Na2 KSb по величине кван­

 

 

 

 

тового

выхода

в длинноволно­

 

 

 

 

вой

области,

он

превосходит

 

 

 

 

все другие

фотокатоды, обла­

 

 

 

 

дающие

высокой

чувствитель­

 

 

 

 

ностью

в

видимой

области

Рис. 34.

Спектральные ха­

спектра, в том, что его термо­

рактеристики

квантового

электронная

эмиссия

при ком­

выхода

foCsSb фотокатода

натной

температуре

 

чрезвы­

до (кривая 1) и после (кри­

 

вая 2) поверхностного

чайно мала.

 

 

 

 

 

 

окисления.

 

Состав

и

кристаллическая

 

 

 

 

структура

K-Cs-Sb

 

фотока­

тода были исследованы Маккеролом [Л. 159]. Химиче­

ский и рентгеноструктурный

анализы показали, что сте-

хиометрическая

формула

этого материала — K2CsSb.

Материал имеет

такую же кубическую симметрию, как

и другие антимониды щелочных металлов с кубической решеткой, и обладает проводимостью р-тнпа.

Насан и Ми [Л. 160] измерили спектральные харак­ теристики фотоэмиссии, фотопроводимости и оптического

поглощения K2CsSb. Исходя из этих

измерений,

они на­

шли, что ширина запрещенной зоны

£ g = l , 0

эв,

а элек­

тронное сродство £ „=1,1 эв. Сдвиг

порога

фотоэмиссии

в длинноволновую область спектра для материала, под­ вергнутого поверхностному окислению, указывает на уменьшение поверхностного барьера. Однако так же, как в случае Cs3Sb фотокатода, на основании эксперимен-


тальиых фактов нельзя решить, связано ли это с умень­ шением электронного сродства или с благоприятным из­ гибом энергетических зон.

KaCsSb фотокатод отличается от всех других антимонидов щелочных металлов чрезвычайно высоким удельным сопротивлением при комнатной температуре, обычно на два или три порядка большим, чем сопротив­ ление Cs3Sb. Поэтому практическое применение полупро­ зрачных фотокатодов этого типа ограничено очень малы­ ми фототоками, обычно меньшими Ю - 8 а. В противном случае необходимо использовать полупрозрачную прово­ дящую подложку.

Наиболее вероятное объяснение высокого сопротив­ ления КгСэБЬ фотокатода состоит в низкой концентра­ ции дефектов в этом материале. Как уже отмечалось, в антимонидах щелочных металлов дефекты обычно свя­ заны с отклонением состава соединения от точного стехиометрического отношения 3: 1. Таким образом, следует предположить, что равновесное соединение K^CsSb бли­ же к точному стехиометрнческому составу, чем соедине­ ния других антимонидов щелочных металлов. Однако остается неясным вопрос, почему в случае KzCsSb наи­ более стабильное соединение ближе к точному отноше­ нию 3 : 1 , чем для других антимонидов щелочных ме­ таллов.

6-3. Rb-Cs-Sb ФОТОКАТОД

Кроме рассмотренных материалов, в литературе со­ общается еще только об одном бищелочном фотокатоде, представляющем соединение Rb и Cs с сурьмой. Rb-Cs-Sb фотокатод впервые был описан Каневым 'и др. [Л. 161, 162], а позднее Морисоиом [Л. 163] и Едлнчкон и Видимом [Л. 164]. Последние авторы нашли, что кван­ товый выход и длинноволновая граница Rb-Cs-Sb фото­ катода увеличиваются при поверхностном окислении ана­ логично Cs3Sb и F^CsSb фотокатодам.

Не сообщалось никаких экспериментальных данных относительно стехиометрического состава Rb-Cs-Sb фо­ токатода, а квантовый выход и длинноволновая граница фотоэмиссии, по-видимому, не сильно отличаются от со­ ответствующих величин для Cs3Sb фотокатода. Поэтому в настоящее время трудно сказать, представляет ли этот фотокатод четко определенный многощелочной материал

и

имеет

ли он какие-либо преимущества по сравнению

с

Cs3Sb

фотокатодом в практическом отношении.