Файл: Левитин И.Б. Инфракрасная техника.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 21.06.2024

Просмотров: 129

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Возникающее в активном веществе (инверсной среде) индуцированное излучение чрезвычайно усиливается бла­ годаря многократному прохождению через среду, причем сохраняется фаза и обеспечивается когерентность излу­ чения.

В оптическом резонаторе происходят ряд сложных яв­ лений (усиление и потеря мощности, образование спектра частот, временная задержка и т. д.), рассматриваемых в специальных работах [13, 28].

Приведем очень краткие сведения о некоторых видах

ОКГ, являющихся источниками инфракрасных

излу­

чений.

 

Газовые ОКГ. Активная (инверсная) среда этих

ОКГ

находится в газовой фазе (в виде собственно газов или па­ ров твердых и жидких веществ). Из всех видов ОКГ газо­ вые ОКГ создают наибольшую монохроматичность и наи­ меньший угол расхождения пучка (порядка Г).

Активный элемент газового ОКГ представляет собой кварцевую трубку диаметром от 1 мм до нескольких санти • метров, длиной от нескольких сантиметров до нескольких метров. Трубка откачивается на вакуумной установке, заполняется рабочей смесью газов и устанавливается ме­ жду зеркалами оптического резонатора. Накачка инверс­ ной среды осуществляется главным образом в плазме газового разряда в процессе ступенчатого возбуждения ато­ мов, причем механизмы создания инверсии весьма много­ образны [13].

Примером газового ОКГ непрерывного действия, ис­

пускающего

коротковолновое инфракрасное излучение

с К= 1,15

мкм, может служить гелий—-неоновый ОКГ

типа ЛГ-34, выпускаемый серийно нашей промышлен­

ностью. Однако мощность

излучения

этого лазера на ука­

занной выше

длине

волны

невелика

и

составляет

(Зч-5)-10~3 Вт. Гораздо

большую

мощность

инфракрас­

ного излучения

с длиной

волны

А, =

1,06

мкм

(до 104 Вт)

создает молекулярный газовый ОКГ непрерывного дейст­

вия на смеси С 0 2

-f- N 2 . Лазеры на смеси углекислого

газа

и азота обладают

очень высоким к. п. д. (до 15%);-

к их

достоинствам относится также удобная для прохождения через толщу атмосферы длина волны излучения, обеспе­ чивающая наименьшие потери и помехи.

Краткие технические данные упомянутых газовых ла­ зеров приведены в табл. 6.

36


На и м е н о в а н и е

ОК Г

Газовый ОКГ на смеси

Н е + Ne типа ЛГ-34 Газовый О К Г

на смеси C 0 2 + N 2

Твердотелыіыі'1 ОКГ на стекле с неодимом

типа ГСИ-1 П о л у п р о в о д ­

никовый ОК Г на а р с е н н д е галлия

типа «Луч-З»

to

 

"

работы

волны 1мкм

Длина чения,

Режим

J

 

1,15

Н е п р е ­

 

рывный

1,06

То ж е

1,06

Импульс ­

 

ный,

 

т к 1 0 — 3 с

0,84

Импульс ­

 

ный,

 

т = 2-:-3

 

МКС

з-

>. изл

:ть Огп

Х

SІ «S

2 а

(5 - И5)Х Х Ю _ 3

до 10'

10'

10

гаи

га S

га -

О. га

пучр ОКГ,

о >,

1- С

 

 

К

Днамет выходе

Плоски хожден мин

6

6—10

20-80 1-10

8X45

ЗѲ

—•

Таблица 6

à

•>

« _

атура

et

Темпер ного ве

 

Комнат­

0,01

ная

 

Комнат­

10—20

ная;

 

о х л а ж ­

 

дение

 

водой

0,1

Комнат­

ная

 

77 К

Н е ­

 

сколько

 

десят­

 

ков

ОКГ на твердом теле. В твердотельных лазерах актив­ ной средой является кристаллический или аморфный ди­ электрик обычно в форме цилиндра или четырехгранной призмы. Размеры активных элементов твердотельных ОКГ невелики; длина от нескольких сантиметров до 50—60 см, поперечник — от нескольких миллиметров до 2—3 см.

Принципиальное различие твердотельных ОКГ от га­ зовых состоит в гораздо более высокой (на несколько по­ рядков выше) концентрации активных частиц в твердом материале, что создает гораздо большую инверсную засе­ ленность, чем в газовой среде.

В твердотельных ОКГ инверсия осуществляется опти­ ческой накачкой — интенсивным облучением активного материала излучением внешнего источника со специально подобранным спектральным составом. Система оптической накачки состоит из импульсной ксеноновой газоразрядной лампы накачки и светооптической арматуры, концентри­ рующей лучистый поток накачки на активном элементе. Эффективность излучения накачки определяется долей лу­ чистого потока лампы накачки, поглощаемой в активном веществе.

37


Примером твердотельного ОКГ инфракрасного излуче­ ния является лазер на стекле с неодимом типа ГСИ-1 с дли­ ной волны излучения X = 1,06 мкм, работающий в импульс­ ном режиме ( с т л ; Ю - 3 с) и с мощностью излучения порядка 105 Вт. Схема устройства твердотельного ОКГ по­ казана на рис. 13.

В большинстве твердотельных ОКГ в качестве актива­ торов, вводимых в основное вещество (матрицу) активного элемента, используют ионы редкоземельных элементов

\хладоагент

Источник

ІХладоагент

 

питания

 

Рис. 13.. Схема устройства

твердотельного ОКГ

(неодима, самария, диспрозия, эрбия, гольмия и празео­ дима). Содержание активатора в матрице составляет от 0,005 до 1%.

В табл. 7 приведены основные параметры некоторых

твердотельных ОКГ инфракрасного излучения

[13].

Полупроводниковые ОКГ. В полупроводниковых ОКГ

инверсная заселенность создается в р—я-переходе,

причем

условия ее получения зависят от типа рабочего

перехода.

В наиболее распространенных полупроводниковых

лазе­

рах используются прямые переходы.

 

 

Отражающие поверхности в этих лазерах создаются обычно на границе раздела кристалла с воздухом; для этого противоположные грани кристалла тщательно по­ лируются или скалываются по кристаллографическим пло­ скостям. При этом благодаря большому показателю прелом­

ления (я > 3) достигается коэффициент отражения

более

0,3, позволяющий получить значительное излучение

даже

38

 

 

 

 

Таблица 7

 

 

Д л и н а

Эффективная

Рабочая

Активатор

Матрица

волны

излуче­

полоса погло­

температура,

 

 

ния, мкм

щения, мкм

К

Сг3 +

CaW04

1,06

0,5—0,6

77; 300

 

SrWO.1

1,06

0,5—0,6

77; 300

Nd3 +

Бариевое

1,06

0,56-0,58

300

 

стекло

1,05

0,56—0,58

77; 300

 

CaFjj

 

SrF 2

1,04

0,5—0,6

300

 

BaF3

1,06

0,5—0,6

77

 

СаМо04

1,06

0,5—0,6

77; 300

 

PbMoO.!

1,06

0,5—0,6

300

Dy2 +

CaF2

2,36

0,8—1,0

77

Ег3 +

CaW04

1,61

0,28; 0,52

77

 

CaF2

1,62

0,35; 0,52

77

 

 

 

0,62

На3 +

CaWO*

2,05

0,44—0,46

77

и 3 +

CaF2

2,09

0,40—0,66

77

CaF2

2,6

0,5—0,6

77

 

BaF2

2,6

1,1—1,5

77

 

SrF 2

2,4

0,4—0,6

 

 

 

 

1,0—1,3

77

Рг3 +

CaW04

1,05

0,45—0,49

77

 

SrMo02

1,05

0,45—0,49

77

УЬ3 +

Силикатное

1,015

0,58

77

 

стекло

 

 

 

при очень малой длине активной среды (составляющей де­ сятые доли миллиметра).

Примером полупроводникового ОКГ инфракрасного из­ лучения является инжекционный лазер на арсениде галлия

(GaAs)

типа «Луч-3» с

длиной

волны

излучения % —

= 0,84 мкм, работающий

в импульсном

режиме с мощ­

ностью

излучения 10 Вт. Схема

этого лазера показана на

рис. 14, где / — полированные торцовые поверхности; 2 — область р-типа; 3 — область я-типа; 4 — электрические проводники; 5 — молибденовая пластина, покрытая слоем золота; 6 — переход; 7 — излучение. Активным вещест­ вом является монокристалл GaAs в форме куба или парал­ лелепипеда со сторонами длиной в несколько десятых мил­ лиметра. Две боковые грани, строго параллельные и по­ лированные с высокой точностью, являются открытым

39



резонатором, через который выходит индуцированное из­

лучение. Две другие боковые грани скошены,

и генерация

между ними не возникает. В арсениде галлия

р—п-переход

создается посредством

диффузии акцепторных

примесей

(Cd,

Zn и др.) в материал, имеющий донорные

примеси

(Se,

Те и др.). Переход

расположен приблизительно посе­

редине между гранями, к которым подведены контакты цепи. Для обеспечения надежного электрического кон­ такта с /г-областыо диод припаивается к массивной пла

стине 5 из молибдена, покрытой

слоем золота.

На поверх­

 

 

 

 

 

 

 

ность р-области

наносится

 

 

 

 

 

 

слой

сплава

золота с сере­

 

 

 

 

 

 

 

бром.

Лазер

работает при

 

 

 

 

 

 

температуре жидкого

азота

 

 

 

 

 

 

 

(77 К) или жидкого

гелия

 

 

 

 

 

 

 

(4,2

К).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Кроме арсенида галлия,

 

 

 

 

 

 

для

изготовления

полупро­

 

 

 

 

 

 

 

водниковых

ОКГ

исполь­

 

 

 

 

 

 

 

зуются

другие

материалы

Рис.

14.

Схема

полупроводнико­

и другие

способы

накачки

вого

лазера

типа

«Луч-3»

 

(накачка электронным пуч­

 

 

 

 

 

 

 

ком, двухфотонное возбуж­

дение и т. д.). В табл. 8 приведены материалы,

применяемые

для

изготовления

инфракрасных

 

полупроводниковых

ОКГ [1], а также соответствующие

длины

волн их

излучения.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Таблица 8

 

 

 

 

Полупроводнио л у п р о в о д н ик

 

 

 

 

 

Длин а

волны

 

 

 

 

 

 

 

 

излучения, мкм

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Инжекционные лазеры на

р—л-переходе

 

 

 

 

 

Арсенид

галлия

GaAs

 

 

 

 

 

 

 

 

0,85

Антимонид галлия

QaSb

 

 

 

 

 

 

 

0,9

 

 

 

 

 

 

 

1,6

Арсенид ИНДИЯ

 

InAs

 

 

 

 

 

 

 

 

3,2

Сульфид свинца PbS

 

 

 

 

 

 

 

 

4,3

Антимонид индия

InSb

 

 

 

 

 

 

 

 

5,3

Теллурид

свинца

РЬТе

 

 

 

 

 

 

 

 

6,5

Селенид свинца

PbSe

 

 

 

 

 

 

 

 

8,5

Арсенид-фосфид

галлия Qa (As +

Р)

 

 

 

 

 

0,65—0,9

Арсенид-фосфид

индия

In (As +

Р)

 

 

 

 

 

 

0,9—3,2

Лазеры с электронным возбуждением

0,85

40