ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 21.06.2024
Просмотров: 129
Скачиваний: 0
Возникающее в активном веществе (инверсной среде) индуцированное излучение чрезвычайно усиливается бла годаря многократному прохождению через среду, причем сохраняется фаза и обеспечивается когерентность излу чения.
В оптическом резонаторе происходят ряд сложных яв лений (усиление и потеря мощности, образование спектра частот, временная задержка и т. д.), рассматриваемых в специальных работах [13, 28].
Приведем очень краткие сведения о некоторых видах
ОКГ, являющихся источниками инфракрасных |
излу |
чений. |
|
Газовые ОКГ. Активная (инверсная) среда этих |
ОКГ |
находится в газовой фазе (в виде собственно газов или па ров твердых и жидких веществ). Из всех видов ОКГ газо вые ОКГ создают наибольшую монохроматичность и наи меньший угол расхождения пучка (порядка Г).
Активный элемент газового ОКГ представляет собой кварцевую трубку диаметром от 1 мм до нескольких санти • метров, длиной от нескольких сантиметров до нескольких метров. Трубка откачивается на вакуумной установке, заполняется рабочей смесью газов и устанавливается ме жду зеркалами оптического резонатора. Накачка инверс ной среды осуществляется главным образом в плазме газового разряда в процессе ступенчатого возбуждения ато мов, причем механизмы создания инверсии весьма много образны [13].
Примером газового ОКГ непрерывного действия, ис
пускающего |
коротковолновое инфракрасное излучение |
с К= 1,15 |
мкм, может служить гелий—-неоновый ОКГ |
типа ЛГ-34, выпускаемый серийно нашей промышлен
ностью. Однако мощность |
излучения |
этого лазера на ука |
||||
занной выше |
длине |
волны |
невелика |
и |
составляет |
|
(Зч-5)-10~3 Вт. Гораздо |
большую |
мощность |
инфракрас |
|||
ного излучения |
с длиной |
волны |
А, = |
1,06 |
мкм |
(до 104 Вт) |
создает молекулярный газовый ОКГ непрерывного дейст
вия на смеси С 0 2 |
-f- N 2 . Лазеры на смеси углекислого |
газа |
и азота обладают |
очень высоким к. п. д. (до 15%);- |
к их |
достоинствам относится также удобная для прохождения через толщу атмосферы длина волны излучения, обеспе чивающая наименьшие потери и помехи.
Краткие технические данные упомянутых газовых ла зеров приведены в табл. 6.
36
На и м е н о в а н и е
ОК Г
Газовый ОКГ на смеси
Н е + Ne типа ЛГ-34 Газовый О К Г
на смеси C 0 2 + N 2
Твердотелыіыі'1 ОКГ на стекле с неодимом
типа ГСИ-1 П о л у п р о в о д
никовый ОК Г на а р с е н н д е галлия
типа «Луч-З»
to |
|
" |
работы |
волны 1мкм |
|
Длина чения, |
Режим |
J |
|
1,15 |
Н е п р е |
|
рывный |
1,06 |
То ж е |
1,06 |
Импульс |
|
ный, |
|
т к 1 0 — 3 с |
0,84 |
Импульс |
|
ный, |
|
т = 2-:-3 |
|
МКС |
з-
>. изл
:ть Огп
Х
SІ «S
2 а
(5 - И5)Х Х Ю _ 3
до 10'
10'
10
гаи
га S |
га - |
|
О. га |
||
пучр ОКГ, |
о >, |
|
1- С |
||
|
||
|
К |
|
Днамет выходе |
Плоски хожден мин |
|
6 |
6—10 |
|
20-80 1-10 |
||
8X45 |
ЗѲ |
|
—• |
— |
Таблица 6
à
•>
« _
атура |
et |
|
Темпер ного ве |
||
• |
||
|
||
Комнат |
0,01 |
|
ная |
|
|
Комнат |
10—20 |
|
ная; |
|
|
о х л а ж |
|
|
дение |
|
|
водой |
0,1 |
|
Комнат |
||
ная |
|
|
77 К |
Н е |
|
|
сколько |
|
|
десят |
|
|
ков |
ОКГ на твердом теле. В твердотельных лазерах актив ной средой является кристаллический или аморфный ди электрик обычно в форме цилиндра или четырехгранной призмы. Размеры активных элементов твердотельных ОКГ невелики; длина от нескольких сантиметров до 50—60 см, поперечник — от нескольких миллиметров до 2—3 см.
Принципиальное различие твердотельных ОКГ от га зовых состоит в гораздо более высокой (на несколько по рядков выше) концентрации активных частиц в твердом материале, что создает гораздо большую инверсную засе ленность, чем в газовой среде.
В твердотельных ОКГ инверсия осуществляется опти ческой накачкой — интенсивным облучением активного материала излучением внешнего источника со специально подобранным спектральным составом. Система оптической накачки состоит из импульсной ксеноновой газоразрядной лампы накачки и светооптической арматуры, концентри рующей лучистый поток накачки на активном элементе. Эффективность излучения накачки определяется долей лу чистого потока лампы накачки, поглощаемой в активном веществе.
37
Примером твердотельного ОКГ инфракрасного излуче ния является лазер на стекле с неодимом типа ГСИ-1 с дли ной волны излучения X = 1,06 мкм, работающий в импульс ном режиме ( с т л ; Ю - 3 с) и с мощностью излучения порядка 105 Вт. Схема устройства твердотельного ОКГ по казана на рис. 13.
В большинстве твердотельных ОКГ в качестве актива торов, вводимых в основное вещество (матрицу) активного элемента, используют ионы редкоземельных элементов
\хладоагент |
Источник |
ІХладоагент |
|
питания |
|
Рис. 13.. Схема устройства |
твердотельного ОКГ |
(неодима, самария, диспрозия, эрбия, гольмия и празео дима). Содержание активатора в матрице составляет от 0,005 до 1%.
В табл. 7 приведены основные параметры некоторых
твердотельных ОКГ инфракрасного излучения |
[13]. |
|
Полупроводниковые ОКГ. В полупроводниковых ОКГ |
||
инверсная заселенность создается в р—я-переходе, |
причем |
|
условия ее получения зависят от типа рабочего |
перехода. |
|
В наиболее распространенных полупроводниковых |
лазе |
|
рах используются прямые переходы. |
|
|
Отражающие поверхности в этих лазерах создаются обычно на границе раздела кристалла с воздухом; для этого противоположные грани кристалла тщательно по лируются или скалываются по кристаллографическим пло скостям. При этом благодаря большому показателю прелом
ления (я > 3) достигается коэффициент отражения |
более |
0,3, позволяющий получить значительное излучение |
даже |
38
|
|
|
|
Таблица 7 |
|
|
Д л и н а |
Эффективная |
Рабочая |
Активатор |
Матрица |
волны |
||
излуче |
полоса погло |
температура, |
||
|
|
ния, мкм |
щения, мкм |
К |
Сг3 + |
CaW04 |
1,06 |
0,5—0,6 |
77; 300 |
|
SrWO.1 |
1,06 |
0,5—0,6 |
77; 300 |
Nd3 + |
Бариевое |
1,06 |
0,56-0,58 |
300 |
|
стекло |
1,05 |
0,56—0,58 |
77; 300 |
|
CaFjj |
|||
|
SrF 2 |
1,04 |
0,5—0,6 |
300 |
|
BaF3 |
1,06 |
0,5—0,6 |
77 |
|
СаМо04 |
1,06 |
0,5—0,6 |
77; 300 |
|
PbMoO.! |
1,06 |
0,5—0,6 |
300 |
Dy2 + |
CaF2 |
2,36 |
0,8—1,0 |
77 |
Ег3 + |
CaW04 |
1,61 |
0,28; 0,52 |
77 |
|
CaF2 |
1,62 |
0,35; 0,52 |
77 |
|
|
|
0,62 |
|
На3 + |
CaWO* |
2,05 |
0,44—0,46 |
77 |
и 3 + |
CaF2 |
2,09 |
0,40—0,66 |
77 |
CaF2 |
2,6 |
0,5—0,6 |
77 |
|
|
BaF2 |
2,6 |
1,1—1,5 |
77 |
|
SrF 2 |
2,4 |
0,4—0,6 |
|
|
|
|
1,0—1,3 |
77 |
Рг3 + |
CaW04 |
1,05 |
0,45—0,49 |
77 |
|
SrMo02 |
1,05 |
0,45—0,49 |
77 |
УЬ3 + |
Силикатное |
1,015 |
0,58 |
77 |
|
стекло |
|
|
|
при очень малой длине активной среды (составляющей де сятые доли миллиметра).
Примером полупроводникового ОКГ инфракрасного из лучения является инжекционный лазер на арсениде галлия
(GaAs) |
типа «Луч-3» с |
длиной |
волны |
излучения % — |
= 0,84 мкм, работающий |
в импульсном |
режиме с мощ |
||
ностью |
излучения 10 Вт. Схема |
этого лазера показана на |
рис. 14, где / — полированные торцовые поверхности; 2 — область р-типа; 3 — область я-типа; 4 — электрические проводники; 5 — молибденовая пластина, покрытая слоем золота; 6 — переход; 7 — излучение. Активным вещест вом является монокристалл GaAs в форме куба или парал лелепипеда со сторонами длиной в несколько десятых мил лиметра. Две боковые грани, строго параллельные и по лированные с высокой точностью, являются открытым
39
резонатором, через который выходит индуцированное из
лучение. Две другие боковые грани скошены, |
и генерация |
|||
между ними не возникает. В арсениде галлия |
р—п-переход |
|||
создается посредством |
диффузии акцепторных |
примесей |
||
(Cd, |
Zn и др.) в материал, имеющий донорные |
примеси |
||
(Se, |
Те и др.). Переход |
расположен приблизительно посе |
редине между гранями, к которым подведены контакты цепи. Для обеспечения надежного электрического кон такта с /г-областыо диод припаивается к массивной пла
стине 5 из молибдена, покрытой |
слоем золота. |
На поверх |
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
ность р-области |
наносится |
||||||
|
|
|
|
|
|
слой |
сплава |
золота с сере |
||||||
|
|
|
|
|
|
|
бром. |
Лазер |
работает при |
|||||
|
|
|
|
|
|
температуре жидкого |
азота |
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
(77 К) или жидкого |
гелия |
||||||
|
|
|
|
|
|
|
(4,2 |
К). |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Кроме арсенида галлия, |
|||||||
|
|
|
|
|
|
для |
изготовления |
полупро |
||||||
|
|
|
|
|
|
|
водниковых |
ОКГ |
исполь |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
зуются |
другие |
материалы |
|||||
Рис. |
14. |
Схема |
полупроводнико |
и другие |
способы |
накачки |
||||||||
вого |
лазера |
типа |
«Луч-3» |
|
(накачка электронным пуч |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
ком, двухфотонное возбуж |
|||||||
дение и т. д.). В табл. 8 приведены материалы, |
применяемые |
|||||||||||||
для |
изготовления |
инфракрасных |
|
полупроводниковых |
||||||||||
ОКГ [1], а также соответствующие |
длины |
волн их |
||||||||||||
излучения. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Таблица 8 |
|
|
|
|
|
Полупроводнио л у п р о в о д н ик |
|
|
|
|
|
Длин а |
волны |
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
излучения, мкм |
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
Инжекционные лазеры на |
р—л-переходе |
|
|
|
|
|
|||||||
Арсенид |
галлия |
GaAs |
|
|
|
|
|
|
|
|
0,85 |
|||
Антимонид галлия |
QaSb |
|
|
|
|
|
|
|
0,9 |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
1,6 |
|||||||
Арсенид ИНДИЯ |
|
InAs |
|
|
|
|
|
|
|
|
3,2 |
|||
Сульфид свинца PbS |
|
|
|
|
|
|
|
|
4,3 |
|||||
Антимонид индия |
InSb |
|
|
|
|
|
|
|
|
5,3 |
||||
Теллурид |
свинца |
РЬТе |
|
|
|
|
|
|
|
|
6,5 |
|||
Селенид свинца |
PbSe |
|
|
|
|
|
|
|
|
8,5 |
||||
Арсенид-фосфид |
галлия Qa (As + |
Р) |
|
|
|
|
|
0,65—0,9 |
||||||
Арсенид-фосфид |
индия |
In (As + |
Р) |
|
|
|
|
|
|
0,9—3,2 |
Лазеры с электронным возбуждением
0,85
40