Файл: Филяев А.Т. Исследование износостойкости сталей, упрочненных наклепом.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 27.06.2024
Просмотров: 71
Скачиваний: 0
счетчике соответствовал 80 мм записи на диаграмме. Для определения остаточных напряжений и размера блоков мозаики выбраны интерференционные линии от кристал лографических плоскостей (ПО), (211), (220). Интерфе
ренционная линия |
(2 1 1 ) взята дополнительно иногда из- |
за слабой интенсивности линии (2 2 0 ). |
|
Величина остаточных напряжений, характер их изме |
|
нений, структурное |
и субструктурное состояния металла |
вместе с механическими свойствами являются основными
факторами, влияющими на ин |
|
|
|
|
/ |
|||
тенсивность изнашивания дета |
|
|
/ |
* |
||||
лей машин, |
их надежность и |
г |
Н |
^ |
. Д |
|
||
долговечность. Поэтому иссле |
|
|||||||
|
|
|
_______L - |
4-1 |
||||
дования до установлению зави |
|
|
|
|||||
|
|
|
"V |
|||||
симости изменения остаточных |
|
|
~]-------- |
|
||||
напряжений и размера блоков — |
|
|
|
|||||
|
|
|
1- f |
|||||
от технологических режимов |
|
|
---------- \6 |
S |
||||
|
|
|
|
|
|
—і |
|
|
Рис. 26. Схема рентгеновской съемки |
|
|
|
|
|
|||
с цилиндрической |
поверхности |
дета |
|
|
|
|
|
|
ли: а—первичный рентгеновский луч; |
|
|
|
|
|
|||
б — отраженный |
рентгеновский |
луч. |
|
|
|
|
|
|
/ — образец; 2 — шестеренчатая |
пе |
|
|
|
|
|
||
редача; 3 — опорная плита; 4 — элек |
|
|
|
|
|
|||
тродвигатель; |
5 — подвижной лимб; |
|
|
|
|
|
||
6 — корпус; |
7 — счетчик |
|
|
|
|
|
|
обработки стальной поверхности роликами позволили более подробно изучить (на одних и тех же образцах) взаимосвязь элементов тонкой кристаллической структу ры сталей с механическими и физическими свойствами, полученными при разной степени предварительного на клепа. Микроскопический и электронноскопический ана лизы, а также измерение твердости облегчили решение поставленной задачи. Остаточные напряжения и блочность структуры определялись по методике Г. В. Курдюмова и Л. И. Лысака [101, 102].
Напряжения I рода оценивались по изменению брегговского угла Ѳ, а II — по уширеншо одной из задних интерференционных линий (ß2) или (ß3).
93
Сумма главных остаточных напряжений первого рода равна:
ДD |
Е |
ctg ѲДѲ, |
|
|
— |
(34) |
|
D |
И |
|
|
|
|
|
|
где Е — модуль упругости 2 - ІО4 |
кГ/мм2\ р, — коэффици |
||
ент Пуассона 0,3; AD/D — относительное изменение |
|||
межплоскостного расстояния |
исследуемого материала; |
Ѳ — брегговский угол, соответствующий взятым интерфе ренционным линиям; ДѲ — изменение брегговского угла за счет остаточных напряжений первого рода, рад.
Расчет остаточных напряжений первого рода сводится к рентгенографическому определению АѲ.
Расстояние L интерференционной линии на диаграмме
замерялось от одного |
и того же угла при записи. Изме |
|||
нение расстояния |
ДL по отношению к эталону отвечало |
|||
изменению брегговского угла ДѲ. |
|
|||
В данном случае 1 |
мм записи на диаграмме при ДѲ = |
|||
AL |
1 |
, |
|
напряжению: |
------------------- рад |
соответствовал |
|||
2-80 |
57,3 |
|
|
|
|
2- ІО4 |
1 |
кГ/млР, |
|
|
|
• 0,836. |
||
|
0,28 |
160-57,3 |
т. е. изменение записи на 1 мм соответствует 6,51 кГ/мм2. Междублетное расстояние с поправкой на Каі—а2 дублет для интерференционных линий найдено из выра
жения
б' = 2R - у - tg Ѳ, |
(35)і |
где |
|
ДЛ = Xа3 |
|
R — радиус записи, равный для УРС-50И |
160 мм (рас |
стояние от образца до щели счетчика); Ä, |
— длины |
волн кобальтового излучения, соответственно равные 1,78890’
о |
— брегговский |
угол, |
соответствующий: |
и 1,79279 А; Ѳ |
|||
интерференционным линиям (ПО), |
(2 1 1 ), |
(2 2 0 ). |
|
Для железа |
Ѳ(цо) = 20°12/, Ѳ(2 іі) = 50°6', Ѳ(2 2 0 ) = 62о18/. |
Углы для сталей найдены по формуле Вульфа—Брегга для кубической решетки
зіпѲ= Т 1 (Л2 + * 2 + <М. Об),
94
где а — параметр |
|
|
о |
h, |
k, |
решетки железа, равный 2,86 А; |
|||||
е — индексы соответствующих |
интерференционных |
линий; |
|||
б(по) = 0,344 мм\ |
6 (2 іі) = 0,832 мм\ б(2 2 0 ) = 1,325 мм. |
с |
|||
Междублетное |
расстояние за счет К а _ а„ излучения |
||||
учетом масштаба записи |
|
|
|
||
|
6 = 6 ' 2nR360 |
• 80 мм. |
|
|
|
Остаточные напряжения II рода и величина |
блоков |
||||
найдены по формулам: |
|
|
|
||
а„ = Е |
Аа |
■кГ/см-', |
(37) |
||
-----= Е ■ |
|||||
|
|
4R tg Ѳ |
|
|
|
D = |
X |
іо-ад |
(38) |
||
т- cos Ѳ |
--------- Д см, |
||||
|
|
т- cos Ѳ |
|
|
где п — удшрение интерференционных линий за счет на пряжений II рода; т — уширение интерференционных
линий за счет дисперсности |
блоков; Дa ja — относитель |
ное изменение параметра |
кристаллической решетки за |
счет напряжений II рода; R — радиус записи, равный для |
УРС-50И 160 мм (расстояние от образца до щели счет чика); X— длина волны излучения А'а—Со.
Для определения величины напряжении II рода и за мера блоков был применен метод аппроксимации. Рас пределение интенсивности с некоторым приближением согласуется с теоретическими кривыми функций:
R
II
У= (1 + ах1) х;
У= (1 + ах2)-3,
(39)
(40)
(41)
построенными в том же масштабе, что и эксперименталь ная кривая. Опытным путем (наложением) было установ лено, что распределение интегральной интенсивности / интерференционных линий (ПО), (2 1 1 ), (2 2 0 ) лучше все
го согласуется с распределением интенсивности по кри вой функции Гаусса (39).
Как отмечено выше, уширение интерференционных ли ний обусловлено наличием в отражающем объеме микро-
95
искажений решетки и когерентно рассеивающих блоков малых размеров (ПО).
Ширина интерференционных линий была определена путем измерения интегральной интенсивности с помощью планиметра и последующего деления полученной площа ди на максимальную интенсивность: B' = S/H.
Средняя интегральная |
ширина |
интерференционных |
||
линий с учетом масштаба записи: |
|
|||
В = |
RB» |
RB1 |
0,0349 В\ |
|
57,3 |
80-57,3 ■= |
|||
|
Рис. 2/. Зависимости для определения поправки на |
А’ дублет (а) |
и истинного уширения лнниіі для кривой вида |
е~ах'(б) |
где В° = В'180 — угловая ширина интерференционных линий, град.
Средняя интегральная ширина интерференционных линий с поправкой на К а _ а дублет функции
во
~В~ |
(42) |
|
представлена на рис. 27.
Истинное уширеине линий за счет остаточных напря жений II рода и блочиости структуры определено из вы
ражений: ß2 = 5 0—bl |
(43) |
1 |
|
В |
|
где В0, Ь0— ширина линий образца и эталона с учетом |
по |
правки на Ка _а дублет (рис. 31). В свою очередь |
ß = |
= f{tn, п), т, п — уширение линии за счет дисперсности блока и микроскопических напряжений.
9 6
Для теоретической кривой (39)
ß2 = ma _|_ |
(44) |
При аналитическом разделении т и я использована различная угловая зависимость расширения, вызванного дисперсностью и микроискажениями. Этот метод раз дельного распределения микроискажений и размеров блоков впервые был предложен Делингером и Кохендорфером [45]
где 1 и 2 — индексы, относящиеся к первой и второй рас
сматриваемым линиям. Из системы уравнений (45) — (48) найдены значения т и я для соответствующих ин терференционных линий.
При определении минимальной плотности дислокаций было сделано допущение, что на поверхности блока име ется я дислокаций, в этом случае длина дислокационной линии, приходящейся на один блок, 6 яП/2 , а их плот
ность, выраженная через размер частиц,
6iiD |
Ъп |
2 D * |
(49) |
' |
При числе блоков в единице объема, равном 1/Z)3, я определяется или задается равным единице, что соот ветствует или отожженному состоянию (минимальная плотность дислокаций), или очень сильно деформирован ному состоянию, когда расположение дислокаций ста новится почти хаотическим.
7. Зак. 1200 |
9 7 |
Все эксперименты проведены |
по двум |
вариантам —■ |
для интерференционных линии |
(ПО) н |
(2 1 1 ), ( 1 1 0 ) и |
( 220). |
|
|
Несмотря на то что иаилучшим вариантом для прово димых исследований была комбинация данных по интер ференционным линиям ( 1 1 0 ), (2 2 0 ), иногда из-за слабой
интегральной интенсивности интерференционной линии (2 2 0 ) необходимо было провести для контроля дополни
тельные эксперименты по интерференционной линии
(2 1 1).
Подсчитать абсолютное значение остаточных напря жений второго рода не представилось возможным из-за большого отношения ß5/ß2, превышающего 1 /А. Поэтому
изменение остаточных напряжений второго рода дано как изменение ушпрения задней интерференционной ли нии ß2 или ß3. Следует отметить, что в литературе, как
правило, изменение остаточных напряжении дается как изменение уширения задней интерференционной линии, отвечающей изменению напряжений II рода. Это вызвано еще и тем, что нет данных о величине модулей упругости для отдельных кристаллографических направлений.
Рентгеноструктурпые исследования подтвердили нали чие тесной связи между тонкой кристаллической структу рой, твердостью и износостойкостью деформированного слоя стали. Данные экспериментов и выведенные на их основе зависимости для исследуемых материалов указы вают, что при обкатывании в поверхностном слое растут остаточные напряжения, уменьшается размер блоков и изменяется плотность дефектов кристаллической решетки. Характер изменения макро- и микроискажений решетки аналогичен изменению при объемной деформа ции. Поэтому теория о пластическом деформировании металлов приемлема для объяснения явлений, происхо дящих в поверхностном слое при обкатывании.
Как было отмечено, для объяснения некоторых про цессов, протекающих в металлах и сплавах при обработ ке их пластическим деформированием, все чаще исполь зуется теория дислокаций. Большой ее успех связан с тем, что понятие дислокации очень широко, оно дает воз можность обобщить и объяснить ряд явлений и особен ностей, происходящих в металле. Эта теория использова на для объяснения механизма упрочнения поверхности наклепом. Она позволила высказать предположения о
9 8