Файл: Богомолов А.М. Судовая полупроводниковая электроника.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 30.06.2024

Просмотров: 162

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

ния база — эмиттерпая нагрузка

гб -f (1 -f- р) (гэ +

Rn)

и эквивалентного сопротивления

входного делителя /?б.

Сопротивление гь. к имеет величину 0,5-Д мОм.

В

эмиттерных повторителях постоянного тока входное соп­ ротивление не может быть большим, чем сопротивление

Гб. к. При заданном

сопротивлении внешней

нагрузки

R н сопротивление

(1 + ?) (гэ + #н),

вносимое из

эмиттерной цепи в цепь базы, может

быть

увеличено

только путем увеличения коэффициента усиления тран­ зистора р либо путем многокаскадного включения не­ скольких эмиттерных повторителей.

Однако, чтобы входное сопротивление эмиттерного повторителя могло быть поднято до величины, близкой Гб. к, необходимо также, чтобы сопротивление входного делителя было достаточно большим. Для увеличения эк­ вивалентного сопротивления внешних элементов базо­ вой цепи в эмиттерных повторителях постоянного тока установку рабочей точки выполняют не с помощью дели­ теля, а с помощью вспомогательного источника, вклю­ чаемого последовательно с источником сигнала (рис. 33, а). В этом случае внешнее сопротивление вход­ ной цепи определяется только сопротивлением смещения RCM, необходимым для повышения стабильности усили­ теля.

Для того, чтобы при достаточно большом дифферен­ циальном сопротивлении резистора R 3 величина паде­ ния напряжения на нем была незначительной, это соп­ ротивление должно быть нелинейным, с нелинейностью насыщения.

Таким нелинейным сопротивлением обладает гене­ ратор неизменного тока на транзисторе. Величина со­ противления R 1 (рис. 33, б) подбирается такой, чтобы коллекторный ток транзистора был равен эмиттерному току начальной рабочей точки триода Т\.

Для повышения стабильности усилителя можно включать генератор неизменного тока Тч через перемен­

ный резистор R,

связывающий базовую

и эмиттерную

точки транзистора

Т\ (рис. 33, в).

При этом часть тока

транзистора Т% ответвляется в

базовую

цепь триода

Тх и компенсирует

ток / к. 0,

втекающий в базу транзи­

стора Т\ со стороны коллектора.

 

 

На рис. 33, г изображен усилитель постоянного тока

с двухкаскадным

входным

эмиттерным

повторителем,

85


Рис.

33.

 

Эмиттерные

повторители

постоян­

а

ного тока:

 

эмиттерный

повто­

ритель с источником сме­

щения во

входной

цепи;

б

эмиттерный

повто­

ритель

с

нелинейным

эмиттерным

сопротивле­

нием

на

транзисторном

генераторе

неизменного

тока;

в

применение

вспомогательного

тран­

зистора в эмиттерной це­

пи

для

термокомненса-

ции

основного транзисто­

ра; г — высокостабиль­

ный

 

усилитель

постоян­

 

 

ного

тока

 

в котором используются все перечисленные

 

схемные

приемы. Переменный резистор в коллекторной

цепи

триода Т3 используется для установки начальной рабо­ чей точки выходного транзистора 7Y Этот усилитель мо­ жет иметь входное сопротивление 0,4 мОм при коэффи­ циенте усиления по току 1000 и коэффициенте усиления по напряжению 40.

В эмиттерных повторителях переменного тока высо­ кое входное сопротивление достигается более просто. Для увеличения коэффициента усиления по току может быть использован не одиночный, а составной транзи­ стор, коэффициент усиления которого равен произведе­ нию коэффициентов усиления Pi и Рг входящих в него транзисторов (рис. 34, а). В эмиттерных повторителях постоянного тока составной транзистор использовать трудно ввиду его малой температурной стабильности.

Эмиттерный повторитель переменного тока с состав­ ным транзистором может быть сделан достаточно ста­ бильным, если использовать низкоомный входной дели­ тель. Для того чтобы делитель не шунтировал входную цепь транзистора эмиттерного повторителя, он включа­ ется в базовую цепь не непосредственно, а через сопро-

8 6


Рис. 34. Эмиттерные повторители переменного тока:

а — составной транзистор; б — эмиттерный повторитель с положительной обратной связью в базовую точку; в . — эмиттерный повторитель с поло­ жительной обратной связью в коллекторную точку

тивление связи R3 (рис. 34, б). Если узловую точку де­ лителя соединить с выходом эмиттерного повторителя емкостью связи С, то за счет параллельной положитель­ ной обратной связи сопротивление R3 будет внесено в базовую цепь не с его собственной величиной R3, а с ве­

личиной в ----------

большей.

\ - К а

величине R3 = 5 кОм и Ка =0,99 со­

Например, при

противление, вносимое в базовую цепь цепью делителя, будет равно 500 кОм. Как было указано выше, сопротив­ ление коллекторного перехода ограничивает предел уве­ личения входного сопротивления эмиттерного повторите­ ля. Однако при использовании составного транзистора можно увеличить вносимую величину этого сопротивле­ ния путем применения цепи параллельной положитель­ ной обратной связи, как это показано на рис. 34, в. В этом случае мгновенные напряжения коллекторной и базовой цепи транзистора Ti изменяются синфазно, и ток базы, отбираемый сопротивлением гв. к, уменьшается, что эк­ вивалентно увеличению этого сопротивления. Но, по­ скольку увеличенное таким образом сопротивление кол­ лекторного перехода является результатом изменения не резистивных свойств коллекторного перехода, а ре­ жима работы схемы, это сопротивление называется ка­ жущимся или вносимым. Тем не менее увеличение вно­ симого сопротивления увеличивает предел повышения входного сопротивления эмиттерного повторителя.

Для увеличения входного сопротивления эмиттерно­ го повторителя может быть применена не только парал­

87

лельная положительная обратная связь по напряжению, но также последовательная отрицательная обратная связь по току. Если в качестве элемента обратной связи использовать транзистор, включенный по схеме с общим эмиттером, то за счет усилительных свойств транзисто­ ра обратная связь будет форсирована, то есть усилена.

На рис. 35 изображены схемы эмиттерных повтори­ телей с форсированной отрицательной обратной связью по току. Они отличаются друг от друга конфигурацией, так как в цепях обратной связи этих схем использова­ ны транзисторы прп- и рпр-проводимости. В эмиттерном повторителе с транзистором прп типа в цепи обрат­

ной связи

(рис. 35, а)

эмиттерный ток транзистора Т2

в a\Ki2

раз больше,

чем эмиттерный ток транзистора

Т\ (а\ — коэффициент

усиления Т\ при схеме включения

с общей базой, К[2 — коэффициент усиления по току

усилительного

каскада

на

транзисторе

Т2). Поэтому

суммарный ток эмиттерной нагрузки равен:

 

 

/э . сумм =

/э ! ( 1 - м ЛЬ).

(73)

Ток в базовой цепи транзистора Тi

в (1 + Эi)

раз

меньше, чем

эмиттерный ток

/ эi и, соответственно,

в

(1 + Pi) (1 + (xi/Ci2) раз меньше,

чем ток эмиттерной на­

грузки, а это

равносильно

(если учесть,

что базовое и

эмиттерное напряжения равны) превышению входного сопротивления по отношению к сопротивлению нагрузки

в (1 -г-

р,) (1 + а, Къ)

раз.

 

 

каскада

Т2 зави­

Поскольку коэффициент усиления

сит от соотношения сопротивлений RKi

и R 32,

то

целе­

сообразно сопротивление RKi

увеличивать,

a R32

умень­

шать.

При отрицательной обратной

связи

по току вы­

ходное

сопротивление

транзистора

Т\

в рассматривае­

мой схеме существенно выше,

чем

в обычном эмиттер-

ном повторителе. Однако, поскольку уменьшение эмиттерного тока транзистора Тх покрывается значительным током транзистора Т2, то суммарное выходное сопротив­ ление этой схемы оказывается ниже, чем в обычном эмиттерном повторителе.

Эмиттерный повторитель с последовательным вклю­ чением транзистора форсированной обратной связи име­ ет низкое выходное сопротивление не только в сторону шины коллекторного питания, но также и в сторону об-

8 8


Рнс. 35. Эмиттерные повторители с форсированной отрица­ тельной обратной связью по току:

а

— с вспомогательным транзистором обратной проводимости; б

 

с вспомогательным транзистором одинакового типа проводимости

щей

шины, благодаря действию транзистора обратной

связи Т2 (рис. 35, б ).

Транзистор Т2 в этой схеме можно рассматривать как управляемое сопротивление нагрузки эмиттерной цепи. Существенного увеличения входного сопротивле­ ния форсированная обратная связь здесь не дает.

§ 7. Выходные каскады усилительных схем (усилители мощности)

Особенностью выходных каскадов усилительных схем является их большая мощность, то есть их работа при больших напряжениях и токах. Наиболее важным качеством выходных каскадов является их высокий КПД. Для достижения высокого КПД в выходных кас­ кадах преимущественно используются двухтактные схе­ мы класса В. С предыдущим каскадом и с нагрузкой вы­ ходные каскады обычно соединяются через трансформа­ торные цепи связи [10].

Расчет выходных каскадов выполняют с целью найти оптимальные коэффициенты трансформации входного

89

и выходного трансформаторов и максимальные элект­ рические и тепловые нагрузки на транзисторы каскада. Делают расчет на основании заданных величин сопро­ тивления нагрузки R Hи мощности в нагрузке Рн [4].

Вначале, задаваясь коэффициентом полезного дей­ ствия выходного трансформатора т)тр, определяют ко­ лебательную мощность, потребляемую трансформато­ ром в коллекторной цепи транзистора:

Рп = - -

(74)

4тр

 

В двухтактной схеме эта мощность в два раза мень­ ше, так как в раскачке нагрузки принимают участие два транзистора:

Р

(75)

 

2п1тр

Для полной раскачки нагрузки транзистор должен отдавать колебательную мощность Р~, равную колеба­ тельной мощности, потребляемой трансформатором, то есть:

Р~ = Рп.

(76)

В каскаде класса А при активной нагрузке (рис. 36) колебательная мощность отдаваемая транзистором в трансформатор, равна:

UK.

i к. т . макс

и к.,

/к .,

(77)

V 2

1/2

 

 

 

 

 

 

 

Поскольку в любых трансформаторных каскадах

 

Vk. т. макс

 

7 /к. j

 

 

и, кроме того, в каскаде класса А

 

 

 

 

JL /

 

(78)

 

/ к . т. м акс 2

У К. догт ,

 

то

Р. ДОП II*. доп

 

 

 

 

Р~ =

=

Р'п =

Р п

(79)

 

8

 

 

^ т р

 

90