Файл: Богомолов А.М. Судовая полупроводниковая электроника.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 30.06.2024
Просмотров: 162
Скачиваний: 0
ния база — эмиттерпая нагрузка |
гб -f (1 -f- р) (гэ + |
Rn) |
и эквивалентного сопротивления |
входного делителя /?б. |
|
Сопротивление гь. к имеет величину 0,5-Д мОм. |
В |
эмиттерных повторителях постоянного тока входное соп ротивление не может быть большим, чем сопротивление
Гб. к. При заданном |
сопротивлении внешней |
нагрузки |
|
R н сопротивление |
(1 + ?) (гэ + #н), |
вносимое из |
|
эмиттерной цепи в цепь базы, может |
быть |
увеличено |
только путем увеличения коэффициента усиления тран зистора р либо путем многокаскадного включения не скольких эмиттерных повторителей.
Однако, чтобы входное сопротивление эмиттерного повторителя могло быть поднято до величины, близкой Гб. к, необходимо также, чтобы сопротивление входного делителя было достаточно большим. Для увеличения эк вивалентного сопротивления внешних элементов базо вой цепи в эмиттерных повторителях постоянного тока установку рабочей точки выполняют не с помощью дели теля, а с помощью вспомогательного источника, вклю чаемого последовательно с источником сигнала (рис. 33, а). В этом случае внешнее сопротивление вход ной цепи определяется только сопротивлением смещения RCM, необходимым для повышения стабильности усили теля.
Для того, чтобы при достаточно большом дифферен циальном сопротивлении резистора R 3 величина паде ния напряжения на нем была незначительной, это соп ротивление должно быть нелинейным, с нелинейностью насыщения.
Таким нелинейным сопротивлением обладает гене ратор неизменного тока на транзисторе. Величина со противления R 1 (рис. 33, б) подбирается такой, чтобы коллекторный ток транзистора был равен эмиттерному току начальной рабочей точки триода Т\.
Для повышения стабильности усилителя можно включать генератор неизменного тока Тч через перемен
ный резистор R, |
связывающий базовую |
и эмиттерную |
||
точки транзистора |
Т\ (рис. 33, в). |
При этом часть тока |
||
транзистора Т% ответвляется в |
базовую |
цепь триода |
||
Тх и компенсирует |
ток / к. 0, |
втекающий в базу транзи |
||
стора Т\ со стороны коллектора. |
|
|
||
На рис. 33, г изображен усилитель постоянного тока |
||||
с двухкаскадным |
входным |
эмиттерным |
повторителем, |
85
Рис. |
33. |
|
Эмиттерные |
|||
повторители |
постоян |
|||||
а — |
ного тока: |
|
||||
эмиттерный |
повто |
|||||
ритель с источником сме |
||||||
щения во |
входной |
цепи; |
||||
б — |
эмиттерный |
повто |
||||
ритель |
с |
нелинейным |
||||
эмиттерным |
сопротивле |
|||||
нием |
на |
транзисторном |
||||
генераторе |
неизменного |
|||||
тока; |
в |
— |
применение |
|||
вспомогательного |
тран |
|||||
зистора в эмиттерной це |
||||||
пи |
для |
термокомненса- |
||||
ции |
основного транзисто |
|||||
ра; г — высокостабиль |
||||||
ный |
|
усилитель |
постоян |
|||
|
|
ного |
тока |
|
||
в котором используются все перечисленные |
|
схемные |
||||
приемы. Переменный резистор в коллекторной |
цепи |
триода Т3 используется для установки начальной рабо чей точки выходного транзистора 7Y Этот усилитель мо жет иметь входное сопротивление 0,4 мОм при коэффи циенте усиления по току 1000 и коэффициенте усиления по напряжению 40.
В эмиттерных повторителях переменного тока высо кое входное сопротивление достигается более просто. Для увеличения коэффициента усиления по току может быть использован не одиночный, а составной транзи стор, коэффициент усиления которого равен произведе нию коэффициентов усиления Pi и Рг входящих в него транзисторов (рис. 34, а). В эмиттерных повторителях постоянного тока составной транзистор использовать трудно ввиду его малой температурной стабильности.
Эмиттерный повторитель переменного тока с состав ным транзистором может быть сделан достаточно ста бильным, если использовать низкоомный входной дели тель. Для того чтобы делитель не шунтировал входную цепь транзистора эмиттерного повторителя, он включа ется в базовую цепь не непосредственно, а через сопро-
8 6
Рис. 34. Эмиттерные повторители переменного тока:
а — составной транзистор; б — эмиттерный повторитель с положительной обратной связью в базовую точку; в . — эмиттерный повторитель с поло жительной обратной связью в коллекторную точку
тивление связи R3 (рис. 34, б). Если узловую точку де лителя соединить с выходом эмиттерного повторителя емкостью связи С, то за счет параллельной положитель ной обратной связи сопротивление R3 будет внесено в базовую цепь не с его собственной величиной R3, а с ве
личиной в ---------- |
большей. |
\ - К а |
величине R3 = 5 кОм и Ка =0,99 со |
Например, при |
противление, вносимое в базовую цепь цепью делителя, будет равно 500 кОм. Как было указано выше, сопротив ление коллекторного перехода ограничивает предел уве личения входного сопротивления эмиттерного повторите ля. Однако при использовании составного транзистора можно увеличить вносимую величину этого сопротивле ния путем применения цепи параллельной положитель ной обратной связи, как это показано на рис. 34, в. В этом случае мгновенные напряжения коллекторной и базовой цепи транзистора Ti изменяются синфазно, и ток базы, отбираемый сопротивлением гв. к, уменьшается, что эк вивалентно увеличению этого сопротивления. Но, по скольку увеличенное таким образом сопротивление кол лекторного перехода является результатом изменения не резистивных свойств коллекторного перехода, а ре жима работы схемы, это сопротивление называется ка жущимся или вносимым. Тем не менее увеличение вно симого сопротивления увеличивает предел повышения входного сопротивления эмиттерного повторителя.
Для увеличения входного сопротивления эмиттерно го повторителя может быть применена не только парал
87
лельная положительная обратная связь по напряжению, но также последовательная отрицательная обратная связь по току. Если в качестве элемента обратной связи использовать транзистор, включенный по схеме с общим эмиттером, то за счет усилительных свойств транзисто ра обратная связь будет форсирована, то есть усилена.
На рис. 35 изображены схемы эмиттерных повтори телей с форсированной отрицательной обратной связью по току. Они отличаются друг от друга конфигурацией, так как в цепях обратной связи этих схем использова ны транзисторы прп- и рпр-проводимости. В эмиттерном повторителе с транзистором прп типа в цепи обрат
ной связи |
(рис. 35, а) |
эмиттерный ток транзистора Т2 |
в a\Ki2 |
раз больше, |
чем эмиттерный ток транзистора |
Т\ (а\ — коэффициент |
усиления Т\ при схеме включения |
с общей базой, К[2 — коэффициент усиления по току
усилительного |
каскада |
на |
транзисторе |
Т2). Поэтому |
||
суммарный ток эмиттерной нагрузки равен: |
|
|||||
|
/э . сумм = |
/э ! ( 1 - м ЛЬ). |
(73) |
|||
Ток в базовой цепи транзистора Тi |
в (1 + Эi) |
раз |
||||
меньше, чем |
эмиттерный ток |
/ эi и, соответственно, |
в |
|||
(1 + Pi) (1 + (xi/Ci2) раз меньше, |
чем ток эмиттерной на |
|||||
грузки, а это |
равносильно |
(если учесть, |
что базовое и |
эмиттерное напряжения равны) превышению входного сопротивления по отношению к сопротивлению нагрузки
в (1 -г- |
р,) (1 + а, Къ) |
раз. |
|
|
каскада |
Т2 зави |
||
Поскольку коэффициент усиления |
||||||||
сит от соотношения сопротивлений RKi |
и R 32, |
то |
целе |
|||||
сообразно сопротивление RKi |
увеличивать, |
a R32 |
умень |
|||||
шать. |
При отрицательной обратной |
связи |
по току вы |
|||||
ходное |
сопротивление |
транзистора |
Т\ |
в рассматривае |
||||
мой схеме существенно выше, |
чем |
в обычном эмиттер- |
ном повторителе. Однако, поскольку уменьшение эмиттерного тока транзистора Тх покрывается значительным током транзистора Т2, то суммарное выходное сопротив ление этой схемы оказывается ниже, чем в обычном эмиттерном повторителе.
Эмиттерный повторитель с последовательным вклю чением транзистора форсированной обратной связи име ет низкое выходное сопротивление не только в сторону шины коллекторного питания, но также и в сторону об-
8 8
Рнс. 35. Эмиттерные повторители с форсированной отрица тельной обратной связью по току:
а |
— с вспомогательным транзистором обратной проводимости; б — |
|
с вспомогательным транзистором одинакового типа проводимости |
щей |
шины, благодаря действию транзистора обратной |
связи Т2 (рис. 35, б ).
Транзистор Т2 в этой схеме можно рассматривать как управляемое сопротивление нагрузки эмиттерной цепи. Существенного увеличения входного сопротивле ния форсированная обратная связь здесь не дает.
§ 7. Выходные каскады усилительных схем (усилители мощности)
Особенностью выходных каскадов усилительных схем является их большая мощность, то есть их работа при больших напряжениях и токах. Наиболее важным качеством выходных каскадов является их высокий КПД. Для достижения высокого КПД в выходных кас кадах преимущественно используются двухтактные схе мы класса В. С предыдущим каскадом и с нагрузкой вы ходные каскады обычно соединяются через трансформа торные цепи связи [10].
Расчет выходных каскадов выполняют с целью найти оптимальные коэффициенты трансформации входного
89
и выходного трансформаторов и максимальные элект рические и тепловые нагрузки на транзисторы каскада. Делают расчет на основании заданных величин сопро тивления нагрузки R Hи мощности в нагрузке Рн [4].
Вначале, задаваясь коэффициентом полезного дей ствия выходного трансформатора т)тр, определяют ко лебательную мощность, потребляемую трансформато ром в коллекторной цепи транзистора:
Рп = - - |
(74) |
4тр |
|
В двухтактной схеме эта мощность в два раза мень ше, так как в раскачке нагрузки принимают участие два транзистора:
Р„ |
(75) |
|
2п1тр |
Для полной раскачки нагрузки транзистор должен отдавать колебательную мощность Р~, равную колеба тельной мощности, потребляемой трансформатором, то есть:
Р~ = Рп. |
(76) |
В каскаде класса А при активной нагрузке (рис. 36) колебательная мощность отдаваемая транзистором в трансформатор, равна:
UK. |
i к. т . макс |
и к., |
/к ., |
(77) |
|
V 2 |
1/2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
Поскольку в любых трансформаторных каскадах |
|||||
|
Vk. т. макс |
|
7 /к. j |
|
|
и, кроме того, в каскаде класса А |
|
|
|||
|
|
JL / |
|
(78) |
|
|
/ к . т. м акс — 2 |
У К. догт , |
|
||
то |
Р. ДОП II*. доп |
|
|
|
|
Р~ = |
= |
Р'п = |
Р п |
(79) |
|
|
8 |
|
|
^ т р |
|
90