ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 07.07.2024
Просмотров: 130
Скачиваний: 0
экспериментальные данные, проявление для всего иссле дованного диапазона температуры и времени носит ди намический, нестационарный характер. При этом суще ствует оптимальный режим.
С целью более детального анализа соотношения про
цессов стеканпя заряда и образования |
рельефа была |
|||
построена зависимость |
механической |
тм |
и силовой тР |
|
постоянных |
времени |
релаксации |
от |
температуры |
(рис. 7-4). Из |
этого |
рисунка следует, что постоянная |
времени релаксации сил, обусловленная стенанием за ряда, не только соизмерима.
но |
и |
больше |
постоя |
|
|
|
||
времени |
образования |
|
и |
|
|
|||
ефа. |
Этой особенностью |
|
|
|||||
объясняется |
|
критичность |
|
|
||||
оптимальной |
записи |
даже |
|
|
||||
к небольшим отклонениям о,5 |
|
|
||||||
времени |
или температуры |
|
|
|||||
проявления от их оптималь |
|
|
||||||
ных значений. |
|
|
не- |
|
|
|||
Заметим |
также, что |
|
|
|||||
стационарностью |
режима Р||С; |
Графики завлспмо- |
||||||
проявления |
рельефа |
объяс- ™ . Тм' |
Тр " |
от тсмпсра’ |
||||
няется |
наличие |
бруствера |
|
|
(рис. 7-3) при записи одиночной канавки. На рис. 7-2 вид но, что изменение плотности заряда приводит к несовпаде нию оптимальных режимов проявления. Однако часто это несовпадение незначительно. В этом случае кривая опти мальных режимов проявления t0(T) является общей для любых плотностей заряда. Для изучаемого здесь термо пластика зависимость t0(T) изображена на рис. 7-4. Пунктиром на этом же рисунке построена теоретически вычисленная кривая.
С другой стороны, независимость оптимального ре жима проявления от плотности заряда позволяет ввести понятие оптимальной модуляционной кривой, т. е. зави симости глубины канавки от величины заряда при за данном значении /0 н Т0. На рис. 7-5 представлены четыре оптимальные модуляционные кривые. Из рисун ка следует, что с повышением температуры проявления глубина канавки увеличивается. Общая закономерность хода кривых нарушается только при малых зарядах в области низкой температуры проявления (около 80°С), при которой наиболее резко изменяются свойства тер-
133
J K K M |
Pile. |
7-5. |
Оптимальные модуляционные кри |
|
вые |
при |
четырех режимах проявления. |
l — ta=\0 |
сек: |
7„=80°С: |
2~ (■„=.! сек: |
Га=-1Ш°С: |
3 — 1п=0,1 |
сек: |
7'0=170°С; |
4 — /о=0,04 |
сек; ?'„= |
= Ы5°С. |
|
|
|
|
мопластика |
в связи |
с фазовым пе |
реходом среды из одного состояния |
||
в другое. |
7-6 изображена зависи |
|
На рис. |
||
мость Ао1А'0=}(Т), снятая при |
||
плотности |
заряда |
а = 0,8 мкк/см2. |
Расчет теоретической зависимости выполнен по формуле (6-5). Экспе риментальная и теоретическая кри вые построены в относительных еди ницах, так как абсолютное значение глубины канавки трудно вычислить из-за неизвестного распределения заряда в термопластическом слое.
Если известны кривая оптимальных режимов про явления и ширина зоны нагревания s, то ось времени можно проградуировать прямо в значениях скорости протяжки ленты o= s/t Далее сопоставление графиков рис. 7-4 и 7-6 дает возможность выбрать режим про
явления, удовлетворяющий |
техническим |
требованиям |
|||||
к скорости протяжки |
ленты, |
температуре |
проявления |
||||
(мощности источника нагре |
|
|
|
|
|||
вания |
ленты) |
и ожидаемой |
т у |
|
|
|
|
чувствительности носителя. |
|
|
|
|
|||
Если же техническим требо |
|
|
|
|
|||
ваниям удовлетворить |
нель |
|
|
|
|
||
зя, то можно сформулиро |
|
|
|
|
|||
вать требования к изготов |
|
|
|
|
|||
лению или подбору подходя |
|
|
|
|
|||
щего |
термопластического |
|
|
|
|
||
материала. |
эксперимен |
Рис. 7-6. |
Зависимость опти |
||||
Интересное |
мальной глубины канавки в от |
||||||
тальное исследование термо |
носительных единицах от тем |
||||||
пластических |
слоев при за |
пературы при сг = 0,8 мки/см2. |
|||||
Пунктиром |
обозначена |
теоретиче |
|||||
писи |
электронным |
лучом |
ская кривая, сплошной |
линией — |
|||
z построением динамической |
экспериментальная {А'о=Ао при Г= |
||||||
= 80 °С). |
|
|
|
134
поверхности проявления приведено также в [Л. 77]. Внешние характеристики в этой работе сняты при термостатировании режима проявления и стирания записи в интервале температур от 100 до 130 °С.
7-3. Исследование жидких деформируемых слоев
Слабопроводящие жидкие среды для деформируемых слоев были использованы еще в первых опытах Фишера и до настоящего времени их применяют в серийно выпу скаемых телевизионных проекторах с большими экра нами. Однако до сих пор подбор деформируемой среды в этих проекторах в значительной степени осуществляют эмпирически. Построение динамической' поверхности проявления для масляного слоя позволяет более созна тельно подходить к оценке свойств исследуемого слоя
ик выработке требований для вновь создаваемых мате риалов.
Вотличие от термопластической записи проявление
истирание рельефа на масляных слоях осуществляют
Рис. 7-7. Структурная схема установ ки для снятия внешних характери стик жидких деформируемых слоев.
/ — проектор: 2 — экран; 3 — оптико-элек
тронный |
преобразователь; 4 — регистри |
рующий |
прибор (осциллограф). |
при постоянной температуре. Поскольку толщина слоев составляет 50—100 мкм, можно считать, что заряд рас пределен близко к поверхности слоя.
Поверхностное распределение заряда н постоянный температурный режим масляных слоев позволяют рас считывать с большей точностью, чем для термопластиков, их внешние характеристики.
В этом параграфе основное внимание уделим только сопоставлению теоретических и экспериментальных дан ных при построении одной внешней характеристики масляного слоя — кривой оптимальных режимов про явления.
Для экспериментального исследования внешних ха рактеристик масляного слоя мы использовали серийный проектор типа «Эйдофор». Структурная схема экспери ментальной установки приведена на рис. 7-7 {Л. 78]. С помощью устройства управления электронным лучом проектора 1 на масляный слой записывают электриче-
135
скпй растр. Изменения рельефа па масле с помощью оптического устройства воспроизведения преобразуют в изменение яркости экрана 2. Электрический сигнал, пропорциональный яркости экрана, с помощью преобра зователя 3 подают на вход вертикальных пластин
осциллографа 4. |
Температуру масла |
поддерживают и |
||||||
регулируют |
специальным |
термостатирующим |
блоком. |
|||||
|
|
|
Для получения уровня ну |
|||||
|
|
|
левой яркости в прибор вве |
|||||
|
|
|
ден узкий |
обтюратор, |
пере |
|||
|
|
|
крывающий световой |
поток. |
||||
|
|
|
На |
этой |
установке |
были |
||
|
|
|
исследованы два |
различных |
||||
|
|
|
вида масла, резко отличаю |
|||||
|
|
|
щихся между собой коэффи |
|||||
Рис. 7-8. Кривые оптимальных |
циентом вязкости. Темпера |
|||||||
турные характеристики этих |
||||||||
режимов проявления |
для двух |
масел |
приведены |
на рис. 3-1 |
||||
сортов масла. |
|
|
||||||
|
|
и 3-2. Воспользовавшись |
||||||
Сплошными линиями |
показаны |
|||||||
экспериментальные, а пунктирны' |
данными характер истиками, |
|||||||
лш — теоретические кривые. |
можно |
вычислить |
постоян |
|||||
да в объем |
масла |
|
ную времени отекания заря |
|||||
и постоянную растекания |
заряда по |
|||||||
поверхности. |
Вычисления tv |
и ts показывают, |
что |
заряд |
растекается по поверхности на два-три порядка быстрее объемного стекания заряда внутрь деформируемого слоя для обоих сортов масла. Исследование других известных нам масляных слоев подтверждает, что процессы поверх ностных перетоков заряда идут намного быстрее объ емных.
На рис. 7-8 изображены экспериментальные и теоре тические зависимости ta(T).
Рассмотрение графиков рис. 7-8 показывает, что
вобласти более высоких температур проявления кривые оптимальных режимов идут более полого, чем в области низких температур. Совпадение расчета и эксперимента
вэтом случае подтверждает правильность исходных предпосылок, выбранных при постановке теоретической
задачи.
7-4. Исследование гелеобразных слоев
Гелеобразный материал выгодно отличается от мас ляного и термопластического тем, что во время прояв ления и стирания рельефа он способен сохранить свою
1 36
форму. Поскольку гелеобразные слои не подвержены текучести, на них можно получить равновесный режим деформации, т. е. такой режим, когда деформирующие силы находятся в статическом равновесии с силами по верхностного натяжения и упругими силами гелеобраз ной среды. Обычно рельеф на гелеобразных слоях создают внешним электрическим полем.
■Пространственный рельеф напряженности электриче ского поля, имитирующий устройство управления, мож-
Рис. 7-9. Схема установки для снятия внешних характеристик гелеобразных деформируемых слоев.
но создать, расположив вблизи свободной поверхно сти деформируемого слоя металлический электрод, выполненный в виде периодического растра и соединен ный с одним из полюсов управляемого источника напря жения. Другой полюс источника подсоединяют к про водящему прозрачному слою, расположенному под гелеобразным слоем. В разработанной нами установке (Л. 62] для исследования гелеобразных слоев в качестве управляющего электрода применена металловолоконная шайба с напыленным на одной из ее поверхностей металлическим проводящим слоем.
Схема установки изображена на рис. 7-9. Слой ге ля 1 наносят на прозрачный электропроводящий слой 2, покрывающий одну из граней призмы 3. Вблизи сво бодной поверхности слоя 1 крепят металловолоконную шайбу 4, покрытую с одной стороны проводящим слоем 5. Мы использовали шайбу с диаметром волокна 0,15 мм и расстоянием между центрами волокон 0,3 мм. Зазор между поверхностями слоя 1 и шайбы 4 устанавливали
10—509 |
137 |
равным 20 мкм. Щелевое оптическое устройство считы вания рельефа проецирует световой поток, пропорцио нальный глубине рельефа, на светочувствительный эле
|
|
мент |
6 |
(фотодиод, фотоумно |
||||
|
|
житель) . |
Светочувствительный |
|||||
|
|
элемент |
позволяет |
регистриро |
||||
|
|
вать |
кривую |
свечения |
на све |
|||
|
|
толучевом |
или |
электронном |
||||
|
|
осциллографе 7. Глубину рель |
||||||
|
|
ефа |
на |
геле можно изменить |
||||
|
|
с помощью |
источника |
напря |
||||
Рис. 7-10. Вид типичном |
жения 8, один плюс которого |
|||||||
соединен |
с проводящим слоем |
|||||||
осциллограммы кривой |
све |
|||||||
чения / гелеобразного |
слоя |
5, а другой с проводящим сло |
исоответствующей ей ем 2. Напряжение источника
подают на второй вход осцил лографа 7. Величина сигнала, вырабатываемого фотоумно
жителем, при используемых освещенностях линейно связана с величиной пропускаемого к фотоумножителю светового потока. При необходимости получения абсо лютных величин глубины решетки, пропорциональных световому потоку, измерительное устройство следует отградуировать с помощью слоя с известным профилем рельефа. В качестве такого слоя удобно использовать термопластик с фиксирован ным на его поверхности рельефом.
На рис. 7-10 изображена типичная осциллограмма кривой свечения 1, получа ющаяся под действием прямоуцольных импульсов на пряжения 2. Обычно длитель ность нарастания импульса напряжения во много раз меньше применяемых дли тельностей импульса t0. На
кривой свечения отчетливо различаются два участка:
участок |
проявления |
рельефа |
кривой |
и участок стирания |
{tp*t0). |
Так как на |
участке |
свечения при l ^ U |
действие внешних сил на слой отсутствует, то по форме
138