Файл: Данилин Н.С. Теория и методы неразрушающего инфракрасного контроля радиоэлектронных схем.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 15.07.2024

Просмотров: 115

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Pnci 7.15. Сопротивление Ry— 2,2 кОм.

156

Дефект

12.

Сопротивление Rs

уменьшилось

и

достигло

0,42 кОм (рис.

7.17). Дефект по своему

характеру

аналогичен де­

фекту 11 соответственно умень­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

шение

сопротивления

Rs при­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

водит к увеличению

 

излучения

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

иа нем.

Схема функционирует

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

нормально.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Дефект 13. Короткое замы­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

кание

коллектора

и эмиттера

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

триода

 

ППЗ

между

точками

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

9—10 (рис. 7.18). Дефект при­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

водит

к тому,

что

независимо

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

от величины

входного сигнала

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

через

сопротивление

R3 проте­

Рис.

7.18.

Короткое замыкание

в цепи

кает ток, соответствующий со­

 

эмиттер—коллектор ППЗ.

 

 

стоянию

открытого

триода

 

/?вх=0,3 В. На инфракрасном

ППЗ. Это явление имеет место при

профиле

хорошо видно увеличение излучения

на

 

сопротивлении

 

 

 

 

 

 

 

 

R3 по

сравнению

с излуче­

 

 

 

 

 

 

 

 

нием,

когда

триод ППЗ на­

 

 

 

 

 

 

 

 

ходится в закрытом

состоя­

 

 

 

 

 

 

 

 

нии.

Схема

 

не функциони­

 

 

 

 

 

 

 

 

рует.

 

 

 

Короткое за­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Дефект 14.

 

 

 

 

 

 

 

 

мыкание

R7 между

 

точками

 

 

 

 

 

 

 

 

6—7 (рис. 7.19). На инфра­

 

 

 

 

 

 

 

 

красном

профиле

 

хорошо

 

 

 

 

 

 

 

 

видно

уменьшение

‘излуче­

 

 

 

 

 

 

 

 

ния

на

сопротивлении

R?.

г Рис. 7.19.

Короткое

замыкание

/?7,

Это

объясняется

тем,

что

 

 

 

 

 

 

 

 

сигнал,

поступающий на ба­

зу триода ППЗ, закорочен через внутреннее сопротивление источ­ ника смещения. Следовательно, триод ППЗ независимо от сигнала на входе усилителя находится в закрытом состоянии. Схема не функционирует.

Дефект 15. Короткое замыкание эмиттер—коллектор триода ПП1 между точками 5—4 (рис. 7.20). Инфракрасный профиль сни­ мался и сравнивался при напряжении мвх= —0,36 В.. При наличии в схеме такого дефекта уже при минимальном вкодном сигнале появится заметный ток, проходящий через сопротивление R 5 R 3, так как состояние схемы соответствует активному состоянию триодов. Следовательно, будет иметь место заметное излуч'ение на сопро­ тивлениях R?R3- Схема не функционирует.

Дефект 16. Короткое замыкание база—эмиттер триода ППЗ между точками 8—9 (рис. 7.21). Независимо от величины входного сигнала напряжение на базе триода ППЗ равно 0. Следовательно, триод ППЗ будет находиться в закрытом состоянии, через сопро­ тивление R3 течет минимальный ток. Это хорошо видно на ин-

157


ф'ракрасном профиле по заметному уменьшению излучения на со­ противлениях R3. Схема не функционирует.

Рис. 7.20. Короткое замыкание

Рис. 7.21. Короткое замыкание

в цепи эмиттер—коллектор ПЩ.

между базой и эмиттером ППЗ.

Дефект 17. Короткое замыкание коллектор—база триода ППЗ между точками 8—10 (рис. 7.22). Этот фактор равносилен непо­ средственному подключению к сопро­

тивлению Rs источника питания, что несомненно, приводит к :увеличению электрической рассеиваемой мощно­ сти на сопротивлении. Схема не функ­ ционирует.

Рис. 7.22.:.-..Короткое замыкание

 

в цепи коллектор—база ППЗ.

замыкание /?:(.

. Дефект 18. Короткое замыкание сопротивления R3 между точками 12—10 (рис. 7.23). Дефект характеризуется резким уве­ личением тока, проходящего через триод ППЗ, и переходом трио­ да в «опасный» режим. Это хорошо видно на инфракрасном про­ филе. Схема не. функционирует.

• 1 5 8

Дефект 19. Короткое замыкание база—эмиттер триода ПП1 между точками 5—3 (рис. 7.24): В этом случае происходит возрас­ тание тока в цепи сопротивле­

ния Ri и источника входного сигнала ввиду уменьшения до пуля сопротивления база— эмиттер. Коэффициент усиле­ ния по току триода становится равным нулю и, следовательно, уменьшается ток, проходящий через сопротивление R5. Схема функционирует.

Дефект 20. Короткое замы­ кание база — коллектор трио­ да ПП1 между точками 3—4 (рис. 7.25). Дефект характери­

зуйся увеличением тока, проходящего через сопротивление R;;, ввиду увеличения тока в цепи база—эмиттер триода ПП1. Инфра­ красный профиль хорошо отражает это явление. Схема не функ­

ционирует.

 

Короткое

замыканиесо­

 

Дефект 21.

 

противления

 

Ri

между

точками 5-

6

 

(рис. 7.26).

Дефект приводит к резкому

 

возрастанию

тока

через триод ПГ1 1,

так

 

как это равносильно замыканию эмнттер-

1»/А

ной нагрузки.

 

Фактически

перестает быть

ограниченным

ток через

базу—эмиттер

 

триода ПП4,

что приводит к значительно-

 

Рис. 7.25. Короткое замыкание

Рис. 7.25. Короткое

в цепи база—коллектор ПП1.

замыкание/?5.

му выделению мощности на элементах. Данный дефект приводит к «опасному» режиму работы триодов и ведет их к быстрому выхо­ ду из строя. Схема функционирует в течение 15—30 минут.

Таким образом, если критерием качества схемы является ее функционирование, то среди исследованных дефектов дефекты 2 ,

. 159



7, 8, 10, И, 19, 21 являются скрытыми. В остальных случаях ин­ фракрасный метод является эффективным средством отыскания места дефекта, при этом инфракрасные профили дефектных моду­ лей можно использовать как эталонные.

160

 

Л И Т Е Р А Т У Р А

 

1.

С. П. А в д е е в , Основы телевидения (Монография), Л.,

1967. (Рефе­

ративная информация по радиоэлектронике, 1968, № 17, 16557).

 

2.

В. А. А р с е н т ь е в , В. Ф. Ч е р н ы ш, Е. П. В т о р о в ,

Примене­

ние неразрушающпх методов контроля для обеспечения рационального -тепло­ вого проектирования РЭА. Тезисы доклада па Всесоюзной конференции «Тепло­

обмен

в РЭА», Одесса, 1969.

 

 

 

 

3.

В. П. А б р а м о в ,

В. И. Г о р б у н о в , Н. И. П и с а р е н к о ,

О

выборе

признаков

для автоматической классификации

дефектов

сварки

при

радиографическом

контроле,

«Дефектоскопия», № 5, 1971.

 

 

4.

П. А. А н а с е в и ч,

 

В. С. А й з е и ш т а д т ,

Таблицы

распределения

энергии и фатонов в спектре

равновесного

излучения,

изд-во АН БССР,

1961.

5.

Е. И. А н т о п о в,

В.

И. И л ь и и,

Е. А. К о л е н к'о,^Устройство

для

охлаждения приемников излучения. Под ред. В. И. Епифановой,; ЛТ, «Маши­

ностроение», 1969.

 

 

 

 

 

 

 

 

6.

М. А. Б р а м с о н,

Инфракрасное

излучение

нагретых тел, М., изд-во

«Наука», 1965.

 

 

 

 

 

 

 

 

7.

И. А. Б е к е ш к о,

Л. К-

О ш е й к о в ,

Контроль

качества

изделий

методом тепловых полей, «Дефектоскопия»,

№ 1,

1967.

 

 

8.

М. Б о р н,

Атомная физика, изд-во

«Мир», 1970.

 

 

9.

Б о р л е й,

Г и л ь ф о р д,

Стострочный

тепловизор.

«Зарубежная ра­

диоэлектроника»,

№ 4, 1970.

 

 

 

 

 

 

10.

Ю. Г. Б е р с о н,

А. А. З а б е л и н

и

др.,

Исследование

темпера­

турного поля изделий электронной техники с помощью интерферометра. «Элект­

ронная

техника. Управление качеством и стандартизация»,

вып. №

6, 1970.

11.

Е. С. В е н ц е л ь ,

Теория вероятностей,

изд-во «Наука», 1969.

 

12.

В. И. В а н н п к,

Задача обучения распознаванию образов, изд-во «Зна­

ние», 1970.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

13.

Б.

Ф. В а н ц е т т и,

Обнаружение скрытых

дефектов

по

ИК излуче­

нию. «Электроника», № 7, 1967.

 

 

 

 

 

 

14.

Е. М. В о р о н ц о в а ,

Б. Н. Г р е ч у ш н н к о в

н

др.,

Справоч­

ные материалы для ИК техники, нзд-во «Наука»,

1965.

 

 

 

 

15.

Р. Г л а у з е р, Оптическая погрешность

и статистика.

«Квантовая

оп­

тика и квантовая радиофизика», нзд-во «Мир», 1966.

 

 

 

 

 

16.

Н. Н. Го р юн о в ,

В.

Г. Г р и г о р ь я н

н

др.,

Телевизионный

ска­

нирующий

микроскоп для

выявления дефектов

полупроводниковых

приборов.

«Электронная техника». Управление качеством и стандартизация», вып. № 3(9), 1971.

U —1392

161


17. Н. Н.

Г о р ю н о в ,

В. Г.

Г р и г 0 р ь я н. Выявление дефектов полу­

проводниковых

приборов

методом

регистрации рекомбинационного излучения.

«Электронная техника». Управление качеством и стандартизация», вып. № 3(9),

1971.

18. Н. С. Д а н и л и н , А. Е. В е л и ч к о и др., К вопросу оперативной оценки надежности полупроводниковых устройств и схем интегральной элект­

роники, «Радиоэлектроника

летательных аппаратов»,

вып.

2,

1969.

19. Н. С. Д а и и л и н,

Н. В. Щ е р б а к о в а ,

В.

Н.

Ф е д ю н и н , О

1ермодннамическон модели отказа радиоэлектронных изделий, «Радиоэлектро­

ника летательных аппаратов», вып

4, 1972.

20. Н. С. Да н и л и н , В. П.

У л н т е н к о и др., Определение физическо­

го процесса механизма отказов полупроводников при форсированных испыта­

ниях температурой, «Радиоэлектроника

летательных аппаратов», вып.

3, 1971.

21. Н. С. Д а н и л и н ,

К вопросу

целесообразности применения

неразру­

шающих методов контроля качества в радиоэлектронике, «Надежность и

контроль качества», вып. 6, 1974.

 

 

 

 

22. Н. С. Д а н и л и н,

Физическая

природа и математическая

модель

не­

линейности МПП, «Надежность и контроль качества», вып.

10,

1974.

 

23. Н. С. Д а н и л и н,

Методы и

технические средства

неразрушаю­

щего контроля аппаратуры и приборов автоматики, радиоэлектроники и электроники, М.. «Знание», 1974.

24. Н. С. Д а н и л и н , Э. А. С о с но в с к и й, ' А. Б. Ма л кон. Некоторые вопросы оценки качества радиоэлектронной аппаратуры, «Ра­

диоэлектроника летательных аппаратов», вып. 5, 1973.

 

25. Н.

С. Д а н и л и н ,

Э. А. С о с н о в с к и й, А. Б.

М а л к о в ,

К вопросу

применения в

радиоэлектронике инфракрасного

неразрушаю­

щего контроля, «Радиоэлектроника летательных аппаратов», вып. 5, 1973.

26.

Д.. Д ж е л т с о н ,

Предварительные

 

усилители

для

ИК

систем.

«Вопросы ИК техники», Пер. № 8981, ч. Ill,

1961.

 

 

 

27.

Ю. А. Д о д у р о в,

Методы неразрушающего контроля

качества

элементов

электронной техники, «Электроника»,

1968.

 

 

 

28.

П.

К р у з ,

Л.

М а к г л о у л и н ,

Р.

 

М а к в и с т о н ,

 

Основы

инфракрасной

техники. Пер. с англ., М., «Воениздат», 1964.

 

 

29.

М. Н.

М а р к о в ,

Приемники информационного

излучения, М.,

«Наука»,

1968.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

30.

Методы неразрушающего

контроля.

«Реферативный

сборник»,

М., ЦНИИТЭИ приборостроения,

1971.

 

 

 

 

 

 

31.

Новые зарубежные приборы и аппараты

для

неразрушающего

контроля

материалов и

изделий.

«Экспресс-информация»,

вып. 22, 1970.

32.

Г.

Смит,

Ф.

Д ж о и с,

Р. Ч е с л е р, . Обнаружение

и

измере­

ние инфракрасного излучения. Пер. с анг., М., изд-во «Иностр. лит.», 1959.

33. Физика и техника инфракрасного излучения.

Под ред. И. В. Ва­

сильченко. Пер. с англ., М., «Советское радио», 1965.

34. Ю.

Г. Я к у ш е н к о ,

Физические

основы

оптико-электронных

приборов,

«Советское радио»,

1965.

 

 

162