Файл: Федосеев П.Г. Основы проектирования транзисторных стабилизаторов напряжения учеб. пособие для студентов специальности 0615 Звукотехника.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 20.07.2024

Просмотров: 101

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Рис. II 1.1

Работоспособность

исполнительного транзистора сохраняется

лишь в том случае, если

выполнены следующие условия:

 

1)

Минимальное

мгновенное напряжение £/к э в режиме I

больше

напряжения

насыщения:

UK3\ = с/ к э

i — t\(Ja\ i >

£/„а с ,

где Sj коэффициент пульсаций

в режиме

I ; с целью запаса

£ / к э 1

должно

быть выбрано из

расчета

 

 

 

 

 

 

^

=

^ , 0

+ ^ 0

, 1 + ^ 1 ,

 

(21)

где AU[х0,5

В

для

германиевых и 1,0—1,5В для кремниевых

триодов

(больший запас снижает

к. п. д. и повышает мощность

рассеяния на

Т п ) .

 

 

теплоотводящего радиатора

обес­

2)

Размеры

и конструкция

печивают установившуюся температуру р-п перехода Тп, не превышающую допустимую, при максимальной температуре

окружающей среды

Oomax и

мощности рассеяния

в режиме I I :

•^к max= ^кН = ЦгаН (^э max ~

Азп) ~

^кэ11 4 max

^пр^к дон (22)

3) Максимальное

напряжение UKam

в режиме

I I I не превы­

шает допустимого по соображениям электрической прочности и надежности:

 

"кэШ =

ЦсэШ + £

Ш ^ в 1 Ш ~ ^ о 1 max ~ ^mV ^ Ц;э доп " V

(2 3)

В

(2) п

(3) /Снр и

KBV

коэффициенты нагрузки

по

мощно­

сти н напряжению, выбираемые из условий надежности

(обычно

/С„ р ^0,8;

tf„v«0,6—0,7).

что выбор расчетного

напряжения

Из

сказанного следует,

выпрямителя должен быть согласован с заданным диапазоном

изменений

напряжения

сети, тока нагрузки и требованием

(21),

гарантирующим положение рабочей точки I вне зоны насыщения

на характеристиках

Т„. Напряжение на выходе выпрямителя

при номинальном режиме

 

 

 

 

^ B W =

^alN

~~ ^ в / в ! max

^

^</э max

(^4)

Величины

/ с х ,

I R 3 ,

RBl

выбираются

ориентировочно. Обычно

/ с х » ( Ю - 3 0 )

мА;.

7

^ , » (20-5-40) лА;

Я в 1 « (0,2-5-0,5)

RuN

Исходя из равенств (1) и (4), а также полагая, что коэффи­

циент пульсации в режимах

I , I I и при номинальном напряже­

нии сети одинаков (s, = гп

=

е^),

получим

условие для выбора

номинального напряжения

холостого хода

выпрямителя:

 

Е

= - L

 

1

£ ДГ

^ ' B I / V ^ B !

(25).

C B 1 / V

 

 

 

А П

 

 

 

 

 

62


Оценка возмущении, обусловленных влиянием температуры на характеристики транзистора, является довольно сложной за­

дачей. Температура

исполнительного транзистора

определяется

как температурой

окружающей

среды 0о, так

и

температурой

перегрева А0П , которая при установившемся

тепловом режиме

зависит от мощности рассеяния на транзисторе

Рк.

расчетом,

Теплоотводящий

радиатор выбирают с

таким

чтобы при наихудшем тепловом

режиме

Рк

=

Рки,

Q0 = 6Q M A X

температура р-п перехода была на 10 — 20% меньше предельнодопустимой для данного типа транзистора, т. е.

б

= 6 П

+ Д б „ < ( 0 , 8 4 - 0 , 9 ) 0

п т а х

0 max

1

II ^ > v " i w ^i^i

п доп

Минимальная температура будет при Qomm и минимальной мощ­ ности рассеяния на коллекторе (режим IV):

п min 0 min 1 IV

С запасом можно принять, что 0mm~0omin.

На рис. III.2, а показаны два семейства выходных характе­ ристик транзистора, отвечающих предельным температурам 8щах и 0mm. Там же нанесена область рабочих режимов I , I I , I I I и IV. Нетрудно видеть, что совокупность рабочих значений то­ ков базы при Вптах и 0п mm существенно отличается.

Более наглядно влияние колебаний температуры на тре­ буемый диапазон изменения тока базы можно оценить по се­ мейству характеристик передачи тока / э = / ( / б ) , показанному на рис. III . 2, б. При этом разницей между статическими (IVK3~const)

и динамическими

(t7K 3 = var)

характеристиками

для

режимов I

и IV, а также I I

и I I I можно

пренебречь. Пределы

изменения

тока базы Ти, найденные

с

учетом изменения

температуры

от

0nmin ДО On max (А/б max шах),

 

ГОрЭЗДО больше, Чем -при НеИЗМвН-

ной температуре (Д/б/бгшп и

л и

ДАз.^тах)-

 

 

 

 

Отношение

 

 

 

 

 

 

 

 

А^б max

max т ,

'

^6 max max

 

/ о с \

а "

~ A/6 /em i n

и

л и а ° -

A/6 /flm a x

 

 

( 2 б )

характеризует требуемое увеличение

сигнала

управления

при

переходе от изотермического режима к работе в диапазоне тем­ ператур.

Характерно также, что при малых значениях тока / э mm/*с х и максимальной температуре 0omax исполнительный транзистор должен работать в области обратных смещений на эмиттерном переходе (ток базы изменяет направление).

Возможность работы при обратных направлениях тока базы обеспечивается соответствующимрасчетом сопротивления R32.

63


Порядок расчета

1. Ориентировочное значение максимальной мощности рас­ сеяния на исполнительном элементе:

а) в стабилизаторе с неизменным выходным напряжением:

Р'

п max

1 Л , +

U^+bU,)

(1 +

V ) ^

_

{ / ш + / с х ) ,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где / С Х = 0,02^0,05Л,

Д £/, = 0,54-1,55;

 

напряжением:

б)

в стабилизаторе с регулируемым выходным

Р'

 

( ^ , m a x + ^ „ a c +

^

) ( l

+ ^ -и..

 

2.

Число транзисторов

Ги , включенных

параллельно:

 

 

 

 

 

Р'

 

 

 

 

 

 

 

« и

—5

,

 

 

"к доп где Л<доп допустимая мощность рассеяния на один транзи­

стор с учетом теплоотводящего радиатора, выби­ раемая ориентировочно по табл. I l l - 1 .

 

 

 

 

 

 

Таблица

1JI-1

Тип

П213

П216

 

ГТ701

П702

 

КТ802

П 2 Н

П217

 

 

ГТ905

•П701

 

П210

KT805

 

KT803

KT801

KT807

 

ГТ806

KT902

 

КТ808

Рк доп

3—6

6-8

10—12

1.2—18

18—25

3. Сопротивления R0 в цепн эмиттера Гп , улучшающие рав­

номерность распределения тока

(включаются,

если / г „ > 1 ) ;

 

 

Р _

А£/„;г„

>

 

 

 

 

 

Ко — —т

 

 

 

 

где Д £ / 0 = 0 , 5 4 - 1 , 5 В.

 

 

 

 

 

 

 

4. Выходные

характеристики

выбранного

Г п

в схеме ОК

строятся на основе характеристик, приведенных в справочниках

для схемы ОЭ, исходя из

соотношения

h = IK + h = f ((7„э) при

разных /б = const.

h—liU™)

 

5. На характеристиках

область' использования

транзисторов Гц по току определяется по значениям / э max и 13 тт-

/ sm«x=-^-(/ .iAr + / cx)

( Л И Н И Я

*> П

> Р И С - I I L H i

min

-^ ('/ н - . - + / е 0

(ЛИНИЯ

I I I ,

IV, РИС. I I I . 1).

 

 

 

 

65-


 

6. Уточняется

UMC

 

при / э т а х ;

выбирается положение

 

рабо­

чей точки / с учетом того, что не должны

насыщаться Тп,

ТС2,То\:

 

 

 

и «л >

u i + uil 4-

 

+

l,UNUnN

-f-At/,

 

 

 

пли

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

7. Минимальное

напряжение

выпрямителя при

/ н = / в т а Х :

3 )

^ o l

min

=

+

^ « 1 +

 

^ с / э max

( П Р И

 

^ „yv =

« m s t ) ;

 

 

 

 

б)

и л т 1 п

= */„ т а х + £/к э 1

+ / ? / э т а х

(при

и ш у л к

> £/„ >

(7„ т 1 п ) .

 

 

8. Напряжение холостого хода выпрямителя при номнналь-.

ном напряжении

сети:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

^ в Ш ~

( ^ в 1 min ~ Ь ^в1 m a x ^ B l ) >

 

 

 

 

 

где

/ B I

max^Bi ~

(0Д5-ь0,5) £/H w — внутреннее падение

напряже­

ния в выпрямителе; большая цифра в скобках отвечает низко­

вольтным

^

10 В)

стабилизаторам

с мостовой

схемой вы­

прямления,

меньшая

цифра—стабилизаторам

с

напряжением

t/ H jv^3 0

В при двух- и трехфазных

 

схемах выпрямления.

 

 

9.

По координатам

/ э т а х ; UKAI

и О; £/,«, I + IB\NRB\

на семей­

стве выходных характеристик I3=f{UK3)

 

наносится

положение

приведенной

к току

/ э

 

внешней

характеристики

выпрямителя

(линия п-я', рис. 111.1,6).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10. Находится положение приведенной внешней характери­

стики

при Uc = Ucmax

 

путем смещения линии п-п'

параллельно

самой себе на величину

A £ B t m a x

=

(a m

и я

) £ , ш

в сторону

боль­

ших

напряжений

на

коллекторе

(линия

m-m',

рис. I I I . 1,6).

Отмечаются предельные положения рабочих точек

I , I I , I I I , IV

и область возможных режимов Тп, показанная

штриховкой.

Полезно также указать размах пульсаций в режимах

I и I I .

 

В случае применения исполнительного элемента с шунтом

область

использования

 

характеристик

уточняется

 

следующим

•образом. Минимально

 

допустимое

сопротивление

шунта

равно

' Rm = —rкэШ

,— "•

Приведенное

к

 

одному транзистору

 

сопро-

 

 

min '

^сх

 

 

 

 

 

 

Цш

 

 

 

 

 

 

 

тивление

шунта

^ ' ш = "п^ш- Линия

наносится на

семействе

выходных характеристик и определяется положение новых пре­ дельных рабочих точек Г, I I ' , I I I ' , IV', согласно рис. I I I . 3. Ток исполнительного транзистора, по которому рассчитывается

• мощность потерь, 1Э т а х = /эП — /„m i n + /сх-

•66


11. В стабилизаторах с регулируемым выходным напряже­ нием определяется дополнительное повышение напряжения на^

коллекторе Тп

(при Un=Unmm)

путем добавочного

смещения

линии пг-пг

в сторону больших напряжений на

величину

ДС/р=£/птах — Unmln (рИС. III.4).

Рис. III.3

12. Уточняется мощность рассеяния на Тп: а) в стабилизаторе с UBN — const

max =

А> m a x ^ i o l l =

(^нЛ' + ^ с х )

^'кэ11

=

= -k ^ +

( « А » -

U*N ~ * » / B 1

max ~

А ^ о ) !

 

б)

Б схеме с шунтом

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

шах — / э

т а . \ £ / кэН ~

f/эП

" Ai min ' ~

] UК9\\1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

\

 

 

 

 

 

 

 

 

 

в)

в стабилизаторе

с t7n =var

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

max — A

ma\UкэП

— "ТГ~ [l\\N

~Ь / с х ) ( a m £ o I / V

£ A i m i n

 

 

 

 

 

 

 

 

'Ml

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

-

max -

Д ^ о )

 

 

 

 

 

 

 

13. Требуемая

поверхность

охлаждения

теплоотводящего

радиатора для одного транзистора с мощностью потерь

Рктах:

 

 

£ ^

 

_

(1,1 Ч-

1,2)

Я к

max

 

 

г

„2

 

 

 

 

 

А [^иО^пдоп

"о m a x - m a x (-^Т-пк + - ^ Т - к р ) ]

 

 

'

 

 

где

А«0,75-10~3

^

^

коэффициент

теплоотдачи

для

черне­

 

 

 

 

 

ных

анодированием

радиаторов

из

 

 

 

 

 

алюминия;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

бпдоп допустимая

температура

р-п

пере­

 

 

 

 

 

хода TV,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Go maxмаксимальная температура

окружа­

 

 

 

 

 

ющей среды;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

К 9 = 0,8 — 0,9 коэффициент

нагрузки

по

нагреву

 

 

 

 

 

исходя

из требований

надежности;

-

 

 

 

RT

- пк тепловое

сопротивление

 

переход —

 

 

 

 

 

корпус;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RT-кр

тепловое

сопротивление

корпус —ра­

 

 

 

 

 

диатор.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Величина теплового

сопротивления

корпус — радиатор

зави­

сит

от

площади

соприкосновения

 

(размеров транзистора),

чи­

стоты

обработки

поверхности

соприкосновения

 

радиатора,

давления и способа осуществления контакта между транзисто­ ром и радиатором.

При осуществлении контакта через слой масла

(трансфор­

маторного) или тонкую свинцовую фольгу тепловой

контакт по­

лучается лучшим, чем при непосредственном

соприкосновении

металлических поверхностей (^т - к р снижается

в 1,5—2 раза);

если же контакт осуществляется через тонкую изолирующую

прокладку из слюды (0,05—0,1) или

лавсана,

то RT-KP

возра­

стает в 2—3

раза.

 

 

 

 

Параметры транзисторов

для

теплового

расчета

даны

в табл. Ш-2,

где R r - i < p указаны для

случая непосредственного

контакта без

применения масла

или

изолирующих прокладок.

68