Файл: Федосеев П.Г. Основы проектирования транзисторных стабилизаторов напряжения учеб. пособие для студентов специальности 0615 Звукотехника.pdf

Тип

0

#Т - пк

Ят-к-р

Тип

"п доп

°С1Вт

# Т - к р

Т С ТII

плоп

°С/Вт

Г

Г

°С/Вг

°С

°С/Вт-

-с

С

II

ГТ403

85

12—15

5

КТ801

150

20

2

П605,

606

85

15

1—2

П701

150

10

1—1,5

ГТ905

85

9

1—2

КТ807

120

5

1-1,5

Л213, П214

85

3,5—4

1—2

КТ805

150

3,33

0,3—0,5

П216, П217

85

2,0

0,8—1,5

КТ902, 903

120

3,33

0,3—0,5

П210

70

1,0

0,3—0,5

П702

150

2,5

0,3—0,5

ГТ806

85

2,0

0,3—0,5

КТ802

150

2,5

0,3—0,5

ГТ701

85

1,2

0,3 - 0,5

КТ803, 808

150

1,7

0,3—0,5

14. Конструктивные

параметры радиатора.

Теплоотводящие

(игольчатые).

Пластинчатый радиатор

имеет толщину 3—4 мм

и

размеры

сторон

L =

H=40—

I

160

мм. - Плоскость

радиатора в

конструкции устройства

распола­

гается

вертикально;

поверхность

охлаждения

(с

обеих

сторон):

S = 2L# - 10 - 2

см2 (L и Я в мм).

Радиатор,

оребренный с од­

1

ной

стороны,

имеет

толщину не­

сущей

стенки

Г = 6—10

мм, вы­

соту # = 60—180 мм, длину L =

= 60—180 мм. Высота

ребер /гр =

Г

= 15—25 мм, толщина

ребер tv =

= 2—3

мм,

расстояние

между

о)

ребрами

/ = 8—10

мм

(рис.

I I I . 5 ,

а).

Поверхность

охлаждения

S = 2LH{\

+

X

2/гп

А - 2 2

т и ш

и

S = 2LH[\ + tn + l

10 СМ

Рис.

II 1.5

ния радиатор — среда

RT~VC

В функции от конструктивных па­

раметров указывается

в

виде таблиц или графиков. В этом

случае достаточно определить

необходимое значение RT-VC ПО

формуле

R

<

/ < | A ; " ~ Q ° -

-

(RT_nK

+ /?т.вр)

°с;вт

и выбрать

соответствующий радиатор

по таблицам или кривым

^ т - р с = / ( И р )

(рис. III.7).

Из кривых видно, что число ребер'

при данном неизменном размере

L = const имеет

оптимальное

значение.

,

ратуры

9о = 20°С,

то найденные

значения

/'(, и приращения

Л/б = / б 1 — /бт отвечают

случаю,

когда транзистор не нагрет и

имеет

усредненные

(для

данного

типа)

параметры. Оценку

/•и

rii

е

i

/э max

г

' 6

— - * 6

Imax —

т

_ i _ д

' ко m i n i

1

£>mln

где /ко min,=? / к о , 2 о — обратный

ток

коллекторного перехода—щт

минимальной

рабочей-температуре перехода;

/»

/

min

ко max j

—

1 + в„

•/6III .

ГДе /котах'

обратный

ток коллекторного перехода

при

макси­

мальной

рабочей температуре

перехода

8 П т а х ~

лгО.Эбпдоп;

- максимальный

статический

коэффициент

пере­

дачи тока;

Л<оmin и /котах определяются по данным

справочника,

где

приводится

зависимость

/ко=/(9)

или

указываются значения

/ко при Gni=20° С и 0П 2

= 5О—70° С

для

(71 ! Э ^10

В

(см. также

кри­

вые рис. I I I . 8). Зависимость В =

= / ( / к )

приводится

в

справочни­

ках для 9 =20° С; при этом

ука­

зываются

границы

разброса

воз­

можных

значений

В.

(Значения

Вшах

определяются

при /Э т\п по^

кривой,

отвечающей

верхней

гра­

нице

разброса,

значения

Bm m —

при токе /эшах и кривой, отвечаю­

щей

нижней

границе

разброса.)

в)

Если /бш min <

0,

то

тран­

зистор

должен

работать

с

захо­

1ко

дом в область

обратных

смеще­

ний

на

эмиттериом

переходе;

такой

режим

обеспечивается вы­

бором сопротивления Ra2

из усло­

вия

У

,с2

7"

]6Ul min

где

/ "

m

i n — минимально

допусти­

•

мый рабочий ток эмиттера

согла­

so

сующего

транзистора,

который

Рис.

111.8

выбирается примерно в 1—2 раза

больше,

чем

обратный

или на­

чальный ток коллекторного

пере­

хода; обычно

принимают

/ э

2 т ш ~ 5 — 1 0

лгА-для кремниевых и

10—20 мА для германиевых

транзисторов.

г) Если

/бш m i n >

0,

то сопротивление R& должно

удовлет­

ворять условию

и.

и,

кОм

,с2

Г"

< 5—15