Файл: Минскер Ф.Е. Сборка полупроводниковых приборов учеб. пособие.pdf

ствия влаги, операции лакирования структур с электронно-ды­ рочными переходами проводить в атмосфере с очень низкой от­ носительной влажностью. Такую среду можно получать в спе­ циальных скафандрах. Скафандр представляет собой замкнутую камеру с вводимым под небольшим давлением инертным газом — азотом или аргоном, прошедшим через осушительную колонку. Это избыточное давление препятствует проникновению наруж­ ного воздуха. Резиновые диафрагмы в передней панели скафанд­ ра позволяют оператору работать без значительного нарушения герметичности. Чтобы влага не испарялась с рук, применяют ре­ зиновые перчатки. Азот очищают до содержания кислорода не более 1 • 10-4% и точки росы порядка —60—70° С.

Перед началом работы инструмент, приспособления и хими­ ческую посуду протирают спиртом. Эмали и лаки перед употреб­ лением тщательно размешивают до получения однородного состава. Лак наносите помощью стеклянной иглы, шприца, окуна­ нием и т. д. Так, планарный транзистор для гибридных микро­ схем (рис. 51) защищают методом окунания. Меза-структуру (рис. 52) покрывают с помощью иглы. Кончик иглы опускают е

78

вывод

тигель с эмалыо и затем наносят эмаль на структуру с р-п-пере- ходом таким образом, чтобы она закрыла кристалл и никелевую проволоку электрода на высоту 0,1—0,3 мм. Арматуры (рис. 53, 54) также защищают с помощью иглы. Причем на рис. 53 ком­ паундом 4 закрывают арматуру, которая после процессов сплав­ ления и химической обработки уже покрыта слоем силана.

Эпитаксиальную р—і—и-структуру с присоединенным верх­ ним выводом и напаянную на держатель (рис. 55) защищают с помощью шприца. В шприц набирают лак и осторожно неболь­ шими порциями закрывают поверхность структуры с припаян­

ной плющенной.

Наиболее трудоемкой является операция лакирования торце­ вых граней кристалла тех структур, где надо защищать только р-п-переход, выходящий на боковые поверхности, не затронув

J

нижнюю и верхнюю поверхности кристалла, так как после лаки­ рования к кристаллу будут припаивать выводы и нужно будет производить монтаж на ножку (рис. 56).

Защиту гибридной интегральной схемы (рис. 57) производят в специальных кассетах на полуавтоматических установках, в которых осуществлен процесс дозирования капли эмали.

Процесс лакирования требует от исполнителей внимательно­ сти и аккуратности. Лак наносят тонким слоем. От толщины пленки зависит величина механических напряжений, а следова­ тельно, и электрические параметры. В процессе лакирования эмали периодически перемешивают, а загустевшую эмаль необ­ ходимо разбавлять растворителем до нужной консистенции. Пос­ ле нанесения лака или эмали структуры сушат для удаления растворителей и глубокой полимеризации. Для этого арматуру или кристаллы с нанесенным слоем лака или эмали в специаль-

80

ных кассетах или лодочках помещают в вакуумные сушильные шкафы, печи инфракрасной сушки или обычные термостаты. Ре­ жимы сушки (температура, время выдержки) определяются ха­ рактером и типом выбранного защитного покрытия.

Контроль качества залакированных структур осуществляется внешним осмотром невооруженным глазом или под микроско­ пом. Не допускается затекания лака на поверхности кристалла и элементы конструкции арматур, где это может препятствовать

В производстве полупро­ водниковых приборов может применяться защита р-«-переходов

спомощью кремнийорганического вазелина, иногда в сочетании

свлагопоглощающими добавками, вводимого в капсулу прибора Изоляционный вазелин представляет собой смесь кремнийорга-

нической жидкости с мелкодисперсным наполнителем в виде вяз­ кой пасты. В промышленности применяют кремнийорганические вазелины КВ-2А, КВ-3 и др. Удельное объемное сопротивление вазелииов типа КВ в рабочем диапазоне температур до 150° С не менее 1012 ом-см, электрическая прочность порядка 15 кв/мм.

81