Файл: Минскер Ф.Е. Сборка полупроводниковых приборов учеб. пособие.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 24.07.2024

Просмотров: 125

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

300—400° С в течение 20—30 мин, а затем тщательно обезжири­ вают.

Процесс присоединения тонкой металлической проволоки 0 10—100 мкм происходит следующим образом (см. рис. 33). На опору 1 укладывают полупроводниковый кристалл, к которому подводят металлическую проволоку, прижимают ее к кристаллу сварочной иглой 3 с определенным усилием (0,1—0,3 кГ). Сва­ рочная игла прикреплена к волноводу 5 (или является одним це­ лым с ним). С помощью магнитострикционного преобразовате­ ля 6 от ультразвукового генератора (на рисунке не показан) на волновод подаются ультразвуковые колебания с частотой 20— 60 кгц. Время сварки составляет 0,2—2 сек. После окончания процесса сварки волновод со сварочной иглой поднимается. Этот способ применяется для присоединения тонких металлических проволок к планарным диодам и транзисторам.

Наиболее характерными видами брака при ультразвуковой сварке являются:

растрескивание кристалла, которое в основном происходит из-за большей, чем необходимо, амплитуды колебаний;

сильная деформация проволоки (более 60%), образующаяся при неправильном выборе контактного усилия и времени сварки.

Одной из разновидностей ультразвуковой сварки является ультразвуковая сварка с косвенным импульсным нагревом дета­ лей. Тепло поступает от сварочного инструмента, нагреваемого проходящим током. Основным преимуществом этого метода яв­ ляется то, что он позволяет соединять большее количество ком­ бинаций материалов при сравнительно небольшом нагреве и деформации. Этот метод можно с успехом применять и для при­ соединения мощных плоских металлических проводников к неметалдпзироваинон поверхности полупроводника.

Физическая сущность данного способа соединения несколько отличается от ультразвуковой сварки. В данном случае сварка происходит при 380—750° С, превышающих температуру эвтек­ тики соединяемых материалов. Высокая температура активизи­ рует процессы на поверхностях, и соединение образуется в тече­ ние 0,1—0,25 сек. За это время может образоваться столь мало жидкой эвтектики, что сварка происходит практически в твердой фазе.

Механическое вращение пли ультразвуковые колебания инст­ румента интенсивно разрушают окисные пленки па кремнии, что в определенных условиях способствует интенсивному процессу схватывания, т. е. сварке. Давление на игле-пуансоне создает внутренние напряжения в контактных областях, а также различ­ ного вида несовершенства в кристаллических структурах, что значительно ускоряет процессы перемещения контактирующих масс. Кроме того, давление со стороны иглы выдавливает избы­ точную эвтектическую жидкость (если она образовалась) вместе с кусочками окнсных пленок и всякого рода загрязнений контак­ тов па периферийную часть.


Находит применение еще одна разновидность ультразвуковой сварки, при которой соединяемые материалы нагреваются от по­ стоянно нагретого столика и сварочного инструмента. Приме­ ром применения такого способа сварки является присоединение выводов к кремниевым меза-структурам. Кремниевые мезаструктуры представлены на рис. 34. Я-л-переход в них получен диффузией алюминия и располагается на глубине 150 мкм. Ма­ лое сопротивление омического контакта в таких структурах до­ стигается высоким легированием поверхностных областей. Для сборки таких диффузионных структур с успехом можно приме­ нить комбинированный метод микросварки давлением с ультра­

 

звуком, допуская возможное про­

 

плавление

слоя кремния

толщиной

 

до 20 мкм, так как слой высоколе­

 

гированного

кремния

составляет

 

25—40 мкм.

 

 

 

 

 

В этом случае вывод представля­

 

ет собой серебряную ленту, которая

 

гальванически

покрывается

слоем

Рнс. 34. Кремниевая диодная

никеля толщиной 2—5 мкм, а затем

слоем золота

толщиной

8—'10 мкм.

меза-структура

Серебро

обладает

высокой

тепло­

 

проводностью

и

вследствие

своей

пластичности исключает возникновение высоких механических напряжений в контакте с кремнием. Никелевая прослойка пре­ пятствует проникновению серебра в сплав золота с кремнием, что повлекло бы за собой уменьшение прочности сплава.

Присоединение выводов этим методом осуществляется на ус­ тановке с применением продольно-поперечных ультразвуковых колебаний, схема которой представлена на рис. 35. На нагрева­ тельный столик 7, поставленный на микроманипулятор, помеще­ на кассета 6, в которую закладывается вывод, на него кристалл кремния 5 и сверху второй вывод. Игла диаметром 1—1,5 мм опускается сверху на второй вывод. Давление иглы регулируется с помощью электромагнита.

На верхнюю иглу подаются ультразвуковые колебания с час­ тотой 20 кгц. Вокруг иглы располагается спираль нагревателя. Охлаждение производится без выключения нагревателя с по­ мощью обдува холодным воздухом. Это способствует быстрой кристаллизации жидкой фазы, образовавшейся в результате сплавления.

Сборка полупроводниковых структур указанным методом мик­ росварки происходит на открытом воздухе, поэтому в процессе сварки возможно загрязнение поверхности р-я-перехода, а соот­ ветственно и ухудшение его электрических параметров. Чтобы очистить поверхность р-л-перехода, полупроводниковый кристалл после присоединения выводов травят в смеси азотной, плавико­ вой и уксусной кислот, тщательно промывают и сушат.

Качество полученного соединения определяют с помощью ме­

52


ханических и электрических испытаний, а также металлографи­ ческого анализа. По металлографическим шлифам на участках присоединения выводов можно выявить дефекты этого процесса: проплавление глубже р-/г-перехода, трещины в кремнии и др.

Рис. 35. Схема установки для присоединения выводов с применением ультразвуковой сварки с продольно-поперечными колебаниями:

1 — электромагнит, 2 — механизм давления,

3 — гене­

ратор, 4 — магннтострнктор, 5 — кристалл, 6

— кассе­

та, 7 — нижний столик,

S — нижний нагреватель, 9 —

верхний нагреватель,

10 — блок крепления

иглы

Оптимальный режим присоединения плоских выводов на установке

с продольно-поперечными ультразвуковыми колебаниями

Температура

процесса . .

400° С

Давление на игле . . .

170 кГ/см-

Время действия ультра­

3—5 сек

звуковых

колебаний .

Частота ультразвуковых

25 кгц

колебаний....................

Следует отметить, что оптимальный режим присоединения выводов выбирают в соответствии с условиями получения соеди­ нения максимальной прочности и минимальной глубины сплав­ ления (8— 10 мкм).

53

Контактная точечная микросварка

Процесс контактной точечной микросварки заключается в на­ греве металла в местах максимального электрического сопро­ тивления при прохождении тока и одновременном сжатии сва­ риваемых деталей.

Основным показателем, определяющим технологию сварки, является состояние металла во время сварки. Исходя из этого, образующиеся соединения можно подразделить на две группы: соединения в твердой фазе при совместной пластической дефор­ мации и соединения с литым ядром, в которых металлы совмест­ но расплавляются.

Соединения первой группы образуются в результате пласти­ ческой деформации металлов, нагретых до температуры выше температуры рекристаллизации, активирующей силы межмоле­ кулярного взаимодействия на границе раздела.

Между соединениями второй группы образуется ванночка расплавленного металла. После удаления источника тепла (пре­ кращения электрического тока) металл в ванночке затвердевает (кристаллизация) и происходит сварка.

Процесс контактной точечной сварки определяют три основ­ ных параметра: 1 ) величина сварочного тока (скорость нараста­ ния тока и максимальное значение); 2 ) время сварки (длитель­ ность протекания тока); 3) усилие, сжатия электродов (прило­ женное давление).

Метод контактной точечной мпкросваркп обладает рядом преимуществ перед другими способами сварки: нагрев места сое­ динения при сварке строго локален; высокая производительность процесса; широкий диапазон свариваемых материалов; процесс сварки в меньшей степени зависит от оператора.

Контактная микросварка может проводиться тремя основны­ ми способами (рис. 36):

1 ) сварка с двусторонним расположением электродов;

2 ) сварка с односторонним расположением электродов;

3) сварка сдвоенным (расщепленным) электродом.

На рис. 37 показан пример присоединения тонкой золотой проволоки 0 50 мкм к планарной диодной структуре контакт­ ной точечной сваркой с двусторонним расположением электро­ дов.

В последнее время наибольшее распространение получил спо­ соб односторонней контактной сварки сдвоенным (расщеплен­ ным) электродом. В этом случае разрезной электрод состоит из двух токонесущих элементов, между которыми имеется слой изоляции. В момент прижатия этими элементами свариваемой детали (например, проволоки) пропускается электрический ток. При этом в основном разогревается верхняя деталь и сварка про­ исходит под действием осадки и пластической деформации де­ тали. В зависимости от размеров свариваемых проводников и требований, предъявляемых к соединениям, зазор между элек-

54

/


тродами может составлять от 10 мкм до 1,0 мм. Материалом электродов служат специальные сплавы, молибден, вольфрам.

Оптимальные режимы контактной микросварки расщеплен­ ным электродом приведены в табл. 5. Режимы даны для уста­ новки «Контакт ЗА», которую используют в производстве по­ лупроводниковых приборов.

Этот метод широко применяют для присоединения тонких »ме­ таллических проволочек к металлизированным полупроводнико­

вым структурам

(диодным, транзисторным),

а также для изготовления внутренних соеди-

у

пений в гибридных и твердых схемах. Спосо­

JL-

бом сварки сдвоенным электродом можно с

успехом

присоединить проводники

диаметром

'

20—200

мкм.

Процесс сварки

сдвоенным

 

Р

5)

8)

а)

Рис. 36. Способы контактной микросварки:

а — сварка с двухсторонним

расположени­

ем

электродов,

б — сварка

с односторон­

ним

расположением электродов, в — свар­

ка сдвоенным

(расщепленным) электродом

Рис. 37. Схема процесса контакт­ ной точечной свар­ ки с двусторонним расположением электродов

электродом является высокопроизводительным. Производитель­ ность отечественных установок составляет 1000—1400 сварок/ч. Прочность образующихся соединений достаточно высока и срав­ нима с прочностью на разрыв присоединяемой проволоки.

Необходимо отметить, что способы контактной микросварки с большим успехом можно применять для разводки металличе­ ских проводников на ножки корпуса полупроводниковых прибо­ ров и интегральных микросхем.

Применение контактной микросварки для присоединения вы-. водов к активным площадкам полупроводниковых структур огра­ ничено из-за высокого локального нагрева места соединения. Однако диапазон применения этого метода для присоединения выводов к полупроводниковым кристаллам значительно увели­ чивается при создании на планарной транзисторной или диодной структуре «расширенного контакта» (рис. 38). В этом случае высокий локальный нагрев в меньшей степени влияет на свойст­ ва р-/г-перехода.

55