Файл: Минскер Ф.Е. Сборка полупроводниковых приборов учеб. пособие.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 24.07.2024
Просмотров: 125
Скачиваний: 0
300—400° С в течение 20—30 мин, а затем тщательно обезжири вают.
Процесс присоединения тонкой металлической проволоки 0 10—100 мкм происходит следующим образом (см. рис. 33). На опору 1 укладывают полупроводниковый кристалл, к которому подводят металлическую проволоку, прижимают ее к кристаллу сварочной иглой 3 с определенным усилием (0,1—0,3 кГ). Сва рочная игла прикреплена к волноводу 5 (или является одним це лым с ним). С помощью магнитострикционного преобразовате ля 6 от ультразвукового генератора (на рисунке не показан) на волновод подаются ультразвуковые колебания с частотой 20— 60 кгц. Время сварки составляет 0,2—2 сек. После окончания процесса сварки волновод со сварочной иглой поднимается. Этот способ применяется для присоединения тонких металлических проволок к планарным диодам и транзисторам.
Наиболее характерными видами брака при ультразвуковой сварке являются:
растрескивание кристалла, которое в основном происходит из-за большей, чем необходимо, амплитуды колебаний;
сильная деформация проволоки (более 60%), образующаяся при неправильном выборе контактного усилия и времени сварки.
Одной из разновидностей ультразвуковой сварки является ультразвуковая сварка с косвенным импульсным нагревом дета лей. Тепло поступает от сварочного инструмента, нагреваемого проходящим током. Основным преимуществом этого метода яв ляется то, что он позволяет соединять большее количество ком бинаций материалов при сравнительно небольшом нагреве и деформации. Этот метод можно с успехом применять и для при соединения мощных плоских металлических проводников к неметалдпзироваинон поверхности полупроводника.
Физическая сущность данного способа соединения несколько отличается от ультразвуковой сварки. В данном случае сварка происходит при 380—750° С, превышающих температуру эвтек тики соединяемых материалов. Высокая температура активизи рует процессы на поверхностях, и соединение образуется в тече ние 0,1—0,25 сек. За это время может образоваться столь мало жидкой эвтектики, что сварка происходит практически в твердой фазе.
Механическое вращение пли ультразвуковые колебания инст румента интенсивно разрушают окисные пленки па кремнии, что в определенных условиях способствует интенсивному процессу схватывания, т. е. сварке. Давление на игле-пуансоне создает внутренние напряжения в контактных областях, а также различ ного вида несовершенства в кристаллических структурах, что значительно ускоряет процессы перемещения контактирующих масс. Кроме того, давление со стороны иглы выдавливает избы точную эвтектическую жидкость (если она образовалась) вместе с кусочками окнсных пленок и всякого рода загрязнений контак тов па периферийную часть.
Находит применение еще одна разновидность ультразвуковой сварки, при которой соединяемые материалы нагреваются от по стоянно нагретого столика и сварочного инструмента. Приме ром применения такого способа сварки является присоединение выводов к кремниевым меза-структурам. Кремниевые мезаструктуры представлены на рис. 34. Я-л-переход в них получен диффузией алюминия и располагается на глубине 150 мкм. Ма лое сопротивление омического контакта в таких структурах до стигается высоким легированием поверхностных областей. Для сборки таких диффузионных структур с успехом можно приме нить комбинированный метод микросварки давлением с ультра
|
звуком, допуская возможное про |
|||||
|
плавление |
слоя кремния |
толщиной |
|||
|
до 20 мкм, так как слой высоколе |
|||||
|
гированного |
кремния |
составляет |
|||
|
25—40 мкм. |
|
|
|
|
|
|
В этом случае вывод представля |
|||||
|
ет собой серебряную ленту, которая |
|||||
|
гальванически |
покрывается |
слоем |
|||
Рнс. 34. Кремниевая диодная |
никеля толщиной 2—5 мкм, а затем |
|||||
слоем золота |
толщиной |
8—'10 мкм. |
||||
меза-структура |
Серебро |
обладает |
высокой |
тепло |
||
|
проводностью |
и |
вследствие |
своей |
пластичности исключает возникновение высоких механических напряжений в контакте с кремнием. Никелевая прослойка пре пятствует проникновению серебра в сплав золота с кремнием, что повлекло бы за собой уменьшение прочности сплава.
Присоединение выводов этим методом осуществляется на ус тановке с применением продольно-поперечных ультразвуковых колебаний, схема которой представлена на рис. 35. На нагрева тельный столик 7, поставленный на микроманипулятор, помеще на кассета 6, в которую закладывается вывод, на него кристалл кремния 5 и сверху второй вывод. Игла диаметром 1—1,5 мм опускается сверху на второй вывод. Давление иглы регулируется с помощью электромагнита.
На верхнюю иглу подаются ультразвуковые колебания с час тотой 20 кгц. Вокруг иглы располагается спираль нагревателя. Охлаждение производится без выключения нагревателя с по мощью обдува холодным воздухом. Это способствует быстрой кристаллизации жидкой фазы, образовавшейся в результате сплавления.
Сборка полупроводниковых структур указанным методом мик росварки происходит на открытом воздухе, поэтому в процессе сварки возможно загрязнение поверхности р-я-перехода, а соот ветственно и ухудшение его электрических параметров. Чтобы очистить поверхность р-л-перехода, полупроводниковый кристалл после присоединения выводов травят в смеси азотной, плавико вой и уксусной кислот, тщательно промывают и сушат.
Качество полученного соединения определяют с помощью ме
52
ханических и электрических испытаний, а также металлографи ческого анализа. По металлографическим шлифам на участках присоединения выводов можно выявить дефекты этого процесса: проплавление глубже р-/г-перехода, трещины в кремнии и др.
Рис. 35. Схема установки для присоединения выводов с применением ультразвуковой сварки с продольно-поперечными колебаниями:
1 — электромагнит, 2 — механизм давления, |
3 — гене |
|
ратор, 4 — магннтострнктор, 5 — кристалл, 6 |
— кассе |
|
та, 7 — нижний столик, |
S — нижний нагреватель, 9 — |
|
верхний нагреватель, |
10 — блок крепления |
иглы |
Оптимальный режим присоединения плоских выводов на установке
с продольно-поперечными ультразвуковыми колебаниями
Температура |
процесса . . |
400° С |
Давление на игле . . . |
170 кГ/см- |
|
Время действия ультра |
3—5 сек |
|
звуковых |
колебаний . |
|
Частота ультразвуковых |
25 кгц |
|
колебаний.................... |
Следует отметить, что оптимальный режим присоединения выводов выбирают в соответствии с условиями получения соеди нения максимальной прочности и минимальной глубины сплав ления (8— 10 мкм).
53
Контактная точечная микросварка
Процесс контактной точечной микросварки заключается в на греве металла в местах максимального электрического сопро тивления при прохождении тока и одновременном сжатии сва риваемых деталей.
Основным показателем, определяющим технологию сварки, является состояние металла во время сварки. Исходя из этого, образующиеся соединения можно подразделить на две группы: соединения в твердой фазе при совместной пластической дефор мации и соединения с литым ядром, в которых металлы совмест но расплавляются.
Соединения первой группы образуются в результате пласти ческой деформации металлов, нагретых до температуры выше температуры рекристаллизации, активирующей силы межмоле кулярного взаимодействия на границе раздела.
Между соединениями второй группы образуется ванночка расплавленного металла. После удаления источника тепла (пре кращения электрического тока) металл в ванночке затвердевает (кристаллизация) и происходит сварка.
Процесс контактной точечной сварки определяют три основ ных параметра: 1 ) величина сварочного тока (скорость нараста ния тока и максимальное значение); 2 ) время сварки (длитель ность протекания тока); 3) усилие, сжатия электродов (прило женное давление).
Метод контактной точечной мпкросваркп обладает рядом преимуществ перед другими способами сварки: нагрев места сое динения при сварке строго локален; высокая производительность процесса; широкий диапазон свариваемых материалов; процесс сварки в меньшей степени зависит от оператора.
Контактная микросварка может проводиться тремя основны ми способами (рис. 36):
1 ) сварка с двусторонним расположением электродов;
2 ) сварка с односторонним расположением электродов;
3) сварка сдвоенным (расщепленным) электродом.
На рис. 37 показан пример присоединения тонкой золотой проволоки 0 50 мкм к планарной диодной структуре контакт ной точечной сваркой с двусторонним расположением электро дов.
В последнее время наибольшее распространение получил спо соб односторонней контактной сварки сдвоенным (расщеплен ным) электродом. В этом случае разрезной электрод состоит из двух токонесущих элементов, между которыми имеется слой изоляции. В момент прижатия этими элементами свариваемой детали (например, проволоки) пропускается электрический ток. При этом в основном разогревается верхняя деталь и сварка про исходит под действием осадки и пластической деформации де тали. В зависимости от размеров свариваемых проводников и требований, предъявляемых к соединениям, зазор между элек-
54
/
тродами может составлять от 10 мкм до 1,0 мм. Материалом электродов служат специальные сплавы, молибден, вольфрам.
Оптимальные режимы контактной микросварки расщеплен ным электродом приведены в табл. 5. Режимы даны для уста новки «Контакт ЗА», которую используют в производстве по лупроводниковых приборов.
Этот метод широко применяют для присоединения тонких »ме таллических проволочек к металлизированным полупроводнико
вым структурам |
(диодным, транзисторным), |
>р |
||
а также для изготовления внутренних соеди- |
у |
|||
пений в гибридных и твердых схемах. Спосо |
JL- |
|||
бом сварки сдвоенным электродом можно с |
||||
успехом |
присоединить проводники |
диаметром |
' |
|
20—200 |
мкм. |
Процесс сварки |
сдвоенным |
|
Р |
5) |
8) |
а) |
Рис. 36. Способы контактной микросварки:
а — сварка с двухсторонним |
расположени |
||
ем |
электродов, |
б — сварка |
с односторон |
ним |
расположением электродов, в — свар |
||
ка сдвоенным |
(расщепленным) электродом |
Рис. 37. Схема процесса контакт ной точечной свар ки с двусторонним расположением электродов
электродом является высокопроизводительным. Производитель ность отечественных установок составляет 1000—1400 сварок/ч. Прочность образующихся соединений достаточно высока и срав нима с прочностью на разрыв присоединяемой проволоки.
Необходимо отметить, что способы контактной микросварки с большим успехом можно применять для разводки металличе ских проводников на ножки корпуса полупроводниковых прибо ров и интегральных микросхем.
Применение контактной микросварки для присоединения вы-. водов к активным площадкам полупроводниковых структур огра ничено из-за высокого локального нагрева места соединения. Однако диапазон применения этого метода для присоединения выводов к полупроводниковым кристаллам значительно увели чивается при создании на планарной транзисторной или диодной структуре «расширенного контакта» (рис. 38). В этом случае высокий локальный нагрев в меньшей степени влияет на свойст ва р-/г-перехода.
55