Файл: Воскресенский В.В. Применение туннельных диодов в импульсной технике.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 27.07.2024
Просмотров: 83
Скачиваний: 0
r'2 |
= |
( L |
U - |
^ ) / ( / о б 2 - |
Л) = - ( У о в в - |
W i - |
/ о в 2 ) ; |
(1.18) |
|
< |
= |
+ a I /-;[, |
|
|
|
|
( i . i 9 ) |
||
а при У о б г ^ И д ^ У г |
' |
|
|
|
|
|
|||
1 д |
= |
( е ; - и . д ) / | / - ; | ; |
|
|
|
|
(1.20) |
||
/J = |
( £ / B - t / o 6 a ) / ( / 2 - / o 6 |
2 ) = - ( C / 2 - L / O |
6 2 |
) / ( / O 6 |
2 - / 2 ) ; |
(1.21) |
|||
e; = Uz + Iu\r"2\. |
|
|
|
|
(1.22) |
||||
На третьем |
участке характеристики для £ / 2 |
^ и д : ^ £/0 д 3 |
|
||||||
£я = |
( « |
д - |
^ ; |
|
|
|
0-23) |
|
|
r'3{Uo63-U,Wo63-[2); |
|
|
|
|
(1.24) |
||||
^=1/3 - /^3 , |
|
|
|
|
(1.25) |
а для |
|
и0вз^ия^иА |
|
|
|
|
|
|
£д |
= |
( и д - е з ) / Г з ; |
|
|
|
(1.26) |
||
r; |
= |
( t / s - ^ 6 8 ) / ( / i - / o f i 3 ) ; |
, |
|
(1-27) |
|||
е 3 - = 6 / 3 - / 1 Г з . |
|
|
|
(1.28) |
||||
Н а п р я ж е н и я |
£ / 0 б 2 |
и |
С70б з находятся из |
выражения |
(1.10) под |
|||
становкой значения / 0 |
б 2 или / 0 б з при у = 3: |
|
|
|||||
t / o 6 2 |
= < Л - (U3 |
- |
(/а ) ( / o 6 |
2 - / 2 ) / ( / i - / 2 |
) ; |
(1.29) |
||
^ о б з |
= Uu |
+ (U3 |
~ |
U2) K ( / o 0 |
3 - /,)/(/, _ |
/ 2 ) . |
(1.30) |
Эквивалентные схемы диода для соответствующих участков ха
рактеристики |
аналогичны схемам рис. 1.4в, г. Это дает |
основание |
|||
анализировать |
схемы, |
используя |
простую |
линейную |
аппроксима |
цию, а затем уточнять |
значение |
входящих |
в аппроксимацию вели |
чии, выбирая наиболее удобные общие точки. Поскольку эквива лентная схема рис. 1.4г является более общей, то при анализе це лесообразно использовать ее и, если необходимо, дл я первого уча стка в окончательном выражении полагать ei = 0. Кроме того, та кая аппроксимация позволяет после анализа выделить только нуж
ный |
участок |
характеристики и представить |
его в виде одного или |
двух |
отрезков прямой. |
|
|
В |
общем |
случае можно рекомендовать |
аппроксимацию каждой |
ветви характеристики двумя отрезками, имеющими общие точки с координатами / 0 б i = 0,8 h, / о б 2 = / о б з = 4/г, при этом
Uo61 |
= 0,55С/1 ; |
|
(1.31) |
Uo* |
= V*-V*-U*)¥ |
3 / a / ( / i - / 2 ) ; |
(1.32) |
Uo63 |
= UU + (U3 - U2) Y |
3/ a /(/i - / 2 ) . |
(1.33) |
t l
На рис. 1.6а, б приведены реальная характеристика одного об
разца |
Т Д типа З И 2 0 1 Б |
и графики, |
аппроксимирующие ее первый: |
||
и третий участки, для всех трех рассмотренных |
способов аппрокси |
||||
мации, |
а на рис. l.Qe, г |
— графики |
|
ошибок по |
напряжению ДЛЯ |
|
|
£А,мА |
I |
I |
|
|
|
• Аппроксимации: |
|
~ линейная
-кусочно-линейная •кубическая
|
|
|
0,04 0,08 |
ил,8 |
|
|
|
|
|
|
|
40 |
|
|
|
|
би(1.) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
\ |
|
|
|
20 |
|
|
|
|
|
|
|
*> \ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
\ |
||
|
О |
|
|
5Г= |
|
|
А |
|
||
|
|
|
|
|
|
|
\\ |
|||
|
-20 |
|
|
|
|
г |
|
|
||
|
|
|
|
|
/у |
\. |
|
. |
\ |
|
|
-40 |
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
Ч |
|
|
\ |
|
|
-SO |
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
« |
И |
: |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
04 |
08 |
|
0,1 |
03 |
|
V |
l2u„S |
|
Рис. 1.6. К описанию ТД: |
|
|
|
|
|
||||
|
а), |
б) |
различные способы аппроксимации восходящих участков |
тун |
||||||
|
нельной и диффузионной ветвей характеристик; в), |
г) |
соответствую |
|||||||
|
щие ошибки аппроксимации по напряжению |
|
|
|
||||||
каждой |
аппроксимации |
(при кусочно-линейной |
аппроксимации об |
|||||||
щие |
точки |
соответствовали |
/ 0 б i = 0 . 8 / i , / 0 б з = 4 / 2 ) . Ошибки |
аппрок |
||||||
симации |
вычислялись |
по |
формуле 8u=(Up—Uun)/Uv% |
при 1 д = / р , |
||||||
где |
Up и / р |
— |
координаты |
точки |
реальной вольтамперной |
характе |
ристик и Т Д , a Uan — координата аппроксимирующей кривой, соот ветствующей / р . Из графиков видно, что при кусочно-линейной ап проксимации ошибка да имеет в среднем величину 10 + 20% и зна чительно меньше, чем соответствующие ошибки для простой линей ной аппроксимации. Ошибки по току несколько больше, чем по на-
12
п р я ж е н ию (на участках с минимальным током), однако в большин стве практических случаев л е ж а т в допустимых пределах.
Довольно часто встречаются устройства, в которых два или бо лее Т Д включены последовательно. Эквивалентная схема такого
а) |
|
6) |
|
|
|
|
|
|
|
т |
© |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1 |
д ; |
|
|
|
|
|
|
|
|
к |
-1 |
4 |
/ |
х/ |
|
|
|
|
|
ч / |
«у |
|
|
|
|
|||
|
1г |
Ч |
V |
|
У |
/ |
/ |
/ |
*У |
|
~ет |
I |
|
/ |
|
/ |
/ |
|
/// |
|
+ |
|
|
|
|
|
|
|
|
J |
о- |
I? Н |
|
/ |
/ |
/ |
/ / |
S |
|
|
2е, |
|
|
(п-1)е. пе3 |
|
||||
|
|
|
|
|
|
||||
Рис. '1.7. Последовательно |
соединенные ТД: |
|
|
а) эквивалентная схема; б) вольтампериая характеристика стой линейной аппроксимации характеристики каждого ТД
^8
при про
включения диодов при линейной аппроксимации |
представлена на |
|
рис. 1.7а, |
где |
|
Rm |
= r1{n — m) + пгг3; |
(1.34) |
em |
= <?i (п — т) + те3; |
(1.35) |
п — общее число ТД , включенных последовательно; т — количест во ТД, находящихся в состоянии высокого уровня напряжения . При
этом полагается, что ни один диод не имеет устойчивого |
состояния |
|
в области с отрицательным сопротивлением. Н а рис. 1.76 |
показана |
|
вольтампериая |
характеристика такого соединения Т Д при простой |
|
а) |
6) |
|
|
и |
|
и |
и |
Рис. 1.8. Эквивалентные |
вольтамперные характеристики: |
|
||
а) параллельно соединенных ТД и |
резистора; б) последовательно |
соединен |
||
ных |
ТД и резистора; в) |
параллельно |
соединенных ТД и транзистора |
при раз |
ных |
токах базы |
|
|
|
13
линейной аппроксимации |
(ej = 0) |
без учета участков с отрицатель |
|||
ным сопротивлением, которая описывается выражением |
|||||
1 Д = ( « д |
в т — me^/R, |
|
|
|
(1.36) |
на участках изменения u w |
m , л е ж а щ и х в пределах |
|
|||
[п — т) |
+ ml)г < идвт < {п — т) Ux + |
mU3, |
(1.37) |
||
в которых ток двухполюсника |
h^in^h- |
|
|
||
Рассмотрим |
результирующие |
вольтамперные |
характеристики, |
||
получаемые при соединении Т Д с |
резисторами |
и с |
транзистором. |
||
К а к известно, |
при параллельном |
соединении |
двух |
элементов их |
результирующую вольтамперную характеристику получают сложе
нием токов, |
а при |
последовательном соединении — напряжений . |
||
Н а рис. 1.8а, |
б, в показаны |
схемы соединения Т Д с |
другими эле |
|
ментами, их |
вольтамперные |
и результирующие |
характеристики |
|
(штрих-пунктирные |
кривые) . |
|
Г Л А В А В Т О Р А Я
Генераторы импульсов
•
2.1. П Р И Н Ц И П П О С Т Р О Е Н И Я
Составными элементами генератора являются: двухполюсник с отрицательным сопротивлением, реактивный эле мент (накопитель энергии) и источник питания (рис. 2.1). Общее правило, которое необходимо соблюдать при построении генерато ров на элементах с отрицательным сопротивлением, следующее. Ес-
Рис. 2.1. Варианты эквивалентных схем генераторов, содержа щих двухполюсник с отрицательным сопротивлением:
а) генератор с двухполюсником N-типа и источником постоян ного напряжения; б) генератор с двухполюсником Л'-типа и источником постоянного тока; в) генератор с двухполюсни
ком S-типа и источником постоянного напряжения; |
г) |
генера |
|
тор с двухполюсником S-типа и источником постоянного тока |
|||
ли используется двухполюсник с |
отрицательным |
сопротивлением |
|
Л'-типа, в котором возможны скачки напряжения |
при |
практически |
|
неизменном токе, то и реактивный накопитель должен |
обеспечивать |
||
возможность скачков напряжения |
при неизменном |
токе. В качестве |
15
таких накопителей используют катушки индуктивности или отрезки длинных линий, замкнутых на конце.
Если ж е двухполюсник |
имеет |
вольтамперную |
характеристику |
|||||||
S-типа, которая обеспечивает возможность скачков тока при прак |
||||||||||
тически неизменном напряжении, то такими |
ж е |
свойствами |
должен |
|||||||
обладать и реактивный элемент (конденсатор или |
разомкнутый на |
|||||||||
конце отрезок |
длинной линии). |
Соответствующие |
эквивалентные |
|||||||
схемы приведены на рис. 2.1а, б, в, г. |
|
|
|
|
|
|
|
|||
Соединение между собой реактивного элемента и двухполюсни |
||||||||||
ка определяется типом источника питания. Если |
питание |
подается |
||||||||
от источника постоянного напряжения, то все основные |
элементы |
|||||||||
схемы включаются последовательно с ним |
(рис. 2.1а, |
г), |
а при ис |
|||||||
пользовании |
источника- |
постоянного |
тока |
— параллельно |
(рис. |
|||||
2Л6, в). Наличие в схемах |
рис. 2.16, г |
резисторов |
R |
обусловлено |
условиями самовозбуждения генераторов, о чем будет сказано ни
же . |
Схемы генераторов на |
рис. 2.1а, в дуальны, то ж е молено |
ска |
||
зать |
и о схемах на рис. 2.16, |
г. |
|
|
|
Поскольку в настоящей работе рассматриваются генераторы |
на |
||||
Т Д |
с вольтамперными характеристиками |
А?-типа, |
ограничимся |
ис |
|
следованием генераторов, эквивалентные |
схемы |
которых приведе |
|||
ны на рис. 2.1а и б. |
|
|
|
|
Реальные схемы генераторов обычно несколько отличаются от изображенных на рис. 2.1а и б, хотя бы потому, что не существует идеальных генераторов н а п р я ж е н и я и тока. Источник напряжения всегда обладает внутренним сопротивлением, а сопротивление источника тока не бесконечно велико. Кроме того, л ю б а я катушка индуктивности имеет активное сопротивление. Дополнительные эле менты включают в генератор т а к ж е д л я улучшения формы генери руемых импульсов, ограничения тока и т. д.
2.2. П Р И Н Ц И П Р А Б О Т Ы
Рассмотрим рис. 2.2а. Резистор R на этой схеме включает в себя сопротивление источника питания и катушки . Иногда такое сопротивление включают для обеспечения заданной длительности импульса или ее регулировки. П р е ж д е чем рассмот реть работу генератора, составим дифференциальное уравнение данной цепи, для простоты пренебрегая паразитными п а р а м е т р а м и схемы:
E |
= i,R+Ld-£ |
at + |
uR. |
|
Р е ш а я |
это уравнение |
относительно |
и умножив числитель и |
i dt
знаменатель левой части полученного в ы р а ж е н и я на dw№ получим
duR |
_ Е — iaR — ц д |
|
_2 „ |
dt |
Q(uR)L |
' |
( |
где G(ua) — дифференциальная проводимость диода.
16