Файл: Воскресенский В.В. Применение туннельных диодов в импульсной технике.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 27.07.2024

Просмотров: 83

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

r'2

=

( L

U -

^ ) / ( / о б 2 -

Л) = - ( У о в в -

W i -

/ о в 2 ) ;

(1.18)

<

=

+ a I /-;[,

 

 

 

 

( i . i 9 )

а при У о б г ^ И д ^ У г

'

 

 

 

 

 

1 д

=

( е ; - и . д ) / | / - ; | ;

 

 

 

 

(1.20)

/J =

( £ / B - t / o 6 a ) / ( / 2 - / o 6

2 ) = - ( C / 2 - L / O

6 2

) / ( / O 6

2 - / 2 ) ;

(1.21)

e; = Uz + Iu\r"2\.

 

 

 

 

(1.22)

На третьем

участке характеристики для £ / 2

^ и д : ^ £/0 д 3

 

£я =

( «

д -

^ ;

 

 

 

0-23)

 

r'3{Uo63-U,Wo63-[2);

 

 

 

 

(1.24)

^=1/3 - /^3 ,

 

 

 

 

(1.25)

а для

 

и0взяА

 

 

 

 

 

£д

=

( и д - е з ) / Г з ;

 

 

 

(1.26)

r;

=

( t / s - ^ 6 8 ) / ( / i - / o f i 3 ) ;

,

 

(1-27)

е 3 - = 6 / 3 - / 1 Г з .

 

 

 

(1.28)

Н а п р я ж е н и я

£ / 0 б 2

и

С70б з находятся из

выражения

(1.10) под­

становкой значения / 0

б 2 или / 0 б з при у = 3:

 

 

t / o 6 2

= < Л - (U3

-

(/а ) ( / o 6

2 - / 2 ) / ( / i - / 2

) ;

(1.29)

^ о б з

= Uu

+ (U3

~

U2) K ( / o 0

3 - /,)/(/, _

/ 2 ) .

(1.30)

Эквивалентные схемы диода для соответствующих участков ха­

рактеристики

аналогичны схемам рис. 1.4в, г. Это дает

основание

анализировать

схемы,

используя

простую

линейную

аппроксима­

цию, а затем уточнять

значение

входящих

в аппроксимацию вели­

чии, выбирая наиболее удобные общие точки. Поскольку эквива­ лентная схема рис. 1.4г является более общей, то при анализе це­ лесообразно использовать ее и, если необходимо, дл я первого уча­ стка в окончательном выражении полагать ei = 0. Кроме того, та­ кая аппроксимация позволяет после анализа выделить только нуж­

ный

участок

характеристики и представить

его в виде одного или

двух

отрезков прямой.

 

В

общем

случае можно рекомендовать

аппроксимацию каждой

ветви характеристики двумя отрезками, имеющими общие точки с координатами / 0 б i = 0,8 h, / о б 2 = / о б з = 4/г, при этом

Uo61

= 0,55С/1 ;

 

(1.31)

Uo*

= V*-V*-U*)¥

3 / a / ( / i - / 2 ) ;

(1.32)

Uo63

= UU + (U3 - U2) Y

3/ a /(/i - / 2 ) .

(1.33)

t l


На рис. 1.6а, б приведены реальная характеристика одного об ­

разца

Т Д типа З И 2 0 1 Б

и графики,

аппроксимирующие ее первый:

и третий участки, для всех трех рассмотренных

способов аппрокси­

мации,

а на рис. l.Qe, г

— графики

 

ошибок по

напряжению ДЛЯ

 

 

£А,мА

I

I

 

 

 

• Аппроксимации:

 

~ линейная

-кусочно-линейная •кубическая

 

 

 

0,04 0,08

ил,8

 

 

 

 

 

 

40

 

 

 

 

би(1.)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

\

 

 

20

 

 

 

 

 

 

 

*> \

 

 

 

 

 

 

 

 

 

\

 

О

 

 

5Г=

 

 

А

 

 

 

 

 

 

 

 

\\

 

-20

 

 

 

 

г

 

 

 

 

 

 

 

\.

 

.

\

 

-40

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ч

 

 

\

 

-SO

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

«

И

:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

04

08

 

0,1

03

 

V

l2u„S

 

Рис. 1.6. К описанию ТД:

 

 

 

 

 

 

а),

б)

различные способы аппроксимации восходящих участков

тун­

 

нельной и диффузионной ветвей характеристик; в),

г)

соответствую­

 

щие ошибки аппроксимации по напряжению

 

 

 

каждой

аппроксимации

(при кусочно-линейной

аппроксимации об­

щие

точки

соответствовали

/ 0 б i = 0 . 8 / i , / 0 б з = 4 / 2 ) . Ошибки

аппрок­

симации

вычислялись

по

формуле 8u=(Up—Uun)/Uv%

при 1 д = / р ,

где

Up и / р

координаты

точки

реальной вольтамперной

характе ­

ристик и Т Д , a Uan — координата аппроксимирующей кривой, соот­ ветствующей / р . Из графиков видно, что при кусочно-линейной ап­ проксимации ошибка да имеет в среднем величину 10 + 20% и зна ­ чительно меньше, чем соответствующие ошибки для простой линей­ ной аппроксимации. Ошибки по току несколько больше, чем по на-

12


п р я ж е н ию (на участках с минимальным током), однако в большин­ стве практических случаев л е ж а т в допустимых пределах.

Довольно часто встречаются устройства, в которых два или бо­ лее Т Д включены последовательно. Эквивалентная схема такого

а)

 

6)

 

 

 

 

 

 

 

т

©

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

д ;

 

 

 

 

 

 

 

 

к

-1

4

/

х/

 

 

 

 

 

ч /

«у

 

 

 

 

 

Ч

V

 

У

/

/

/

 

~ет

I

 

/

 

/

/

 

///

 

+

 

 

 

 

 

 

 

 

J

о-

I? Н

 

/

/

/

/ /

S

 

 

2е,

 

 

(п-1)е. пе3

 

 

 

 

 

 

 

Рис. '1.7. Последовательно

соединенные ТД:

 

 

а) эквивалентная схема; б) вольтампериая характеристика стой линейной аппроксимации характеристики каждого ТД

^8

при про­

включения диодов при линейной аппроксимации

представлена на

рис. 1.7а,

где

 

Rm

= r1{n — m) + пгг3;

(1.34)

em

= <?i (п — т) + те3;

(1.35)

п — общее число ТД , включенных последовательно; т — количест­ во ТД, находящихся в состоянии высокого уровня напряжения . При

этом полагается, что ни один диод не имеет устойчивого

состояния

в области с отрицательным сопротивлением. Н а рис. 1.76

показана

вольтампериая

характеристика такого соединения Т Д при простой

а)

6)

 

 

и

 

и

и

Рис. 1.8. Эквивалентные

вольтамперные характеристики:

 

а) параллельно соединенных ТД и

резистора; б) последовательно

соединен­

ных

ТД и резистора; в)

параллельно

соединенных ТД и транзистора

при раз­

ных

токах базы

 

 

 

13


линейной аппроксимации

(ej = 0)

без учета участков с отрицатель­

ным сопротивлением, которая описывается выражением

1 Д = ( « д

в т me^/R,

 

 

 

(1.36)

на участках изменения u w

m , л е ж а щ и х в пределах

 

[п — т)

+ ml)г < идвт < {п — т) Ux +

mU3,

(1.37)

в которых ток двухполюсника

h^in^h-

 

 

Рассмотрим

результирующие

вольтамперные

характеристики,

получаемые при соединении Т Д с

резисторами

и с

транзистором.

К а к известно,

при параллельном

соединении

двух

элементов их

результирующую вольтамперную характеристику получают сложе ­

нием токов,

а при

последовательном соединении — напряжений .

Н а рис. 1.8а,

б, в показаны

схемы соединения Т Д с

другими эле­

ментами, их

вольтамперные

и результирующие

характеристики

(штрих-пунктирные

кривые) .

 


Г Л А В А В Т О Р А Я

Генераторы импульсов

2.1. П Р И Н Ц И П П О С Т Р О Е Н И Я

Составными элементами генератора являются: двухполюсник с отрицательным сопротивлением, реактивный эле­ мент (накопитель энергии) и источник питания (рис. 2.1). Общее правило, которое необходимо соблюдать при построении генерато­ ров на элементах с отрицательным сопротивлением, следующее. Ес-

Рис. 2.1. Варианты эквивалентных схем генераторов, содержа­ щих двухполюсник с отрицательным сопротивлением:

а) генератор с двухполюсником N-типа и источником постоян­ ного напряжения; б) генератор с двухполюсником Л'-типа и источником постоянного тока; в) генератор с двухполюсни­

ком S-типа и источником постоянного напряжения;

г)

генера­

тор с двухполюсником S-типа и источником постоянного тока

ли используется двухполюсник с

отрицательным

сопротивлением

Л'-типа, в котором возможны скачки напряжения

при

практически

неизменном токе, то и реактивный накопитель должен

обеспечивать

возможность скачков напряжения

при неизменном

токе. В качестве

15

таких накопителей используют катушки индуктивности или отрезки длинных линий, замкнутых на конце.

Если ж е двухполюсник

имеет

вольтамперную

характеристику

S-типа, которая обеспечивает возможность скачков тока при прак­

тически неизменном напряжении, то такими

ж е

свойствами

должен

обладать и реактивный элемент (конденсатор или

разомкнутый на

конце отрезок

длинной линии).

Соответствующие

эквивалентные

схемы приведены на рис. 2.1а, б, в, г.

 

 

 

 

 

 

 

Соединение между собой реактивного элемента и двухполюсни­

ка определяется типом источника питания. Если

питание

подается

от источника постоянного напряжения, то все основные

элементы

схемы включаются последовательно с ним

(рис. 2.1а,

г),

а при ис­

пользовании

источника-

постоянного

тока

— параллельно

(рис.

2Л6, в). Наличие в схемах

рис. 2.16, г

резисторов

R

обусловлено

условиями самовозбуждения генераторов, о чем будет сказано ни­

же .

Схемы генераторов на

рис. 2.1а, в дуальны, то ж е молено

ска­

зать

и о схемах на рис. 2.16,

г.

 

 

 

Поскольку в настоящей работе рассматриваются генераторы

на

Т Д

с вольтамперными характеристиками

А?-типа,

ограничимся

ис­

следованием генераторов, эквивалентные

схемы

которых приведе­

ны на рис. 2.1а и б.

 

 

 

 

Реальные схемы генераторов обычно несколько отличаются от изображенных на рис. 2.1а и б, хотя бы потому, что не существует идеальных генераторов н а п р я ж е н и я и тока. Источник напряжения всегда обладает внутренним сопротивлением, а сопротивление источника тока не бесконечно велико. Кроме того, л ю б а я катушка индуктивности имеет активное сопротивление. Дополнительные эле­ менты включают в генератор т а к ж е д л я улучшения формы генери­ руемых импульсов, ограничения тока и т. д.

2.2. П Р И Н Ц И П Р А Б О Т Ы

Рассмотрим рис. 2.2а. Резистор R на этой схеме включает в себя сопротивление источника питания и катушки . Иногда такое сопротивление включают для обеспечения заданной длительности импульса или ее регулировки. П р е ж д е чем рассмот­ реть работу генератора, составим дифференциальное уравнение данной цепи, для простоты пренебрегая паразитными п а р а м е т р а м и схемы:

E

= i,R+Ld

at +

uR.

 

Р е ш а я

это уравнение

относительно

и умножив числитель и

i dt

знаменатель левой части полученного в ы р а ж е н и я на dwполучим

duR

_ Е — iaR — ц д

 

_2

dt

Q(uR)L

'

(

где G(ua) — дифференциальная проводимость диода.

16