Файл: Ульянов О.И. Инженерные методы расчета ламповых и транзисторных схем.pdf

Оно вскрывает основное свойст­ во обратной связи — способность стабилизации параметра А. По ка­ ким бы причинам ни изменялся па­ раметр А, параметр Аос изменится в (1+ßA) раз меньше. При глубокой связи, т. е. при ßA3>l

передачи по петле обратной связи. Для определения его петлю разрывают так, чтобы условия прохождения сигнала по ней остались такими же, как и по замкнутой цепи. Для разорванной цепи определяют коэффициент передачи. Он и будет искомой ве­ личиной ßA.

2—6. Комплексные параметры лампы и транзистора. Внутренняя обратная связь

Лампа с учетом межэлектродных емкостей может быть пред­ ставлена [9] как сочетание двух четырехполюсников (рис. 38). Ламповые емкости образуют как бы четырехполюсник обрат­ ной связи у-типа. Из режимов короткого замыкания на входе и выходе (выход справа) ß-четырехполюсника определим его «/-параметры

Согласно (2-27) у-параметры лампы с учетом межэлектрод­ ных емкостей, т. е. параметры результирующего четырехполюс­ ника

Уп = У«о (С« + С»), .

У21 ^ С У^ Сса 1

49

= У 'ш [С ск + С с а ( 1 - / 0 ] -

Если учесть возможную комплексность коэффициента уси­ ления напряжения, то

Для средних частот, когда коэффициент усиления максима­ лен и равен Ко, входная емкость Свх(со) имеет также макси­ мальное значение

Сактивной составляющей входной проводимости gDX (со) ввиду

еемалости молено не считаться. Тогда входная проводимость

лампы в динамическом режиме будет практически определять­ ся только входной емкостью Свх(со). Для упрощения расчетов можно пренебречь и зависимостью этой емкости от частоты, считая, что она все время остается равной своему максимально­ му значению (2-36). Тогда динамическая входная проводи­ мость лампы

Это позволяет [9]сделать вывод, что в эквивалентной схеме на­ груженной лампы на входе молено включить емкость Свх и тем самым отразить проявление обратной связи через емкость Сса.

Прямое прохождение сигнала через емкость Сса учитывает­ ся параметром уц. Практически прямым прохоледением сигна­ ла через Сса молено пренебречь, считая, что

50

(рис. 34, г) генератор тока g\o/S.UK, а проявление внутренней об­ ратной связи отобразить включением на входе проводимости Увх (рис. 40). В отличие от рис. 34, г на рис. 40 вместо низко­ частотных параметров транзистора (gu, gi% S, gi) введены комп­ лексные, т. е. частотнозависимые параметры Увх, S, У*. Соглас­ но [9] расчетные выражения у-параметров находят из физиче­ ской эквивалентной схемы транзистора, предложенной Джиаколетто:

Кроме низкочастотных параметров gn, gn, S> gi в формулы вошли параметры транзистора т, С1Ь Гб- Постоянная времени транзистора х согласно (2-43) может быть найдена из экспери­ ментально снятой зависимости крутизны 5 от частоты со. Для

1

некоторой частоты co = cos= — модуль крутизны

Другой путь определения т связан с часто указываемым в справочниках параметром транзистора fa (граничная частота

51

коэффициента усиления тока в режиме короткого замыкания при включении с общей базой)

S T 6

(2-47)

Значение т может быть также найдено по параметру транзи­ стора — предельной частоте генерации /г

S

(2-48)

160 -Ск-/?

Величина /'с обычно указывается в справочниках, но может быть найдена и экспериментальным путем по проводимости у и, замеренной на очень большой частоте. Из (2-41) видно, что при

со— оо

(2-49)

Коллекторная емкость Ск указывается в справочниках непо­ средственно или в виде произведения Ск-«б- Величину этого произведения можно вычислить еще и так [9]

Для практических расчетов по (2-41, 2-44) необходимо рас­ полагать низкочастотными значениями «/-параметров. Посколь­ ку в справочниках указываются для транзисторов параметры 12213= ß, Лнб, 7*126 и /і22б, то надо по ним уметь определять низко­ частотные значения «/-параметров:

По справочникам все эти параметры можно рассчитать только для типовой рабочей точки. Согласно [12] параметры gi, g-цэ, 5, т прямо пропорциональны току коллектора. Исходя из этого, они могут быть пересчитаны с одного значения коллекторного тока 1он на другой по формулам

52