Файл: Ульянов О.И. Инженерные методы расчета ламповых и транзисторных схем.pdf

В режиме короткого замыкания на входе определяем: ДЛЯ лампы по (2-4)

определяет выходную проводимость лампы (или транзистора). Поэтому для транзистора по аналогии с лампой можно поль­ зоваться понятиями внутреннего сопротивления Ri и внутрен­ ней проводимости gi.

Из (2-8) и (2-6) следует вывод об аналогии понятий обрат­

обратную проходную проводимость незначительно. Для тран­ зистора, наоборот, характерно относительно сильное проявле­ ние внутренней обратной связи. Входной ток его зависит и от входного напряжения и от внутренней обратной связи. Прак­

Аналогия параметров (2-11) и (2-13), характеризующих наклон (крутизну) проходной характеристики, позволяет пользоваться

39

для транзистора так же, как для лампы, понятием статической крутизны S.

Из (2-10) и (2-12) видна идентичность понятий входных про­ водимостей лампы и транзистора. Но для лампы в области низ­

По аналогии с возможностью применения к лампе и транзи­ стору понятий крутизны S и внутреннего сопротивления можно использовать в обоих случаях и понятие статического коэффи­ циента усиления и, обычно относящееся только к лампе. Для транзистора

Выражения (2-16) и (2-17) наглядно показывают, что анодным (коллекторным) током можно управлять как за счет анодного- (коллекторного) напряжения, так и за счет сеточного (базово­ го). Однако с точки зрения изменения анодного (коллекторно­ го) тока воздействие сеточного (базового) напряжения эффек­ тивнее в ц раз.

Полученным соотношениям соответствует правая сторонаэквивалентных схем (рис. 34).

Левая часть эквивалентных схем удовлетворяет первым уравнениям систем (2-4), (2-5).

Итак, рассмотрение лампы и транзистора как четырехполю­ сников приводит к выводу о возможности использования в том и другом случае аналогичных по смыслу и обозначениям пара-

40

Рис. 34. Эквивалентные схемы лампы и транзистора, рассма­ триваемых как четырехполюс­

ники:

а, б— схемы лампы; в, г — схе­

мы транзистора.

метров. Эквивалентные схемы для лампы и транзистора (рис. 34) так­ же будут совершенно одинаковы­ ми, если не пренебрегать для лам­ пы малыми величинами gn и g 12.

Но это не мешает развитию едино­ го метода расчета ламповых и тран-' зисториых схем при условии учета особенностей тех и других.

В частности, транзистор отличается от лампы тем, что его статические характеристики, а, следовательно, и параметры су­ щественно зависят от температуры. Стабилизация режима—■ важнейший вопрос для транзисторных схем.

2—3. Динамические параметры усилителя как четырехполюсника

. Внутренняя структура четырехполюсника может содержать любое число активных и пассивных элементов, соединенных между собой необходимым образом. При анализе и расчете усилителя как четырехполюсника последний окажется проме­ жуточным звеном между источником входного сигнала и на­

41

Примечание . Д/і=йц-Л35—Л.,,-Л,г;

Ьу=ин'Уг'.-Уп-Ѵа; Лг=-гц ■ г«*—z-i* 2 ,г;

д^/и* /м-f«- fia.

2—4- Матрицы параметров сложных четырехполюсников. Типы отрицательной

обратной связи в усилителях

В результате соединения нескольких, в частности двух, че­ тырехполюсников образуется сложный (результирующий, экви­ валентный) четырехполюсник. Необходимо научиться находить параметры его по параметрам каждого из составляющих. Это проще всего сделать, оперируя с матрицами четырехполюсни-

42