Файл: Сиволобов Н.А. Основы полупроводниковой электроники учеб. пособие.pdf

Скачать файл (4,18Мб)

Заказать решение

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 31.07.2024

Просмотров: 174

Скачиваний: 2

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

					Продолжение
Параметры	j	Тип терморезистора
		КМТ-І j НКМТ-І ; ММТ-4 ;•	шт-4Е;! KMT-4	КМТ-4Е Î		î	î
	ММТ-І				НКНТ-^4	! MKT-.5ІММТ-6

Диапазон номинальных сопротивлений, кОм

Допустимые отклоне ния величины сопро тивления от.номинала,%

Мощность рассеивания, мВт:

наибольшая

при наибольшей рабо чей температуре

Постоянная времени,с

КоэагЬициент рассеива ния, *мВт/град

Теплоемкость,мВт-с/град Постоянная ,В, ТС

1-220	22-1000
+20	+20
600	1000
0,4	0,3
85	85
4,5	_
63	-
2060-	3600-
4300	7200

Температурный коэффи		От -2,4
циент	сопротивления,
% град		до -5,0
Изменение величины со
противления после 48-		От + I
часовой выдержки в ат
мосфере с влажностью		ДО ±3
98?,	%

От -4,2 до -8,4

От + j

ДО + 3

22 и 33		1-200	1-200	22-1000	22-1000	22 и S3	1-200 IO-I00
+10		+20	+20	+20		+ 20		+ 20
+20		+20	+20	+20	+20	+ 20		+ 20
1000		700	500	800	500	500	400	50
0,3		0,5	0,4	0,3	0,2	0,2	_	_
85		115	115	П 5	115	115	90	35
-		8	8	_	„	_	-	-
-		424	424	-	-	-	-	-
3600		2060-	2060	3600-	-	3600	_	2060-
3600		4300	2060	7200	3600	3600	_	2920
От	-3,8	От -2,4	- -2,4	От -4,2	-4,2 от	-3,8 -3,4		- -2,4
до	-5,0	до -5,0		ДО -8,4	ДО -5,0
+	I	• От + І	+1	От + і	+1	+1	-	+1
		ДО +3		ДО +3

Параметры^

фоторезисторов

(таблЛ

-, 2)

Таблица

Тип

фоторе'зистора

Параметры

ФСК-la

ФСК-І

ФСК-И ; ФСК-Г2

ЬсК

-Г7

J ФСК-2 ; ФСК-4а } ФСК-5

ФСК-6

Интервал рабочих

от -60

От -60

От-60 От -60

От-25 От -60 От -60 От -60 От -60

(температур,^

до +85

до+55 до +85

до +85

Относительная влаж

80 при

80 при 80 при

98 при

ность, %

25°С

20°С

25°С

20°С

40°С

•Наибольшее

допусти

мое ускорение при

вибрациях,^

7,5

Частота вибраций, Гц

5-1000

5-80

Наибольшее

допусти

мое ускорение при

у д а р е ^

Наибольшее

допусти

мое число ударов

10000

Наибольшее

допусти

мое постоянное ус

корение, у,

Гарантийный

срок:

службы, ч

10000

5000

10000

хранения,

год

8,5

8,5 .

8,5

8~Р.

а„5

Параметры

Интервал рабочих температур,°с

Относительная влаи-

Наибольшее допусти мое ускорение при вибрациях,£

Частота вибрации,Гц

									Таблица 2
		Тип		фоторезистора
ФСД-І	j ФСД-Іа J ФСд-nj			СФЗ-І j ФСК-Ш j				СФ2-2 } СФЗ-2; СФ2-І
От -60	От -60	От -60 От -60			От -60 От -60				От -60 От -
до +40	до +40	до +40	до +85		до +85		до +85		до +85 -60
										• ДО+85
80 при	80 при	98 при	98 при		98 при		98 при		98 при 98прв
20°С	20°С	40°С	20°С		20°С		20°С			20°С	20°С
7,5	7,5	7,5	2,5		12	2,5		2,5		2,5
5-1000	5-1000	5-1000	10-80		10-3000 10-80				10-80 10-80

Наибольшее	допустимое
ускорение при		35	35	35	12	35	12	12	12
Ударе, у		35	35	35	12	35	12	12	12
Наибольшее	допусти-
мое число ударов		10000	10000	10000	10000	4000	5000	5000	ЮООО
Наибольшее	допусти
мое постоянное ус- '		25	25	25		50
корение,^		25	25	25		50
Гарантийный	срок:
службы, ч		1000	1000	1000	3000	5000	1000	1000	1000
хранения, год		8,5	8,5 •	S,5	5	5	5	5	5

Примечание. Наименьшее допустимое атмосферное давление 0,05 мм рт.ст.

			6f	Параметры	фоторезисторов
				Стаол.Э		4)			Та&жжца 3
			1			Тип фотореаистора
			і
Лараиетры							Т	т	т	- I — г
			\
			I	ФСК-la	ФСК-І	IФСК-2	ФСК-4ЬСЕ-5 fccK-6 Ѣй,				! ФСК-
			t					а!	Г	І7а7а	»!76б
Рабочее напряжение,				50	50	100	25	50	50	50	10
в —	•
Световой ток, мА:					1500	600	1500	83	1500	350	800
наименьший				1500
среднее		значение		2000	2000	1000	2000 1000		2000	500 3000
Теиновой,		ток, икА:
наибольший				15	15	30	30	5	15	100	100
среднее		значение		5	5	10	5	I	5	10	10
Среднее аначение:				7000	7000	1600	15000 220000 6000. 250				7500
K ö	.мкА/лм-В
К* мкА/ лкВ				ІІ00	1100	250	240	2200	128	150	600
Темновое сопротив					3,3	3,3	1,6	10	3,3	0,5	0,1
ление, М0м				3,3
Наименьшее		значение		100	100	20	50	17	100	3,5	8
кратности			&ы/%0£
Интегральная			чувст	2,8	2,8	0,5	3,0	5,0	0,28	0,15	3,0
вительность,			мА/лн
Допустимая мощность				125	125	125	125	50	200	350	350
рассеивания, 1			т

Параметры

Раоочее напряжение,В Световой ток, нА:

наименьший

среднее значение

Темновой токг мкА: наибольший среднее значение

Среднее значение:

К», икА/лИ'В Е? мкА/лк-В

Теыновое сопротивч левие, ИОн

Наименьшее значение кратности Ц т е н l/lçg

Интегральная чувствительность, мд/іи

Дппустииая мощность рассеивания, мВт

											Таблица 4
					Тип	фоторезистора
! ФСК- І ФСК- ! ФСК-			І СФ2-ІІ СФ2-2І СФЗ- І ФСКФСК- ! ФСД- ФСД-Ij ФМДСФЗ-
! И	! Г2 ! ПІ		!	!	1 2 1 Ж			М2 ! Іа			і П	I
50	50	100	15				70	70	20	20	20	15
1500	2500	1000	500		500	500	-	-	1500	1500	1500	750
2000	6000	2000	1000		1500	2000	300	1000	3000	3000	3000	1500
15	30	I	I						10	10	10	0,5
.5	10	0,01	0,5		0,5-	0,5	I		I	I	I	0,01
					0,2
7000	7000	8000	400000 75000			80000 35000-35000-30000 30000 30000 60000
т т „ „	„ л	320	360		190	800	50000 50000		4800	4800	4800	540
1100	ПОО	320	360		190	800	-	-	4800	4800	4800	540
3,3	1,65	100	15			5	700	70	2		2	30
100	83	1000	500		500	500	-		150	150	150	1500
„ т	„ т	'	10		0,36	•	0^5- 3-10		15	' 15	20	20
*	1	'	10		0,36	•	0^5- 3-10		15	' 15	20	20
120	200	100	100		50	100	30-60 30-60		50	50	50	10

Смотрите также файлы

Симагин В.Г. Свайные фундаменты. Особенности проектирования и возведения.pdf

Смирнов А.В. Планирование и учет незавершенного производства подшипникового завода в условиях АСУП обзор.pdf

Смирнова Т.А. Определенный интеграл и его приложения.pdf

Совершенствование контурного взрывания при проходке вертикальных стволов экспресс-информация механизаторам подготовительных работ..pdf

Тайнов А.И. Работа заданных сил в машинах учеб. пособие для студентов вузов.pdf

Файл: Сиволобов Н.А. Основы полупроводниковой электроники учеб. пособие.pdf

Смотрите также файлы

Информация

Списки файлов

Дополнительно