Файл: Информационно-измерительная техника [сборник]..pdf

Анализ выражения /8/ позволяет определить требования, предъявляемые к источнику шумов, полосовому фильтру и ограни­ чителю, исходя из допустимой погрешности дисперсии у.

Поскольку нас в дальнейшем будет интересовать лишь низкочастот­

При построении ГСП повышенной точности отношение порога ограничения шума к среднему квадра'тическому отклонению нормаль­ ного белого шума необходимо делать малым, а граничная частота выходного напряжения должна быть значительно меньше ширины спектра шума, подаваемого на амплитудный ограничитель.

-68 -

ЛИ Т Е Р А Т У Р А

1.Н.М.Т в т в р и ч. Генераторы шума и измерение шумо­ вых характеристик. Изд. "Энергия", 1968.

2 . Б.Р.Л е в и н . Теоретические основы статистической радиотехники. Изд. "Сов.радио", 1969.

- 69 -

Н;Ф.Сысоев

ШУМОВЫЕ СВОЙСТВА ТРАНЗИСТОРНЫХ ПЕРЕХОДОВ В РЕЖИМЕ ПРОБОЯ

В качестве источников шумов в измерительных генераторах шума могут применяться различные приборы: тиратроны, шумовые диоды , шумящие резисторы, стабилитроны и другие. В [ 1 ] указана возмож­ ность использования в этих целях переходов транзисторов в режиме лавинного пробоя. Исследование различных типов транзисторов по­ казало, что наибольшим уровнем шума обладают кремниевые диффу - зионные транзисторы типа КТЭ01Е, КТЗОИ. Исследования шумовых свойств транзисторов проводились по блок-схеме, приведенной на рис.1.

Селективный вольтметр о

типа В6Ч

Регулируемый Источник стабилизатор

тока шума

Широквпо-^ | Вольтметр | лооный типа

усилитель ВЗ-15

Рис .!

При измерении действующего значения напряжения шумов £/ш ис­ пользовался широкополосный усилитель и вольтметр выпрямительной

о

- 70 -

Уровень шумов переходов значительно изменяется при изменении температура окружающей среды. На рис.2 приведены такие зависи -

2

Рис.2

мости для нескольких экземпляров транзисторов. Изменение напря­ жения шумов от изменения температуры составляет 50*100 мкв/°С.

При исследовании влияния изменения температуры на напряжение шумов С/ш было обнаружено необратимое снижение уровня шумов при нагревании транзисторов до 80<-90°С. После пяти-шести циклов нагреваний и остываний уровень шума отдельных транзисторов сни­ жался наполовину. Последующие подобные циклы не приводили к дальнейшему изменению. Подобные "тренировки" транзисторов лучше производить под током, так как "тренировки" в обесточенном со ­ стоянии не полностью стабилизировали [/ш .

Определение спектральных характеристик шумов переходов тран­ зисторов осуществлялось селективным микровольтметром типа B 6 - I . Типичные зависимости действующего значения напряжения шума в по­ лосе 10 кгц от частоты и тока через переход приведены на рис.3.

- 7* -

Рис.3

Некоторые экземпляры транзисторов имели спектретьнне характе­ ристики с граничными частотами 100+200 кгц.

Вы в о д ы

1. Транзисторный переход в пробивном режиме может быть источ­ ником шумов значительной интенсивности..

2 . Действующее значение напряжения шума имеет большой разброс и значительную зависимость от температуры.

3. Использование переходов транзисторов в схемах генераторов шумов возможно лишь после их "тренировки" под током.

4 . Шумы переходов высокочастотных транзисторов в пробивном

режиме имеют более шировдй частотный диапазон, чем шумы стаби­ литронов .

-72 -

ЛИ Т Е Р А Т У Р А

i. Н. М. Т е т е р и ч . Генераторы шума и измерение шумовых характеристик. Изд. "Энергия", -1968.