ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 14.10.2024
Просмотров: 73
Скачиваний: 0
электронного газа в пленке сильным электрическим полем. В этой модели для объяснения температурной зависимости проводимости нет необходимости использовать понятие энергии активации. Логи ческим следствием этой модели является возникновение электронной эмиссии при достаточно больших значениях вводимой в пленку мощности [21]. Рассмотрим эту модель более подробно.
Рис. 1.1. Диаграмма |
потенциальной энергии электрона |
|
в металлической диспергированной пленке: |
||
--------- —в отсутствие |
поля: ----------- |
под действием поля. |
В этой работе выбрана идеализированная модель пленки в виде линейной цепочки одинаковых островков, расположенных на одном и том же расстоянии друг от друга. Каждый островок представляет собой потенциальный ящик для электронов, а барьер между ост ровками для простоты выбран в виде параболы (рис. 1.1)
Ц ,(г) = 0 ? # 2 ) - ( g / 2 ) ( г - г ,) * .
где Uo(z) — высота |
барьера |
в |
точке г в отсутствие электрического |
||
поля; |
2z0 — расстояние между |
островками; |
g — коэффициент про |
||
порциональности. |
|
|
|
|
|
При приложении электрического поля Е барьер снизится, а мак |
|||||
симум его сместится: |
|
|
|
|
|
Ue (г) = {§/2) \ 4 — (г ~ г»)г] — eEz = (g/2) [г0 — (<?£/g)]2 — |
|||||
|
- |
(g/2) {г - |
[г0 - {eE/g)Y}, |
||
где UB(z) — высота |
барьера |
в |
точке z при наличии электрического |
||
поля; |
е — заряд электрона. |
Обычно поле |
незначительно снижает |
высоту барьера, поэтому можно считать, что Zo3>e£/g> а следо вательно,
UE (г) = (г*о/2) - ^ z , - {г - [г„— (<?£/g)]2},
т. е. барьер под влиянием поля снижается на eEzo—AU/2, где AU— разность потенциалов между островками. Выражение для коэффи циента прозрачности такого барьера имеет вид
+ |
(1.2, |
14
где Pn — параметр, характеризующий |
форму барьера; |
р„= |
= (й/2л) (gin) V2; т — масса электрона. |
Из-за смещения в электри |
ческом поле потенциала каждого последующего островка по отно шению к предыдущему на (1/2)At/, «протуннелировавшие» электро ны будут более «горячими» по сравнению с другими электронами в данном островке. Перераспределение избыточной энергии между всеми электронами в островке и между островками приведет к по вышению температуры электронного газа в пленке, и в качестве функции распределения электронов по энергии при стационарном состоянии можно принять функцию распределения Ферми /(<§) для
электронного |
газа |
с |
некоторой |
эффективной |
температурой 0„ |
||
(в энергетических единицах), которая зависит от |
вводимой в плен |
||||||
ку мощности: |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
/ ( 5) = {ехр(в+Ф /0,)-+.1}-‘. |
(1.3) |
|||
Подставляя (1.2) и |
(1.3) в общее |
уравнение |
(1.1), получаем |
||||
00 |
|
|
|
6 -f- (At//2) |
|
|
|
/ = A j |
1 1 + |
ехР |
|
+ |
exp (<? +fe,'e,)}-> d€. |
||
|
|
||||||
—00 |
|
|
|
|
|
(1.4) |
|
де A = 4шлеД(7/(2тсй)3. |
|
|
|||||
|
|
|
|||||
Для |
определения |
зависимости |
тока проводимости от напряже |
ния, температуры и других параметров необходимо найти связь между электронной температурой, температурой решетки и вводи мой в пленку мощностью за счет проводимости через пленку.
Поскольку пробег электронов металла превышает размеры ост ровков, рассеяние на фононах не должно играть роли и может происходить на дефектах и на островке в целом при столкновении с потенциальным барьером. Поэтому отражение электрона происхо
дит |
почти |
упруго, так |
что |
передаваемый электроном |
импульс \ р = |
||||||
= 2/7, где /7 — импульс |
электрона. При |
этом |
атому (или |
островку) |
|||||||
передается |
энергия |
A<§ = <§т/М, |
где |
т и |
<§ |
--масса |
и энергия |
||||
электрона |
соответственно; |
М — масса |
атома. |
Число |
столкновений |
||||||
в |
единицу |
времени |
равно |
1/т=п/а, |
где v — скорость |
электрона, |
|||||
а — линейный размер |
островка. |
Мощность, |
отдаваемая |
электроном |
|||||||
атомам, будет равна |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
Д № = Л ё /т ~ ( К т/М ) ( ё 2/3/а). |
|
(1.5) |
Полная мощность, отдаваемая электронами в одном островке, кото рая получается усреднением (1.5) по неравновесной добавке функ ции распределения электронов по энергиям и умножением на объем островка, должна равняться мощности, получаемой электронами от поля, т. е. W=1U, где U — падение напряжения на пленке. Отсюда можно получить следующее выражение для электронной темпера туры 0„:
|
|
6в - k T t - |
У |
Bl + |
alU , |
|
|
(1.6) |
|
где |
а — постоянный коэффициент, |
не |
зависящий |
от |
поля |
и темпе |
|||
ратуры и |
определяющий эффективность |
разогрева |
электронного |
||||||
газа за счет вводимой током |
в пленку мощности; 0о — температу |
||||||||
ра |
решетки |
в энергетических |
единицах. |
При |
ео>0е, |
когда ток |
15
8 основном определяется электронами, туннелирующими вблизй уровня Ферми, так как барьер довольно крутой и коэффициент про зрачности зависит от энергии менее резко по сравнению с энерге тической зависимостью функции распределения, выражение для тока / принимает вид
/= Л е 0ехр(—<р/ео) {1 + (я2/6) (0е/ео)2}ехр(ДС//2ео). |
(1.7) |
При ео<0е, т. е. когда коэффициент прозрачности меняется быст рее, чем функция распределения и в основном определяется элек тронами, выходящими вблизи вершины барьера, получим
I=AQe ехр(—ф/ео){1 + (я2/6) (0е/ео)2} ехр(Л£//2ео). |
(1.8) |
В работе {16] приведена методика определения параметров ео и а, а следовательно, и электронной температуры по измеренным зависимостям тока проводимости от поля и температуры. Величина электронной температуры в области напряжений, соответствующей
началу |
отклонения от |
закона |
Ома, оказалась около 0,15 эВ. |
В |
то же время |
следует |
отметить, что область применимости |
этой модели ограничена, поскольку, например, при больших значе ниях 0е величина а должна зависеть от электронной температуры 0е из-за того, что по мере повышения 0е будет изменяться отношение вероятности туннелирования между островками к вероятности пере распределения избыточной энергии протуннелированного электрона между всеми электронами в островке, что не учитывается в теории. Тем не менее, роль этой теории велика, поскольку на ее основе можно понять не только зависимости тока проводимости от электри ческого поля, температуры и работы выхода электронов, но также уяснить сущность явления электронной эмиссии, основные резуль таты исследования которой будут изложены ниже.
Электронная эмиссия из диспергированных пленок.
Одним из свойств диспергированных пленок является возникновение электронной эмиссии при прохождении через пленку электрического тока [11], причем электрон ная эмиссия возникает при достаточно сильных полях,
когда |
закон Ома уже не выполняется (при Е > 5Х |
ХЮ3 |
В/см) (рис. 1.2). |
Механизм электронной эмиссии становится понятным, если учесть, что отклонение от закона Ома связано с ра зогревом электронного газа в пленке. Действительно, если электронная температура достаточно высока, то согласно закону Ричардсона должна наблюдаться элек тронная эмиссия, причем величина тока электронной эмиссии определяется выражением [21]
/ э ^ ехр (— <р/бе) ехр (— <р/ УаЮ ), |
(1.9) |
где ф — работа выхода материала пленки.
16
Справедливость такого механизма электронной эмйбсин подтверждается рядом экспериментальных фактов. Прежде всего, величина тока электронной эмиссии экс поненциально возрастает при уменьшении работы вы хода электронов (рис. 3): снижение <р напылением моно-
|
2 |
3 |
4 |
у>,эв |
Рис. 1.2. Вольт-амперные ха |
Рис. 1.3. |
Зависимость |
токов |
|
рактеристики токов |
эмиссии / э |
эмиссии / а и проводимости / от |
||
и проводимости I |
(1 — элек |
работы выхода <р при постоян |
||
тронно-микроскопическая фото |
ном напряжении, приложенном |
|||
графия структуры |
диспергиро |
к пленке. |
|
|
ванной пленки |
золота). |
|
|
|
слоя окиси бария приводит к увеличению / э на 4... 5 по рядков. В соответствии с формулой (1.9), зависимость
1п/э от 1/ IU оказалась линейной (рис. 1.4). Кроме того, электронная температура, определенная по кривой
зависимости |
1п/э от ф при /f/= co n st, согласуется с ве |
личиной 0е, |
определенной ранее при исследовании элек |
тропроводности.
Одновременно с появлением электронной эмиссии воз никает свечение, которое локализовано в отдельных, не больших по размерам центрах пленки диаметром мень ше 0,5 мкм.
Оказалось, что между явлениями свечения и элек тронной эмиссии существует тесная связь, что позволило использовать свечение для дальнейшего исследования электронной эмиссии.
Визуальные наблюдения показывают, что излучение чентров различно по цвету и сами центры расположены ^ оолыиинстве случаев вблизи контактов, особенно поло жительных. В некоторых случаях при изменении поляр ности подаваемого на пленку напряжения происходит обратимое выключение нескольких центров свечения
2—473 |
17 |
v одного из контактов и включение новых центров у про тивоположного контакта. При увеличении напряжения на пленке свечение становится ярче, при этом могут становиться заметными новые центры и необратимо ис чезать старые, особенно наиболее яркие.
Рис. 1.4. Зависимость |
In /-, от |
|
1/ V IU. |
отдельных центров пленки зо |
|
|
лота |
1—5 и спектр пропуска |
|
ния |
света диспергированной |
|
|
пленкой золота 6. |
При подаче на пленку прямоугольных импульсов на пряжения показано, что длительность переднего фронта импульсов света ^ 0 , 5 мкс, т. е. время «разгорания» свечения оказывается не хуже, чем у лучших электро люминофоров.
Спектры излучения |
отдельных |
центров состоят |
хотя |
и из широких, но |
отчетливо |
разрешенных |
полос |
(рис. 1.5). Эти полосы расположены в различных участ ках видимой области спектра и относительная интенсив ность полос может изменяться в широких пределах [20].
Полная мощность излучения |
отдельного центра |
в спек- |
тральном интервале 5 000 ... |
о |
10-11 Вт. |
7 800 А порядка |
Для разных центров, в зависимости от вводимой в плен ку мощности за счет тока, эта величина может изме няться в ту или другую сторону на 1... 2 порядка.
Поляризационные исследования, выполненные с по мощью поляроида, показали, что по поляризации излу-
18
пения центры могут быть разделены на две группы: цен тры, излучение которых полностью поляризовано, и центры, излучение которых меняет спектральный состав
при вращении анализатора |
[20]. |
|
|
|
|
|
|||
Корреляция между интенсивностью свечения и током |
|||||||||
электронной эмиссии при |
больших значениях |
вводимой |
|||||||
в пленку мощности исследова |
|
|
|
|
|
||||
лась в приборе, показанном на |
|
|
|
|
|
||||
ряс. 1.6. Интенсивность свече |
|
|
|
|
|
||||
ния регистрировалась непосред |
|
|
|
|
|
||||
ственно фотоумножителем; |
ток |
|
|
|
|
|
|||
электронной эмиссии — вторым |
|
|
|
|
|
||||
фотоумножителем |
по свечению |
|
|
|
|
|
|||
катодолюминофора. Запись из |
|
|
|
|
|
||||
менения параметров во време |
|
|
|
|
|
||||
ни при постоянном напряжении |
|
|
|
|
|
||||
на пленке приведена на рис. |
|
|
|
|
|
||||
1.7. Уже |
беглое |
рассмотрение |
Рис. |
1.6. |
Схематическое |
||||
этого рисунка показывает, |
что |
||||||||
изменение этих величин корре |
изображение установки для |
||||||||
исследования |
корреляции |
||||||||
лирует между собой. Оказа |
электронной эмиссии и све |
||||||||
лось, что |
коэффициент |
корре |
|
|
чения: |
|
|||
ляции близок к единице, т. е. |
/ — катодолюминофор; |
2 —кон |
|||||||
такт; |
3 —пленка; |
4 — |
экспери |
||||||
между изменениями /,■ |
и 1Лсу |
ментальная |
лампа; |
5 — ФЭУ; |
|||||
ществует |
прямо |
пропорцио |
6 — счетчик |
фотонов; |
7 -- циф |
||||
ропечатающее |
устройство. |
||||||||
нальная |
зависимость |
|
[22]. |
|
|
|
|
|
В связи с этим исследовалось распределение электрон
ной эмиссии по поверхности пленки.
В приборе типа электронно-эмиссионного микроско па уже при небольшом увеличении (100 ) было пока-
Рис. |
1.7. Флюктуации токов эмиссии / э и свечения / с в зависимости |
2* |
от времени. |
19 |