Файл: Ненакаливаемые катоды..pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 14.10.2024

Просмотров: 73

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

электронного газа в пленке сильным электрическим полем. В этой модели для объяснения температурной зависимости проводимости нет необходимости использовать понятие энергии активации. Логи­ ческим следствием этой модели является возникновение электронной эмиссии при достаточно больших значениях вводимой в пленку мощности [21]. Рассмотрим эту модель более подробно.

Рис. 1.1. Диаграмма

потенциальной энергии электрона

в металлической диспергированной пленке:

--------- —в отсутствие

поля: -----------

под действием поля.

В этой работе выбрана идеализированная модель пленки в виде линейной цепочки одинаковых островков, расположенных на одном и том же расстоянии друг от друга. Каждый островок представляет собой потенциальный ящик для электронов, а барьер между ост­ ровками для простоты выбран в виде параболы (рис. 1.1)

Ц ,(г) = 0 ? # 2 ) - ( g / 2 ) ( г - г ,) * .

где Uo(z) — высота

барьера

в

точке г в отсутствие электрического

поля;

2z0 — расстояние между

островками;

g — коэффициент про­

порциональности.

 

 

 

 

При приложении электрического поля Е барьер снизится, а мак­

симум его сместится:

 

 

 

 

Ue (г) = {§/2) \ 4 — (г ~ г»)г] — eEz = (g/2) [г0 — (<?£/g)]2 —

 

-

(g/2) {г -

[г0 - {eE/g)Y},

где UB(z) — высота

барьера

в

точке z при наличии электрического

поля;

е — заряд электрона.

Обычно поле

незначительно снижает

высоту барьера, поэтому можно считать, что Zo3>e£/g> а следо­ вательно,

UE (г) = (г*о/2) - ^ z , - {г - [г„— (<?£/g)]2},

т. е. барьер под влиянием поля снижается на eEzo—AU/2, где AU— разность потенциалов между островками. Выражение для коэффи­ циента прозрачности такого барьера имеет вид

+

(1.2,

14


где Pn — параметр, характеризующий

форму барьера;

р„=

= (й/2л) (gin) V2; т — масса электрона.

Из-за смещения в электри­

ческом поле потенциала каждого последующего островка по отно­ шению к предыдущему на (1/2)At/, «протуннелировавшие» электро­ ны будут более «горячими» по сравнению с другими электронами в данном островке. Перераспределение избыточной энергии между всеми электронами в островке и между островками приведет к по­ вышению температуры электронного газа в пленке, и в качестве функции распределения электронов по энергии при стационарном состоянии можно принять функцию распределения Ферми /(<§) для

электронного

газа

с

некоторой

эффективной

температурой 0„

(в энергетических единицах), которая зависит от

вводимой в плен­

ку мощности:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

/ ( 5) = {ехр(в+Ф /0,)-+.1}-‘.

(1.3)

Подставляя (1.2) и

(1.3) в общее

уравнение

(1.1), получаем

00

 

 

 

6 -f- (At//2)

 

 

 

/ = A j

1 1 +

ехР

 

+

exp (<? +fe,'e,)}-> d€.

 

 

—00

 

 

 

 

 

(1.4)

де A = 4шлеД(7/(2тсй)3.

 

 

 

 

 

Для

определения

зависимости

тока проводимости от напряже­

ния, температуры и других параметров необходимо найти связь между электронной температурой, температурой решетки и вводи­ мой в пленку мощностью за счет проводимости через пленку.

Поскольку пробег электронов металла превышает размеры ост­ ровков, рассеяние на фононах не должно играть роли и может происходить на дефектах и на островке в целом при столкновении с потенциальным барьером. Поэтому отражение электрона происхо­

дит

почти

упруго, так

что

передаваемый электроном

импульс \ р =

= 2/7, где /7 — импульс

электрона. При

этом

атому (или

островку)

передается

энергия

A<§ = <§т/М,

где

т и

--масса

и энергия

электрона

соответственно;

М — масса

атома.

Число

столкновений

в

единицу

времени

равно

1/т=п/а,

где v — скорость

электрона,

а — линейный размер

островка.

Мощность,

отдаваемая

электроном

атомам, будет равна

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Д № = Л ё /т ~ ( К т/М ) ( ё 2/3/а).

 

(1.5)

Полная мощность, отдаваемая электронами в одном островке, кото­ рая получается усреднением (1.5) по неравновесной добавке функ­ ции распределения электронов по энергиям и умножением на объем островка, должна равняться мощности, получаемой электронами от поля, т. е. W=1U, где U — падение напряжения на пленке. Отсюда можно получить следующее выражение для электронной темпера­ туры 0„:

 

 

- k T t -

У

Bl +

alU ,

 

 

(1.6)

где

а — постоянный коэффициент,

не

зависящий

от

поля

и темпе­

ратуры и

определяющий эффективность

разогрева

электронного

газа за счет вводимой током

в пленку мощности; 0о — температу­

ра

решетки

в энергетических

единицах.

При

ео>0е,

когда ток

15


8 основном определяется электронами, туннелирующими вблизй уровня Ферми, так как барьер довольно крутой и коэффициент про­ зрачности зависит от энергии менее резко по сравнению с энерге­ тической зависимостью функции распределения, выражение для тока / принимает вид

/= Л е 0ехр(—<р/ео) {1 + (я2/6) (0е/ео)2}ехр(ДС//2ео).

(1.7)

При ео<0е, т. е. когда коэффициент прозрачности меняется быст­ рее, чем функция распределения и в основном определяется элек­ тронами, выходящими вблизи вершины барьера, получим

I=AQe ехр(—ф/ео){1 + (я2/6) (0е/ео)2} ехр(Л£//2ео).

(1.8)

В работе {16] приведена методика определения параметров ео и а, а следовательно, и электронной температуры по измеренным зависимостям тока проводимости от поля и температуры. Величина электронной температуры в области напряжений, соответствующей

началу

отклонения от

закона

Ома, оказалась около 0,15 эВ.

В

то же время

следует

отметить, что область применимости

этой модели ограничена, поскольку, например, при больших значе­ ниях 0е величина а должна зависеть от электронной температуры 0е из-за того, что по мере повышения 0е будет изменяться отношение вероятности туннелирования между островками к вероятности пере­ распределения избыточной энергии протуннелированного электрона между всеми электронами в островке, что не учитывается в теории. Тем не менее, роль этой теории велика, поскольку на ее основе можно понять не только зависимости тока проводимости от электри­ ческого поля, температуры и работы выхода электронов, но также уяснить сущность явления электронной эмиссии, основные резуль­ таты исследования которой будут изложены ниже.

Электронная эмиссия из диспергированных пленок.

Одним из свойств диспергированных пленок является возникновение электронной эмиссии при прохождении через пленку электрического тока [11], причем электрон­ ная эмиссия возникает при достаточно сильных полях,

когда

закон Ома уже не выполняется (при Е >

ХЮ3

В/см) (рис. 1.2).

Механизм электронной эмиссии становится понятным, если учесть, что отклонение от закона Ома связано с ра­ зогревом электронного газа в пленке. Действительно, если электронная температура достаточно высока, то согласно закону Ричардсона должна наблюдаться элек­ тронная эмиссия, причем величина тока электронной эмиссии определяется выражением [21]

/ э ^ ехр (— <р/бе) ехр (— <р/ УаЮ ),

(1.9)

где ф — работа выхода материала пленки.

16


Справедливость такого механизма электронной эмйбсин подтверждается рядом экспериментальных фактов. Прежде всего, величина тока электронной эмиссии экс­ поненциально возрастает при уменьшении работы вы­ хода электронов (рис. 3): снижение <р напылением моно-

 

2

3

4

у>,эв

Рис. 1.2. Вольт-амперные ха­

Рис. 1.3.

Зависимость

токов

рактеристики токов

эмиссии / э

эмиссии / а и проводимости / от

и проводимости I

(1 — элек­

работы выхода <р при постоян­

тронно-микроскопическая фото­

ном напряжении, приложенном

графия структуры

диспергиро­

к пленке.

 

ванной пленки

золота).

 

 

 

слоя окиси бария приводит к увеличению / э на 4... 5 по­ рядков. В соответствии с формулой (1.9), зависимость

1п/э от 1/ IU оказалась линейной (рис. 1.4). Кроме того, электронная температура, определенная по кривой

зависимости

1п/э от ф при /f/= co n st, согласуется с ве­

личиной 0е,

определенной ранее при исследовании элек­

тропроводности.

Одновременно с появлением электронной эмиссии воз­ никает свечение, которое локализовано в отдельных, не­ больших по размерам центрах пленки диаметром мень­ ше 0,5 мкм.

Оказалось, что между явлениями свечения и элек­ тронной эмиссии существует тесная связь, что позволило использовать свечение для дальнейшего исследования электронной эмиссии.

Визуальные наблюдения показывают, что излучение чентров различно по цвету и сами центры расположены ^ оолыиинстве случаев вблизи контактов, особенно поло­ жительных. В некоторых случаях при изменении поляр­ ности подаваемого на пленку напряжения происходит обратимое выключение нескольких центров свечения

2—473

17


v одного из контактов и включение новых центров у про­ тивоположного контакта. При увеличении напряжения на пленке свечение становится ярче, при этом могут становиться заметными новые центры и необратимо ис­ чезать старые, особенно наиболее яркие.

Рис. 1.4. Зависимость

In /-, от

 

1/ V IU.

отдельных центров пленки зо­

 

лота

1—5 и спектр пропуска­

 

ния

света диспергированной

 

 

пленкой золота 6.

При подаче на пленку прямоугольных импульсов на­ пряжения показано, что длительность переднего фронта импульсов света ^ 0 , 5 мкс, т. е. время «разгорания» свечения оказывается не хуже, чем у лучших электро­ люминофоров.

Спектры излучения

отдельных

центров состоят

хотя

и из широких, но

отчетливо

разрешенных

полос

(рис. 1.5). Эти полосы расположены в различных участ­ ках видимой области спектра и относительная интенсив­ ность полос может изменяться в широких пределах [20].

Полная мощность излучения

отдельного центра

в спек-

тральном интервале 5 000 ...

о

10-11 Вт.

7 800 А порядка

Для разных центров, в зависимости от вводимой в плен­ ку мощности за счет тока, эта величина может изме­ няться в ту или другую сторону на 1... 2 порядка.

Поляризационные исследования, выполненные с по­ мощью поляроида, показали, что по поляризации излу-

18

пения центры могут быть разделены на две группы: цен­ тры, излучение которых полностью поляризовано, и центры, излучение которых меняет спектральный состав

при вращении анализатора

[20].

 

 

 

 

 

Корреляция между интенсивностью свечения и током

электронной эмиссии при

больших значениях

вводимой

в пленку мощности исследова­

 

 

 

 

 

лась в приборе, показанном на

 

 

 

 

 

ряс. 1.6. Интенсивность свече­

 

 

 

 

 

ния регистрировалась непосред­

 

 

 

 

 

ственно фотоумножителем;

ток

 

 

 

 

 

электронной эмиссии — вторым

 

 

 

 

 

фотоумножителем

по свечению

 

 

 

 

 

катодолюминофора. Запись из­

 

 

 

 

 

менения параметров во време­

 

 

 

 

 

ни при постоянном напряжении

 

 

 

 

 

на пленке приведена на рис.

 

 

 

 

 

1.7. Уже

беглое

рассмотрение

Рис.

1.6.

Схематическое

этого рисунка показывает,

что

изменение этих величин корре­

изображение установки для

исследования

корреляции

лирует между собой. Оказа­

электронной эмиссии и све­

лось, что

коэффициент

корре­

 

 

чения:

 

ляции близок к единице, т. е.

/ — катодолюминофор;

2 —кон­

такт;

3 —пленка;

4

экспери­

между изменениями /,■

и су­

ментальная

лампа;

5 — ФЭУ;

ществует

прямо

пропорцио­

6 — счетчик

фотонов;

7 -- циф­

ропечатающее

устройство.

нальная

зависимость

 

[22].

 

 

 

 

 

В связи с этим исследовалось распределение электрон­

ной эмиссии по поверхности пленки.

В приборе типа электронно-эмиссионного микроско­ па уже при небольшом увеличении (100 ) было пока-

Рис.

1.7. Флюктуации токов эмиссии / э и свечения / с в зависимости

2*

от времени.

19