ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 14.10.2024
Просмотров: 176
Скачиваний: 0
4. РОСТ КРИСТАЛЛОВ В ПРОЦЕССЕ ТВЕРДОФАЗНОГО |
ПРЕВРАЩЕНИЯ 169 |
живаются, а сами такие кристаллы называют |
пироэлектриками. |
Сегнетоэлектрики образуют часть класса спонтанно поляризо ванных пироэлектриков. Из сказанного следует, что выполнение первого из упоминавшихся критериев можно предсказать исходя из структурных данных, а соблюдение второго критерия уста навливается экспериментально.
Движение сегнетоэлектрических доменов представляет собой особый тип твердофазного превращения, ранее рассматривав шийся как полиморфный и в некоторой степени аналогичный исчезновению электрических двойников. При температуре Кюри
сегнетоэлектрические свойства |
исчезают и наблюдается истин |
ное полиморфное превращение. |
|
При высоких температурах |
для поляризации сегнетоэлектри |
ческих доменов требуются более слабые приложенные поля, что можно часто наблюдать при изучении кристаллов в скрещенных поляроидах.
Триглицинсульфат принадлежит к моноклинной сингонии и при температурах ниже 49 °С представляет собой сегнетоэлектрик. В кристаллах, выращенных из водных растворов, обычно присутствуют двойники. В поляризованном свете двойники не наблюдаются, потому что оптические оси должны быть парал лельными по обе стороны двойниковой границы. Однако эти двойники (сегнетоэлектрические домены) можно выявить трав лением. Под действием электрического поля 1,2—2,4 кВ/см, при ложенного к плоскостям, перпендикулярным оси Ь, образуются несдвойникованные кристаллы. Триглицинсульфат отличается от сегнетовой соли ЫаКС4Н4 0б-4Н2 0 тем, что после монодоменизации домены вновь появляются через несколько суток [87].
Ориентацию доменов под действием электрического поля иногда называют поляризацией, причем это относится к боль шинству сегнетоэлектриков. В некоторых случаях поле, необхо димое для ориентации, может превышать напряжение пробоя
(например, для |
LiNb0 3 ), и в таких случаях достичь поляризации |
на стандартном |
оборудовании не удается, если не считать экспе |
риментов при температурах, близких к точке Кюри. Однако монодоменный материал можно приготовить специальными приемами, например поляризацией с жидкими электродами при температурах ниже точки Кюри [95] или монодоменизацией в процессе выращивания по методу Чохральского [96].
Не исключено, что в некоторых несегнетоэлектриках можно избежать электрического двойникования выращиванием кристал лов в электрическом поле, а в сегнетоэлектриках ориентировать домены деформированием. То же самое надо сказать об ориен
тации |
ферромагнитных доменов под |
действием |
магнитного |
поля, |
так что останавливаться здесь |
на этом нет |
необходи |
м о с т и .
170 Р. ЛОДИЗ . РОСТ МОНОКРИСТАЛЛОВ
Полиморфные превращения при высоком давлении
Для большинства полиморфных превращений при высоких давлениях характерны высокие скорости фазовых переходов и, как правило, их неконтролируемость. Это связано с громозд костью аппаратуры для создания высоких давлений и ее трудной приспособляемостью для проведения эксперимента с контроли руемым зародышеобразованием.
При первых исследованиях в данной области обычно доволь ствовались установлением фазовых границ и получением новых фаз. Для таких работ, как правило, было достаточно мелкокри сталлических порошков, в связи с чем никаких попыток выра щивания монокристаллов не предпринималось. Неудивительно, что по способу полиморфных превращений при высоких давле ниях не было получено монокристаллов заметного размера. Тем не менее имеет смысл рассмотреть системы, в которых были по лучены керамические и мелкокристаллические образцы, так как эти работы, несомненно, явятся фундаментом будущего синтеза монокристаллов.
1. Алмаз. Диаграмма состояния |
графит — а л м а з |
была при |
|
ведена в разд. 2.3 (см. также |
разд. |
7.5). Интересно |
отметить, |
что при температурах, близких |
к комнатной, алмаз устойчив уже |
при относительно невысоких давлениях ( ~ 1 ГПа) . Однако при низких температурах скорость превращения графита в алмаз чрезвычайно мала. Чтобы ускорить переход, повышают темпе ратуру, причем для сохранения алмаза в поле устойчивости не обходимо соответственно повысить давление. Об аппаратуре для создания сверхвысоких давлений говорится в работах [97, 98]. До последнего времени не было аппаратуры, пригодной для создания (в поле устойчивости алмаза) достаточно высоких дав лений при температурах, обеспечивающих заметную скорость прямого перехода графита в алмаз. Впервые алмаз удалось син тезировать с использованием катализатора [100, 98]. Роль по следнего сводилась к ускорению перехода при достаточно низких температурах и «умеренных» давлениях. Мелкие алмазы удава лось получать разложением карбоната лития при высоких дав лениях, однако в целом все семейство найденных катализаторов представляло собой растворители углерода, так что рост алмаза практически происходил из раствора. С наибольшим успехом использовались такие катализаторы-растворители, как хром, марганец, кобальт, никель и палладий. Источником углерода обычно служит графит, но испытывались и другие материалы, в том числе арахисовое масло (!). Катализатор плавится и обра зует тонкие прослойки между фазами, в которых и происходит перенос вещества. Помимо этого катализатор может опособство-
4. РОСТ КРИСТАЛЛОВ В ПРОЦЕССЕ ТВЕРДОФАЗНОГО ПРЕВРАЩЕНИЯ 171
вать зарождению алмаза. Поскольку успешный рост алмаза осу ществлен кристаллизацией из раствора, подробнее он рассмат ривается в гл. 7. В настоящее время разработана аппаратура для синтеза алмаза без растворителя, хотя наиболее крупные алмазы были получены при наличии растворителя. Однако ис пользование температурных градиентов, специально ориентиро ванного «керамического» исходного материала, затравок и т. д., вероятно, позволит достичь дальнейших успехов в получении бо лее крупных алмазов без катализаторов. Трудности при синтезе алмаза — в основном экспериментального характера1 ).
2. Нитрид бора. Нитрид бора (боразон) имеет такую же электронную конфигурацию, как и углерод. Известные две слои стые модификации BN [100, 101]. При давлении 4,5 ГПа и 1700 °С
BN превращается в твердую и плотную кубическую модифика |
||
цию со структурой типа |
цинковой |
гооо |
обманки (боразон) [102, |
103]. Бо |
|
разон интересен как абразивный |
|
и режущий |
материал, |
который в |
|
Высокотемпера- |
|
|||||||
некоторых |
применениях |
может |
|
|
||||||||
1500I |
турный кварц |
|
||||||||||
оказаться лучше алмаза. По спо |
|
|||||||||||
собам |
и |
трудностям |
выращива |
|
|
|
|
|||||
ния монокристаллов |
BN |
боразон |
|
|
|
|
||||||
можно уподобить алмазу. |
|
|
1000 |
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
3. Кремнезем. Устойчивая |
при |
|
|
|
|
|||||||
высоком |
давлении |
полиморфная |
|
Низкотвмпе- |
|
|||||||
модификация |
БЮг, известная |
как |
500 у ратурный |
|
||||||||
коэсит, |
|
была |
впервые |
получена |
|
кварц |
|
|||||
Коэсом |
|
[104] |
при |
температуре |
|
|
|
|
||||
750 °С |
и |
давлении 3,5 |
ГПа. |
Ис |
|
|
|
|
||||
ходной |
шихтой при |
этом |
служил |
|
|
|
5-Ю3 |
|||||
метасиликат |
|
натрия |
или |
ка |
|
|
|
|||||
|
|
|
Давление, |
МПа |
||||||||
лия |
с |
добавкой |
|
различных |
|
|
||||||
|
|
|
|
|
||||||||
минерализаторов, |
|
например |
Ф и г . |
4.15. |
Граница устойчивости |
|||||||
(NH 4 ) 2 HP0 4 , |
|
NH4 C1 |
или |
KBF4 . |
(кривая |
перехода) |
коэсита. |
|||||
Рост происходил из |
тонкого слоя |
|
|
|
|
раствора на поверхности шихты. Коэсит обнаруживался и в раз личных метеоритах. Кривая его устойчивости в координатах
давление — температура |
была определена Бойдом и Инглендом |
||
[105] (фиг. 4.15). Коэсит |
можно |
получить из чистого |
а-кварца |
при температурах выше |
1200°С |
и соответствующем |
давлении; |
') |
Исследовательской группой фирмы «Дженерал электрик» выращен |
алмаз |
весом в несколько карат, по своему качеству относящийся к драго |
ценным |
камням [120]. |
172 Р. ЛОДИЗ . РОСТ МОНОКРИСТАЛЛОВ
при более низких температурах приходится добавлять минера лизаторы ( Н 2 0 или др.).
Известны две другие полиморфные модификации кварца, устойчивые при высоких давлениях: кеатит[106], полученный при
380—585 °С и 0,35—1,20 ГПа в присутствии |
щелочи, и стишовит |
||||
(см. [107]), |
полученный |
при 1200—1400 °С |
и 16 ГПа. Стишовит |
||
встречается |
в природе |
в некоторых метеоритных кратерах. Не |
|||
сколько соединений со структурами, аналогичными |
Si02 (BP04, |
||||
М п Р 0 4 , GaP04 , |
AIPO4 и BeF2 ), также имеют полиморфные мо |
||||
дификации, |
как у Si0 2 |
[108]. |
|
|
|
4. Другие материалы. Полиморфные превращения при высо |
|||||
ких давлениях |
происходят во льду, в NH 3 , CBr4 , CS2 , Р, щелоч |
||||
ных металлах, |
Bi [109—111]. В работах по высоким |
давлениям |
|||
в качестве |
калибровочных точек по давлению часто |
используют |
аномалии удельного сопротивления в точке фазового перехода. Рост монокристаллов характеризуется трудностями уже рас смотренного характера.
4.5.РАССТЕКЛОВЫВАНИЕ
При нагревании многих стекол наблюдается локальная ре кристаллизация. Такой процесс называется расстекловыванием. Обычно этого явления стараются избежать, для чего составы стекол подбирают с таким расчетом, чтобы подавить процессы расстекловывания. Но в ряде случаев составы стекол выбирают специально с целью ускорить расстекловывание. Такие стекла содержат зародышеобразующие агенты, так что в процессе по следующего контролируемого расстекловывания создаются кри сталлические области в матрице. Размеры образующихся кри сталлитов очень малы даже в случае полного расстекловывания. Из технически важных материалов подобного рода надо назвать пирокерамы. До сих пор не сообщалось о специальном выращи вании кристаллов путем расстекловывания, однако при соответ ствующем контроле такая возможность осуществима. Предпри нимались немногочисленные попытки выращивать монокристал лы на затравку из стеклообразующих расплавов. Из таких расплавов трудно вырастить кристаллы путем гомогенного за рождения, так как при переохлаждениях, необходимых для роста зародышей, вязкоеть расплава столь велика, что упорядочение структуры становится невозможным. Однако Варне (неопубли кованные данные) считает возможным рост кристаллов в при сутствии затравки при достаточно высоких температурах, когда вязкость достаточно низка. Кристаллы предпочтительнее выра щивать из однокомпонентных систем, так как в этом случае отпадают трудности, связанные с диффузией. Для однокомпо-
4. РОСТ КРИСТАЛЛОВ В ПРОЦЕССЕ ТВЕРДОФАЗНОГО ПРЕВРАЩЕНИЯ 173
нентных расплавов, которые считаются стеклообразующими, весьма привлекателен способ вытягивания кристалла на за травку. Примером расплава с высокой вязкостью, в котором стеклование препятствует кристаллизации, может служить рас плав селена. Однако при повышении температуры плавления (с повышением давления) [112] или при введении специальных до бавок, приводящих к разрыву связей в цепочках и, следова тельно, к уменьшению вязкости, удается выращивать монокри сталлы [113].
4.6. РОСТ ПРИ МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ ТВЕРДОФАЗНЫХ РЕАКЦИЯХ
Рост в процессе выделения в твердой фазе, или экстрак ции,— один из важнейших примеров роста в многокомпонентных системах. Несмотря на чрезвычайную важность фазовых выде лений для свойств и структуры сплавов, проблема контроля зародышеобразования столь сложна, что до настоящего времени выращивание монокристаллов таким путем не удавалось осу ществить.
Кристаллы некоторых веществ удавалось выращивать из мно
гокомпонентных систем посредством |
деформационного |
отжига. |
|||
В частности, этим способом были |
получены |
монокристаллы |
|||
твердых растворов А\—М, |
где М — Ag, |
Си, Zn, |
Si, Ge |
и Mg; |
|
Си—М, где М — Zn, Al, Cd, |
Ni, Мп |
и Fe, |
и Fe—M, где М — Si, |
Al, Сг и Ni. Этому способу присуще то преимущество, что рас пределение второго компонента в объеме образца не меняется в процессе роста кристаллов. Условия роста таких кристаллов указаны в табл. 4.1 (см. также разд. 4.2).