Файл: Лодиз, Р. Рост монокристаллов.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 14.10.2024

Просмотров: 176

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

4. РОСТ КРИСТАЛЛОВ В ПРОЦЕССЕ ТВЕРДОФАЗНОГО

ПРЕВРАЩЕНИЯ 169

живаются, а сами такие кристаллы называют

пироэлектриками.

Сегнетоэлектрики образуют часть класса спонтанно поляризо­ ванных пироэлектриков. Из сказанного следует, что выполнение первого из упоминавшихся критериев можно предсказать исходя из структурных данных, а соблюдение второго критерия уста­ навливается экспериментально.

Движение сегнетоэлектрических доменов представляет собой особый тип твердофазного превращения, ранее рассматривав­ шийся как полиморфный и в некоторой степени аналогичный исчезновению электрических двойников. При температуре Кюри

сегнетоэлектрические свойства

исчезают и наблюдается истин­

ное полиморфное превращение.

При высоких температурах

для поляризации сегнетоэлектри­

ческих доменов требуются более слабые приложенные поля, что можно часто наблюдать при изучении кристаллов в скрещенных поляроидах.

Триглицинсульфат принадлежит к моноклинной сингонии и при температурах ниже 49 °С представляет собой сегнетоэлектрик. В кристаллах, выращенных из водных растворов, обычно присутствуют двойники. В поляризованном свете двойники не наблюдаются, потому что оптические оси должны быть парал­ лельными по обе стороны двойниковой границы. Однако эти двойники (сегнетоэлектрические домены) можно выявить трав­ лением. Под действием электрического поля 1,2—2,4 кВ/см, при­ ложенного к плоскостям, перпендикулярным оси Ь, образуются несдвойникованные кристаллы. Триглицинсульфат отличается от сегнетовой соли ЫаКС4Н4 0б-4Н2 0 тем, что после монодоменизации домены вновь появляются через несколько суток [87].

Ориентацию доменов под действием электрического поля иногда называют поляризацией, причем это относится к боль­ шинству сегнетоэлектриков. В некоторых случаях поле, необхо­ димое для ориентации, может превышать напряжение пробоя

(например, для

LiNb0 3 ), и в таких случаях достичь поляризации

на стандартном

оборудовании не удается, если не считать экспе­

риментов при температурах, близких к точке Кюри. Однако монодоменный материал можно приготовить специальными приемами, например поляризацией с жидкими электродами при температурах ниже точки Кюри [95] или монодоменизацией в процессе выращивания по методу Чохральского [96].

Не исключено, что в некоторых несегнетоэлектриках можно избежать электрического двойникования выращиванием кристал­ лов в электрическом поле, а в сегнетоэлектриках ориентировать домены деформированием. То же самое надо сказать об ориен­

тации

ферромагнитных доменов под

действием

магнитного

поля,

так что останавливаться здесь

на этом нет

необходи­

м о с т и .


170 Р. ЛОДИЗ . РОСТ МОНОКРИСТАЛЛОВ

Полиморфные превращения при высоком давлении

Для большинства полиморфных превращений при высоких давлениях характерны высокие скорости фазовых переходов и, как правило, их неконтролируемость. Это связано с громозд­ костью аппаратуры для создания высоких давлений и ее трудной приспособляемостью для проведения эксперимента с контроли­ руемым зародышеобразованием.

При первых исследованиях в данной области обычно доволь­ ствовались установлением фазовых границ и получением новых фаз. Для таких работ, как правило, было достаточно мелкокри­ сталлических порошков, в связи с чем никаких попыток выра­ щивания монокристаллов не предпринималось. Неудивительно, что по способу полиморфных превращений при высоких давле­ ниях не было получено монокристаллов заметного размера. Тем не менее имеет смысл рассмотреть системы, в которых были по­ лучены керамические и мелкокристаллические образцы, так как эти работы, несомненно, явятся фундаментом будущего синтеза монокристаллов.

1. Алмаз. Диаграмма состояния

графит — а л м а з

была при­

ведена в разд. 2.3 (см. также

разд.

7.5). Интересно

отметить,

что при температурах, близких

к комнатной, алмаз устойчив уже

при относительно невысоких давлениях ( ~ 1 ГПа) . Однако при низких температурах скорость превращения графита в алмаз чрезвычайно мала. Чтобы ускорить переход, повышают темпе­ ратуру, причем для сохранения алмаза в поле устойчивости не­ обходимо соответственно повысить давление. Об аппаратуре для создания сверхвысоких давлений говорится в работах [97, 98]. До последнего времени не было аппаратуры, пригодной для создания (в поле устойчивости алмаза) достаточно высоких дав­ лений при температурах, обеспечивающих заметную скорость прямого перехода графита в алмаз. Впервые алмаз удалось син­ тезировать с использованием катализатора [100, 98]. Роль по­ следнего сводилась к ускорению перехода при достаточно низких температурах и «умеренных» давлениях. Мелкие алмазы удава­ лось получать разложением карбоната лития при высоких дав­ лениях, однако в целом все семейство найденных катализаторов представляло собой растворители углерода, так что рост алмаза практически происходил из раствора. С наибольшим успехом использовались такие катализаторы-растворители, как хром, марганец, кобальт, никель и палладий. Источником углерода обычно служит графит, но испытывались и другие материалы, в том числе арахисовое масло (!). Катализатор плавится и обра­ зует тонкие прослойки между фазами, в которых и происходит перенос вещества. Помимо этого катализатор может опособство-


4. РОСТ КРИСТАЛЛОВ В ПРОЦЕССЕ ТВЕРДОФАЗНОГО ПРЕВРАЩЕНИЯ 171

вать зарождению алмаза. Поскольку успешный рост алмаза осу­ ществлен кристаллизацией из раствора, подробнее он рассмат­ ривается в гл. 7. В настоящее время разработана аппаратура для синтеза алмаза без растворителя, хотя наиболее крупные алмазы были получены при наличии растворителя. Однако ис­ пользование температурных градиентов, специально ориентиро­ ванного «керамического» исходного материала, затравок и т. д., вероятно, позволит достичь дальнейших успехов в получении бо­ лее крупных алмазов без катализаторов. Трудности при синтезе алмаза — в основном экспериментального характера1 ).

2. Нитрид бора. Нитрид бора (боразон) имеет такую же электронную конфигурацию, как и углерод. Известные две слои­ стые модификации BN [100, 101]. При давлении 4,5 ГПа и 1700 °С

BN превращается в твердую и плотную кубическую модифика­

цию со структурой типа

цинковой

гооо

обманки (боразон) [102,

103]. Бо­

разон интересен как абразивный

 

и режущий

материал,

который в

 

Высокотемпера-

 

некоторых

применениях

может

 

 

1500I

турный кварц

 

оказаться лучше алмаза. По спо­

 

собам

и

трудностям

выращива­

 

 

 

 

ния монокристаллов

BN

боразон

 

 

 

 

можно уподобить алмазу.

 

 

1000

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3. Кремнезем. Устойчивая

при

 

 

 

 

высоком

давлении

полиморфная

 

Низкотвмпе-

 

модификация

БЮг, известная

как

500 у ратурный

 

коэсит,

 

была

впервые

получена

 

кварц

 

Коэсом

 

[104]

при

температуре

 

 

 

 

750 °С

и

давлении 3,5

ГПа.

Ис­

 

 

 

 

ходной

шихтой при

этом

служил

 

 

 

5-Ю3

метасиликат

 

натрия

или

ка­

 

 

 

 

 

 

Давление,

МПа

лия

с

добавкой

 

различных

 

 

 

 

 

 

 

минерализаторов,

 

например

Ф и г .

4.15.

Граница устойчивости

(NH 4 ) 2 HP0 4 ,

 

NH4 C1

или

KBF4 .

(кривая

перехода)

коэсита.

Рост происходил из

тонкого слоя

 

 

 

 

раствора на поверхности шихты. Коэсит обнаруживался и в раз­ личных метеоритах. Кривая его устойчивости в координатах

давление — температура

была определена Бойдом и Инглендом

[105] (фиг. 4.15). Коэсит

можно

получить из чистого

а-кварца

при температурах выше

1200°С

и соответствующем

давлении;

')

Исследовательской группой фирмы «Дженерал электрик» выращен

алмаз

весом в несколько карат, по своему качеству относящийся к драго­

ценным

камням [120].


172 Р. ЛОДИЗ . РОСТ МОНОКРИСТАЛЛОВ

при более низких температурах приходится добавлять минера­ лизаторы ( Н 2 0 или др.).

Известны две другие полиморфные модификации кварца, устойчивые при высоких давлениях: кеатит[106], полученный при

380—585 °С и 0,35—1,20 ГПа в присутствии

щелочи, и стишовит

(см. [107]),

полученный

при 1200—1400 °С

и 16 ГПа. Стишовит

встречается

в природе

в некоторых метеоритных кратерах. Не­

сколько соединений со структурами, аналогичными

Si02 (BP04,

М п Р 0 4 , GaP04 ,

AIPO4 и BeF2 ), также имеют полиморфные мо­

дификации,

как у Si0 2

[108].

 

 

4. Другие материалы. Полиморфные превращения при высо­

ких давлениях

происходят во льду, в NH 3 , CBr4 , CS2 , Р, щелоч­

ных металлах,

Bi [109—111]. В работах по высоким

давлениям

в качестве

калибровочных точек по давлению часто

используют

аномалии удельного сопротивления в точке фазового перехода. Рост монокристаллов характеризуется трудностями уже рас­ смотренного характера.

4.5.РАССТЕКЛОВЫВАНИЕ

При нагревании многих стекол наблюдается локальная ре­ кристаллизация. Такой процесс называется расстекловыванием. Обычно этого явления стараются избежать, для чего составы стекол подбирают с таким расчетом, чтобы подавить процессы расстекловывания. Но в ряде случаев составы стекол выбирают специально с целью ускорить расстекловывание. Такие стекла содержат зародышеобразующие агенты, так что в процессе по­ следующего контролируемого расстекловывания создаются кри­ сталлические области в матрице. Размеры образующихся кри­ сталлитов очень малы даже в случае полного расстекловывания. Из технически важных материалов подобного рода надо назвать пирокерамы. До сих пор не сообщалось о специальном выращи­ вании кристаллов путем расстекловывания, однако при соответ­ ствующем контроле такая возможность осуществима. Предпри­ нимались немногочисленные попытки выращивать монокристал­ лы на затравку из стеклообразующих расплавов. Из таких расплавов трудно вырастить кристаллы путем гомогенного за­ рождения, так как при переохлаждениях, необходимых для роста зародышей, вязкоеть расплава столь велика, что упорядочение структуры становится невозможным. Однако Варне (неопубли­ кованные данные) считает возможным рост кристаллов в при­ сутствии затравки при достаточно высоких температурах, когда вязкость достаточно низка. Кристаллы предпочтительнее выра­ щивать из однокомпонентных систем, так как в этом случае отпадают трудности, связанные с диффузией. Для однокомпо-


4. РОСТ КРИСТАЛЛОВ В ПРОЦЕССЕ ТВЕРДОФАЗНОГО ПРЕВРАЩЕНИЯ 173

нентных расплавов, которые считаются стеклообразующими, весьма привлекателен способ вытягивания кристалла на за­ травку. Примером расплава с высокой вязкостью, в котором стеклование препятствует кристаллизации, может служить рас­ плав селена. Однако при повышении температуры плавления (с повышением давления) [112] или при введении специальных до­ бавок, приводящих к разрыву связей в цепочках и, следова­ тельно, к уменьшению вязкости, удается выращивать монокри­ сталлы [113].

4.6. РОСТ ПРИ МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ ТВЕРДОФАЗНЫХ РЕАКЦИЯХ

Рост в процессе выделения в твердой фазе, или экстрак­ ции,— один из важнейших примеров роста в многокомпонентных системах. Несмотря на чрезвычайную важность фазовых выде­ лений для свойств и структуры сплавов, проблема контроля зародышеобразования столь сложна, что до настоящего времени выращивание монокристаллов таким путем не удавалось осу­ ществить.

Кристаллы некоторых веществ удавалось выращивать из мно­

гокомпонентных систем посредством

деформационного

отжига.

В частности, этим способом были

получены

монокристаллы

твердых растворов А\—М,

где М — Ag,

Си, Zn,

Si, Ge

и Mg;

Си—М, где М — Zn, Al, Cd,

Ni, Мп

и Fe,

и Fe—M, где М — Si,

Al, Сг и Ni. Этому способу присуще то преимущество, что рас­ пределение второго компонента в объеме образца не меняется в процессе роста кристаллов. Условия роста таких кристаллов указаны в табл. 4.1 (см. также разд. 4.2).