несколько больших концентрациях, чем в технически чистом титане. Это связано с тем, что олово несколько повышает растворимость водорода в титане при повы шенной и при комнатной температурах (рис. 122). В сплаве Ti + 10Sn, отожженном в вакууме, было обнару жено небольшое количество точечных выделений по гра ницам зерен. Природа этих выделений осталась невыяс ненной, но было установлено, что они не связаны с во дородом.
ВЛИЯНИЕ ^-СТАБИЛИЗАТОРОВ НА СКЛОННОСТЬ а-СПЛАВОВ К ВОДОРОДНОЙ ХРУПКОСТИ
Как было показано выше, а-титановые сплавы для улучшения технологичности иногда легируют небольши ми количествами p-стабилизаторов. Введение р-стабили- заторов в а-сплавы может изменить склонность послед них к водородной хрупкости, особенно если в структуре сплавов появляется, хотя и в небольшом количестве, р-фаза. Наиболее подробно этот вопрос рассмотрен на примере сплавов системы Ti — А1 — Мп.
В работе [371] изучалось влияние водорода на струк туру и свойства технического титана и сплавов
Ti—0,5А1—0,5Mn; Ti—1,5А1—l,5Mn; Ti—2,5А1—2,5Мп.
Исследование проводили на кованых прутках, которые после введения водорода отжигали при 800° С в течение 1 ч, затем охлаждали с печью до 550° С и с этой темпера
туры охлаждение происходило |
на воздухе. Изготовлен |
ные из прутков образцы для |
механических |
испытаний |
нагревали в течение одного |
часа при |
300° С, ох |
лаждали с печью до комнатной температуры и старили в течение 14 дней перед проведением механических ис пытаний. Низкотемпературный отжиг и старение при комнатной температуре проводили для более полного выделения фазы, содержащей водород.
После указанной обработки микроструктура титана при комнатной температуре была представлена а-фазой,
а |
в структуре сплавов Ti—0,5А1—0,5Mn; |
Ti—1,5А1— |
1,5 |
Мп; T i—2,5 А1—2,5Мп содержалось |
6,8; 18,6 и |
25,8% р-фазы соответственно. Водород при малых кон центрациях растворяется полностью в а- и p-фазах, но, начиная с определенной концентрации, на поверхностях
раздела а- и p-фаз появлялись выделения |
гидридной |
фазы. Гидрид титана в сплавах Ti—0,5 |
А1 —0,5 Мп; |