Файл: Клейнер, Э. Ю. Основы теории электронных ламп учебное пособие.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 16.10.2024
Просмотров: 158
Скачиваний: 0
§4.2. ОБЩАЯ ТЕОРИЯ МНОГОЭЛЕКТРОДНЫХ ЛАМП
4.2.1.Уравнение катодного тока
В многоэлектродных лампах не менее двух электродов имеют поло жительные потенциалы. Как было установлено при рассмотрении триодов с положительной сеткой, токопрохождение в системах с не сколькими положительными электродами определяется наложением закономерностей токораспределения на уравнение катодного тока.
Катодный ток многоэлектродной лампы при тех же предпосылках,
что и катодный |
|
ток в триоде, подчиняется закону степени 3/2. Эти |
|||||||||||
предпосылки |
в |
случае триода |
|
|
|
|
|
|
|
||||
заключались в |
следующем. |
|
|
|
|
|
|
|
|||||
1. Не учитывались началь |
|
|
|
|
|
|
|
||||||
ные скорости электронов. |
бы |
|
|
|
|
|
|
|
|||||
2. Система |
электродов |
|
|
|
|
|
|
|
|||||
ла сводима |
к |
эквивалентному |
|
|
|
|
|
|
|
||||
диоду, что означало, что элект |
|
|
|
|
|
|
|
||||||
роды эквидистантны |
и что анод |
|
|
|
|
|
|
|
|||||
и катод |
находятся |
в дальней |
|
|
|
|
|
|
|
||||
зоне поля сетки. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
Для |
того |
чтобы многоэлект |
Рис. |
4.2. Электрическое поле пентода, |
|||||||||
родную |
систему |
можно |
было |
||||||||||
привести к эквивалентному дио |
допускающее приведение к эквивалент |
||||||||||||
|
|
ному диоду |
|
|
|||||||||
ду, второе условие должно быть |
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
сформулировано |
в более общем |
|
каждый |
электрод |
лежал |
в |
|||||||
виде, а |
именно: |
необходимо, чтобы |
|||||||||||
дальней |
зоне |
поля |
соседнего, |
т. |
е. |
не только |
анод и катод в |
||||||
дальней зоне поля расположенных |
рядом |
сеток, |
но |
и одна |
сетка |
в |
дальней зоне поля другой. Для этого, очевидно, междуэлектродные расстояния должны быть настолько большими по сравнению с шагом навивки сеток, чтобы между каждой парой электродов в электриче ском поле имелись зоны с практически параллельными плоскостям электродов эквипотенциальными поверхностями (рис. 4.2). Это тре бование становится понятным, если рассмотреть процесс приведения многоэлектродной лампы к эквивалентному диоду. Он заключается в том, что лампа с п сетками сначала заменяется эквивалентной лам пой с п — 1 сетками, затем лампа с п — 1 сетками — эквивалентной лампой с п — 2 сетками и т. д. Под лампой с п — 1 сетками, эквива лентной лампе с п сетками, в соответствии с определением эквивалент ного диода (см. 3.4.1), понимают лампу с п — 1 сетками, у которой анод находится на месте последней сетки n-сеточной лампы и катодный ток равен катодному току n-сеточной лампы. Анодное напряжение лампы с п — 1 сетками при этом должно Т5ыть равно действующему напряжению в плоскости последней сетки лампы с п сетками, а напря жения остальных электродов — такими же, как у лампы с п сетками. На рис. 4.3 показана схема таких преобразований для пентода. Для их выполнения должно быть известно значение действующего напря жения в плоскости каждой сетки системы, которое, согласно опреде-
223
лению понятия действующего напряжения, можно указать только в том случае, когда соседние с данной сеткой электроды находятся в дальней зоне ее поля. Если порядковые номера сеток считать от ка тода, т. е. под первой сеткой понимать ту, которая лежит рядом с ка-
Щ\
Рис. 4.3. Приведение пентода к эквивалентному диоду
тодом, то в случае сводимости к диоду катодный ток многоэлектрод ной . лампы можно, следовательно, определять по формуле
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(4.1) |
|
где У д1— действующее напряжение в плоскости первой сетки. |
Рас |
|||||||||||
|
|
|
|
|
чет I , |
таким |
образом, сводится в основ- |
|||||
|
|
|
|
|
K’ |
|
r, |
|
|
|
|
|
К С7 |
|
|
|
|
ном к определению и dl. |
|
|
|
|
|||
С0,{--71ьCL/ |
t |
G/yf Сп А |
Определение |
действующих напряжений |
||||||||
|
1 1 1 |
|
в многоэлектродной лампе сложнее, чем |
|||||||||
|
I |
I |
1 |
|
||||||||
|
1 |
1 |
I |
|
действующего напряжения в |
триоде. |
Раз |
|||||
|
I |
I |
I |
|
личие заключается в том, |
что |
в триоде по |
|||||
|
I |
I |
I |
|
обе стороны сетки расположены |
сплошные |
||||||
|
I |
I |
I |
|
||||||||
|
I |
I |
I |
|
проводящие поверхности, |
катод и анод, а |
||||||
|
I |
I |
I |
|
в многоэлектродной лампе по одну или |
|||||||
Рис. |
4.4. К определению |
обе стороны сеток лежат |
опять сетки и по |
|||||||||
этому |
форма |
электрического поля |
более |
|||||||||
действующего |
напряже |
|||||||||||
ния в плоскости сеток в |
сложная. Если |
соседние |
сетки |
лежат в |
||||||||
многоэлектродных лам |
дальней зоне поля той сетки, |
действующее |
||||||||||
|
|
пах |
|
напряжение которой определяется, то их |
||||||||
|
|
|
|
|
можно заменить сплошными |
проводящими |
||||||
|
|
|
|
|
поверхностями, |
подав на них напряжения, |
равные действующим напряжениям в плоскости этих сеток. Так, на пример, при определении действующего напряжения в плоскости второй сетки пентода третья и первая сетки заменяются сплошными поверхностями с напряжениями Ug3 и и дг. Получающаяся таким об разом трехэлектродная система подобна системе электродов обычного триода, что позволяет применить для определения действующего напряжения выражение, выведенное для триода. В соответствии с (3.65) тогда можно написать для действующего напряжения в плос кости t-й сетки (рис. 4.4)
D i u d ( i- i) + U а + -Р; ^ап-н)
(4.2)
1 + Di + D'i
224
1
или, |
вводя обозначение |
|
|
|
|
|
|
1 |
|
|
|
|
* |
i + dj + |
d; |
* |
|
получаем |
|
|
|
|
|
|
Udi = °i [D'i Ud(i-i) + |
+ |
Di Ud{l+d ). |
(4.3) |
|
где |
Uei — напряжение i-й сетки; С/й(,_i). UeV+n — действующие на |
||||
пряжения в плоскости соседних сеток; Dit D £— прямая и |
обратная |
||||
проницаемости i-й сетки в предположении, |
что (г + 1)-я и |
(г — 1)-я |
|||
сетки заменены сплошными |
проводящими |
поверхностями. |
|
Надо иметь в виду, что проницаемости Dt и D £, фигурирующие в (4.2), не являются истинными проницаемостями i-й сетки в данной системе электродов, так как соответствуют действию поля сплошного электрода через эту сетку, а не электрода в виде сетки. Истинные
значения этих проницаемостей Dt нст и D£1|СТ, очевидно, будут меньше. Рассматривая проницаемости согласно (3.36) и (3.37) как отношения соответствующих емкостей и принимая во внимание (3.58) и (3.60), из которых следует, что замена сплошной поверхности сеткой учиты вается добавлением множителя а, получаем соотношения
Di ист —,ai Dit |
(4.4) |
Если написать выражения для действующих напряжений в плос кости всех п сеток, то получается п линейных уравнений с п неизвест ными, путем совместного решения которых можно найти Ugi и дейст вующие напряжения остальных сеток. В общем случае для решения удобнее всего пользоваться методом определителей. Однако для тетро дов и пентодов к этому методу обычно не прибегают, так как при ма лом числе сеток, учитывая также ряд возможных в каждом случае упрощений, легче получить результат путем прямых подстановок. Развернутые выражения для Ugi в случае тетрода и пентода будут даны в соответствующих параграфах.
4.2.2. Токораспределение в многоэлектродных лампах
Токораспределение в многоэлектродных лампах труднее рассчи тать, чем в триоде, так как электроны по пути к аноду пролетают через несколько сеток и поэтому могут несколько раз изменять направле ние своего движения. Особенно усложняется картина токораспределения, если по ходу электронов за сеткой с более высоким потенциа лом следует сетка с более низким, как это обычно имеет место в пентоде. Типичные траектории электронов в пентоде при небольшом отри цательном потенциале первой сетки, нулевом потенциале третьей сетки и больших положительных потенциалах второй сетки и анода показаны на рис. 4.5. Основная масса электронов имеет траектории
225
вида 2 и 7. Электроны с траекториями вида 2 составляют анодный ток, вида 7 — ток экранирующей сетки. При малых Ua часто встре чаются траектории вида 3. По таким траекториям движутся электро
ны, которые после прохождения второй |
сетки |
обладают |
настолько |
|||||||||||
|
|
|
|
большими |
тангенциальными составля |
|||||||||
|
|
|
|
ющими скоростей, |
что не в состоянии |
|||||||||
|
|
|
|
пройти через плоскость третьей сет |
||||||||||
|
|
|
|
ки и возвращаются ко второй. |
|
|||||||||
|
|
|
|
Рассмотрим |
токораспределение в |
|||||||||
|
|
|
|
n-сеточной |
плоской |
системе электро |
||||||||
|
|
|
|
дов |
(см. рис. |
4.4). |
Пусть |
от катода |
||||||
|
|
|
|
нормально к его поверхности уходит |
||||||||||
|
|
|
|
N |
электронов. |
|
При |
прохождении |
||||||
|
|
|
|
первой сетки |
у электронов |
появля |
||||||||
|
|
|
|
ются тангенциальные |
составляющие |
|||||||||
|
|
|
|
скоростей, |
которые тем больше, |
чем |
||||||||
|
|
|
|
ближе электроны |
пролетают к витку |
|||||||||
Рис. 4.5 Типичные траектории |
сетки. Наибольшее значение этих ско |
|||||||||||||
электронов |
в |
пентоде: |
ростей |
vlTm имеют |
электроны, |
летя |
||||||||
I — без бокового отклонения; 2 — с малым |
щие |
по |
касательной |
к витку. |
Если |
|||||||||
боковым отклонением; |
|
3 — с большим бо |
принять, |
что углы |
отклонения |
неве |
||||||||
ковым отклонением; |
4 — отражаемых от |
|||||||||||||
витков третьей сетки; |
5 — упруго отража |
лики, то |
электроны, |
согласно |
3.8.2 |
|||||||||
емых от анода; 6 — многократно проходя |
||||||||||||||
щих через положительную сетку; |
7 — пе- |
равномерно распределяются по вели |
||||||||||||
рехватыпаемых положительной |
сеткой |
чине тангенциальных скоростей. Диа |
||||||||||||
тангенциальным |
составляющим |
грамма распределения электронов по |
||||||||||||
скоростей |
после |
первой сетки |
пред |
ставляет собой прямоугольник с основанием по оси абсцисс от—у1тт до + у1т7П (рис. 4.6,а). Подобная же диаграмма получается, если этот поток электронов проходит только через вторую сетку (рис. 4.6,6). Однако здесь предельные значения скоростей ± и 2тт и высота прямо угольника могут быть другими, чем в первом случае; одинаковыми должны быть только площади прямоугольников, так как они соот ветствуют одному и тому же числу пролетающих через сетку элект ронов. При прохождении электронов через две сетки последователь но оба распределения накладываются друг на друга; при малых углах отклонения сложение скоростей, очевидно, можно производить ли
нейно. Так, например, электроны, имеющие перед второй сеткой тан генциальную составляющую скорости, равную vir, после прохожде ния ее обладают тангенциальными скоростями в пределах от v 1т—virm до v'ir -+- и2тт (см. заштрихованные площадки на рис. 4.6,а и 4.6,б).
Сложение обоих распределений дает диаграмму в виде трапеции с крайними значениями скоростей ± (vlTm + о2тт) (рис. 4.6,б). При прохождении потока электронов через три сетки кривая распределе ния принимает колоколообразную форму (рис. 4.6,б) и с увеличением числа сеток приближается к кривой распределения Гаусса. Зная распределение электронов по тангенциальным составляющим скорос тей после выхода их из последней (п-й) сетки системы электродов,
226
можно |
определить |
|
коэффициент |
|
токопрохождения |
через |
||||||||||
нее |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
т кр |
i)N |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
I |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
■dv„ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
U |
|
|
dvn |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
In |
|
ПТЯ |
dN |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
I |
|
dv„ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
dv.tT ' |
(4.5) |
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
где |
/„ — ток, |
|
соответству |
|
|
|
|
|
|
|
||||||
ющий |
потоку |
|
электронов, |
|
|
|
|
|
|
|
||||||
проходящих |
через |
п-ю сет |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
ку; vnT— тангенциальная со |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
ставляющая |
скорости |
элект |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
ронов |
после |
п-й |
сетки; |
vmm |
|
|
|
|
|
|
|
|||||
— наибольшее |
значение |
vm\ |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
v m к р |
|
— значение |
vm, |
соот |
|
|
|
|
|
|
|
|||||
ветствующее |
|
критическому |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
углу |
|
отклонения |
электронов |
|
|
|
|
|
|
|
||||||
после прохождения л-й сетки. |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
На рис. |
4.7 |
показаны рас |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
считанные |
по |
(4.5) |
кривые |
|
|
|
|
|
|
|
||||||
токораспределениядля систем |
Рис. 4.6. |
Распределение в пентоде по тан |
||||||||||||||
электродов |
с одной, |
двумя и |
||||||||||||||
тремя сетками, |
предполагая, |
генциальным |
составляющим |
скоростей |
||||||||||||
|
|
электронов |
|
|
||||||||||||
что имеются |
лишь |
траекто |
а — прошедших только первую сетку; 6—прошедших |
|||||||||||||
рии |
|
видов |
2 и 3 |
(см. рис. |
только вторую сетку; в —прошедших |
последователь |
||||||||||
|
но первую н-вторую сетки; г — прошедших все три |
|||||||||||||||
4.5). |
Чем больше |
число |
се |
|
|
|
сетки |
|
|
|||||||
ток, тем положе кривая и |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
больше значения |
UJUg„, при |
1а |
|
|
|
|
|
|
||||||||
которых происходит |
переход |
|
|
|
|
|
|
|||||||||
из режима возврата в режим |
In |
|
|
|
|
|
|
|||||||||
1,0 |
|
|
|
|
|
|
||||||||||
перехвата. Из-за многообра |
|
|
|
|
|
|
||||||||||
0,8 |
|
|
|
|
|
|
||||||||||
зия |
форм |
реально |
получаю |
|
|
|
|
|
|
|||||||
щихся траекторий электронов |
0,8 |
|
|
|
|
|
|
|||||||||
(см. рис. 4.5) для многоэлек |
0,0 |
|
|
|
|
|
|
|||||||||
тродных ламп трудно с доста |
0,2 |
|
|
|
|
|
|
|||||||||
точной точностью определить |
|
|
|
|
|
|
||||||||||
функцию dN/дит и |
произве |
О |
|
0,1 |
0,2 |
0,3 |
0,0 |
|
||||||||
сти вычисление по (4.5). По |
|
|
|
|
|
£а_ |
|
|||||||||
этому практически для расче |
|
|
|
|
|
Щп |
|
|||||||||
та токораспределения в мно |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
гоэлектродных лампах |
поль |
Рис. 4.7. Токораспределение |
в системах |
|||||||||||||
зуются приближенными фор |
|
|
электродов: |
|
|
|||||||||||
мулами, которые |
будут рас |
а — о одной |
сеткой: 6 — с |
двумя сетками; |
в — с |
|||||||||||
смотрены |
далее. |
|
|
|
|
тремя сетками |
(л — порядковый номер последней |
|||||||||
|
|
|
|
|
сетки |
.перед |
анодом) |
|
|