Файл: Клейнер, Э. Ю. Основы теории электронных ламп учебное пособие.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 16.10.2024

Просмотров: 158

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

§4.2. ОБЩАЯ ТЕОРИЯ МНОГОЭЛЕКТРОДНЫХ ЛАМП

4.2.1.Уравнение катодного тока

В многоэлектродных лампах не менее двух электродов имеют поло­ жительные потенциалы. Как было установлено при рассмотрении триодов с положительной сеткой, токопрохождение в системах с не­ сколькими положительными электродами определяется наложением закономерностей токораспределения на уравнение катодного тока.

Катодный ток многоэлектродной лампы при тех же предпосылках,

что и катодный

 

ток в триоде, подчиняется закону степени 3/2. Эти

предпосылки

в

случае триода

 

 

 

 

 

 

 

заключались в

следующем.

 

 

 

 

 

 

 

1. Не учитывались началь­

 

 

 

 

 

 

 

ные скорости электронов.

бы­

 

 

 

 

 

 

 

2. Система

электродов

 

 

 

 

 

 

 

ла сводима

к

эквивалентному

 

 

 

 

 

 

 

диоду, что означало, что элект­

 

 

 

 

 

 

 

роды эквидистантны

и что анод

 

 

 

 

 

 

 

и катод

находятся

в дальней

 

 

 

 

 

 

 

зоне поля сетки.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Для

того

чтобы многоэлект­

Рис.

4.2. Электрическое поле пентода,

родную

систему

можно

было

привести к эквивалентному дио­

допускающее приведение к эквивалент­

 

 

ному диоду

 

 

ду, второе условие должно быть

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

сформулировано

в более общем

 

каждый

электрод

лежал

в

виде, а

именно:

необходимо, чтобы

дальней

зоне

поля

соседнего,

т.

е.

не только

анод и катод в

дальней зоне поля расположенных

рядом

сеток,

но

и одна

сетка

в

дальней зоне поля другой. Для этого, очевидно, междуэлектродные расстояния должны быть настолько большими по сравнению с шагом навивки сеток, чтобы между каждой парой электродов в электриче­ ском поле имелись зоны с практически параллельными плоскостям электродов эквипотенциальными поверхностями (рис. 4.2). Это тре­ бование становится понятным, если рассмотреть процесс приведения многоэлектродной лампы к эквивалентному диоду. Он заключается в том, что лампа с п сетками сначала заменяется эквивалентной лам­ пой с п — 1 сетками, затем лампа с п — 1 сетками — эквивалентной лампой с п — 2 сетками и т. д. Под лампой с п — 1 сетками, эквива­ лентной лампе с п сетками, в соответствии с определением эквивалент­ ного диода (см. 3.4.1), понимают лампу с п — 1 сетками, у которой анод находится на месте последней сетки n-сеточной лампы и катодный ток равен катодному току n-сеточной лампы. Анодное напряжение лампы с п — 1 сетками при этом должно Т5ыть равно действующему напряжению в плоскости последней сетки лампы с п сетками, а напря­ жения остальных электродов — такими же, как у лампы с п сетками. На рис. 4.3 показана схема таких преобразований для пентода. Для их выполнения должно быть известно значение действующего напря­ жения в плоскости каждой сетки системы, которое, согласно опреде-

223


лению понятия действующего напряжения, можно указать только в том случае, когда соседние с данной сеткой электроды находятся в дальней зоне ее поля. Если порядковые номера сеток считать от ка­ тода, т. е. под первой сеткой понимать ту, которая лежит рядом с ка-

Щ\

Рис. 4.3. Приведение пентода к эквивалентному диоду

тодом, то в случае сводимости к диоду катодный ток многоэлектрод­ ной . лампы можно, следовательно, определять по формуле

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(4.1)

где У д1— действующее напряжение в плоскости первой сетки.

Рас­

 

 

 

 

 

чет I ,

таким

образом, сводится в основ-

 

 

 

 

 

K’

 

r,

 

 

 

 

К С7

 

 

 

 

ном к определению и dl.

 

 

 

 

С0,{--71ьCL/

t

G/yf Сп А

Определение

действующих напряжений

 

1 1 1

 

в многоэлектродной лампе сложнее, чем

 

I

I

1

 

 

1

1

I

 

действующего напряжения в

триоде.

Раз­

 

I

I

I

 

личие заключается в том,

что

в триоде по

 

I

I

I

 

обе стороны сетки расположены

сплошные

 

I

I

I

 

 

I

I

I

 

проводящие поверхности,

катод и анод, а

 

I

I

I

 

в многоэлектродной лампе по одну или

Рис.

4.4. К определению

обе стороны сеток лежат

опять сетки и по­

этому

форма

электрического поля

более

действующего

напряже­

ния в плоскости сеток в

сложная. Если

соседние

сетки

лежат в

многоэлектродных лам­

дальней зоне поля той сетки,

действующее

 

 

пах

 

напряжение которой определяется, то их

 

 

 

 

 

можно заменить сплошными

проводящими

 

 

 

 

 

поверхностями,

подав на них напряжения,

равные действующим напряжениям в плоскости этих сеток. Так, на­ пример, при определении действующего напряжения в плоскости второй сетки пентода третья и первая сетки заменяются сплошными поверхностями с напряжениями Ug3 и и дг. Получающаяся таким об­ разом трехэлектродная система подобна системе электродов обычного триода, что позволяет применить для определения действующего напряжения выражение, выведенное для триода. В соответствии с (3.65) тогда можно написать для действующего напряжения в плос­ кости t-й сетки (рис. 4.4)

D i u d ( i- i) + U а + -Р; ^ап-н)

(4.2)

1 + Di + D'i

224

1


или,

вводя обозначение

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

*

i + dj +

d;

*

 

получаем

 

 

 

 

 

Udi = °i [D'i Ud(i-i) +

+

Di Ud{l+d ).

(4.3)

где

Uei — напряжение i-й сетки; С/й(,_i). UeV+n — действующие на­

пряжения в плоскости соседних сеток; Dit D £— прямая и

обратная

проницаемости i-й сетки в предположении,

что (г + 1)-я и

(г — 1)-я

сетки заменены сплошными

проводящими

поверхностями.

 

Надо иметь в виду, что проницаемости Dt и D £, фигурирующие в (4.2), не являются истинными проницаемостями i-й сетки в данной системе электродов, так как соответствуют действию поля сплошного электрода через эту сетку, а не электрода в виде сетки. Истинные

значения этих проницаемостей Dt нст и 1|СТ, очевидно, будут меньше. Рассматривая проницаемости согласно (3.36) и (3.37) как отношения соответствующих емкостей и принимая во внимание (3.58) и (3.60), из которых следует, что замена сплошной поверхности сеткой учиты­ вается добавлением множителя а, получаем соотношения

Di ист —,ai Dit

(4.4)

Если написать выражения для действующих напряжений в плос­ кости всех п сеток, то получается п линейных уравнений с п неизвест­ ными, путем совместного решения которых можно найти Ugi и дейст­ вующие напряжения остальных сеток. В общем случае для решения удобнее всего пользоваться методом определителей. Однако для тетро­ дов и пентодов к этому методу обычно не прибегают, так как при ма­ лом числе сеток, учитывая также ряд возможных в каждом случае упрощений, легче получить результат путем прямых подстановок. Развернутые выражения для Ugi в случае тетрода и пентода будут даны в соответствующих параграфах.

4.2.2. Токораспределение в многоэлектродных лампах

Токораспределение в многоэлектродных лампах труднее рассчи­ тать, чем в триоде, так как электроны по пути к аноду пролетают через несколько сеток и поэтому могут несколько раз изменять направле­ ние своего движения. Особенно усложняется картина токораспределения, если по ходу электронов за сеткой с более высоким потенциа­ лом следует сетка с более низким, как это обычно имеет место в пентоде. Типичные траектории электронов в пентоде при небольшом отри­ цательном потенциале первой сетки, нулевом потенциале третьей сетки и больших положительных потенциалах второй сетки и анода показаны на рис. 4.5. Основная масса электронов имеет траектории

225


вида 2 и 7. Электроны с траекториями вида 2 составляют анодный ток, вида 7 — ток экранирующей сетки. При малых Ua часто встре­ чаются траектории вида 3. По таким траекториям движутся электро­

ны, которые после прохождения второй

сетки

обладают

настолько

 

 

 

 

большими

тангенциальными составля­

 

 

 

 

ющими скоростей,

что не в состоянии

 

 

 

 

пройти через плоскость третьей сет­

 

 

 

 

ки и возвращаются ко второй.

 

 

 

 

 

Рассмотрим

токораспределение в

 

 

 

 

n-сеточной

плоской

системе электро­

 

 

 

 

дов

(см. рис.

4.4).

Пусть

от катода

 

 

 

 

нормально к его поверхности уходит

 

 

 

 

N

электронов.

 

При

прохождении

 

 

 

 

первой сетки

у электронов

появля­

 

 

 

 

ются тангенциальные

составляющие

 

 

 

 

скоростей,

которые тем больше,

чем

 

 

 

 

ближе электроны

пролетают к витку

Рис. 4.5 Типичные траектории

сетки. Наибольшее значение этих ско­

электронов

в

пентоде:

ростей

vlTm имеют

электроны,

летя­

I — без бокового отклонения; 2 — с малым

щие

по

касательной

к витку.

Если

боковым отклонением;

 

3 — с большим бо­

принять,

что углы

отклонения

неве­

ковым отклонением;

4 — отражаемых от

витков третьей сетки;

5 — упруго отража­

лики, то

электроны,

согласно

3.8.2

емых от анода; 6 — многократно проходя­

щих через положительную сетку;

7 — пе-

равномерно распределяются по вели­

рехватыпаемых положительной

сеткой

чине тангенциальных скоростей. Диа­

тангенциальным

составляющим

грамма распределения электронов по

скоростей

после

первой сетки

пред­

ставляет собой прямоугольник с основанием по оси абсцисс от—у1тт до + у1т7П (рис. 4.6,а). Подобная же диаграмма получается, если этот поток электронов проходит только через вторую сетку (рис. 4.6,6). Однако здесь предельные значения скоростей ± и 2тт и высота прямо­ угольника могут быть другими, чем в первом случае; одинаковыми должны быть только площади прямоугольников, так как они соот­ ветствуют одному и тому же числу пролетающих через сетку элект­ ронов. При прохождении электронов через две сетки последователь­ но оба распределения накладываются друг на друга; при малых углах отклонения сложение скоростей, очевидно, можно производить ли­

нейно. Так, например, электроны, имеющие перед второй сеткой тан­ генциальную составляющую скорости, равную vir, после прохожде­ ния ее обладают тангенциальными скоростями в пределах от v 1т—virm до v'ir -+- и2тт (см. заштрихованные площадки на рис. 4.6,а и 4.6,б).

Сложение обоих распределений дает диаграмму в виде трапеции с крайними значениями скоростей ± (vlTm + о2тт) (рис. 4.6,б). При прохождении потока электронов через три сетки кривая распределе­ ния принимает колоколообразную форму (рис. 4.6,б) и с увеличением числа сеток приближается к кривой распределения Гаусса. Зная распределение электронов по тангенциальным составляющим скорос­ тей после выхода их из последней (п-й) сетки системы электродов,

226


можно

определить

 

коэффициент

 

токопрохождения

через

нее

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

т кр

i)N

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

■dv„

 

 

 

 

 

 

 

 

U

 

 

dvn

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

In

 

ПТЯ

dN

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I

 

dv„

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dv.tT '

(4.5)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где

/„ — ток,

 

соответству­

 

 

 

 

 

 

 

ющий

потоку

 

электронов,

 

 

 

 

 

 

 

проходящих

через

п-ю сет­

 

 

 

 

 

 

 

ку; vnT— тангенциальная со­

 

 

 

 

 

 

 

ставляющая

скорости

элект­

 

 

 

 

 

 

 

ронов

после

п-й

сетки;

vmm

 

 

 

 

 

 

 

— наибольшее

значение

vm\

 

 

 

 

 

 

 

v m к р

 

— значение

vm,

соот­

 

 

 

 

 

 

 

ветствующее

 

критическому

 

 

 

 

 

 

 

углу

 

отклонения

электронов

 

 

 

 

 

 

 

после прохождения л-й сетки.

 

 

 

 

 

 

 

На рис.

4.7

показаны рас­

 

 

 

 

 

 

 

считанные

по

(4.5)

кривые

 

 

 

 

 

 

 

токораспределениядля систем

Рис. 4.6.

Распределение в пентоде по тан­

электродов

с одной,

двумя и

тремя сетками,

предполагая,

генциальным

составляющим

скоростей

 

 

электронов

 

 

что имеются

лишь

траекто­

а — прошедших только первую сетку; 6—прошедших

рии

 

видов

2 и 3

(см. рис.

только вторую сетку; в —прошедших

последователь­

 

но первую н-вторую сетки; г — прошедших все три

4.5).

Чем больше

число

се­

 

 

 

сетки

 

 

ток, тем положе кривая и

 

 

 

 

 

 

 

больше значения

UJUg„, при

 

 

 

 

 

 

которых происходит

переход

 

 

 

 

 

 

из режима возврата в режим

In

 

 

 

 

 

 

1,0

 

 

 

 

 

 

перехвата. Из-за многообра­

 

 

 

 

 

 

0,8

 

 

 

 

 

 

зия

форм

реально

получаю­

 

 

 

 

 

 

щихся траекторий электронов

0,8

 

 

 

 

 

 

(см. рис. 4.5) для многоэлек­

0,0

 

 

 

 

 

 

тродных ламп трудно с доста­

0,2

 

 

 

 

 

 

точной точностью определить

 

 

 

 

 

 

функцию dN/дит и

произве­

О

 

0,1

0,2

0,3

0,0

 

сти вычисление по (4.5). По­

 

 

 

 

 

£а_

 

этому практически для расче­

 

 

 

 

 

Щп

 

та токораспределения в мно­

 

 

 

 

 

 

 

гоэлектродных лампах

поль­

Рис. 4.7. Токораспределение

в системах

зуются приближенными фор­

 

 

электродов:

 

 

мулами, которые

будут рас­

а — о одной

сеткой: 6 — с

двумя сетками;

в — с

смотрены

далее.

 

 

 

 

тремя сетками

(л — порядковый номер последней

 

 

 

 

 

сетки

.перед

анодом)