ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 17.10.2024
Просмотров: 94
Скачиваний: 0
Графики зависимости |
от 1±В (или d) могут быть |
использованы, очевидно, для |
оценки ожидаемых накло |
нов зависимости В (V) в случае конденсатора данной толщины и частиц определенного размера. Правые ветви
кривых на рис. |
29.3 довольно хороню описываются эм |
|||||||||
пирическим соотношением Ьг — dl/3 [12]. |
разного |
размера. |
||||||||
в) |
Яркость |
свечения |
кристаллов |
|||||||
Случаи |
1г = const, |
R — d и |
Д — d2, R — d_1, приво |
|||||||
дящие к одинаковому соотно |
|
|
|
|
|
|
||||
шению |
I ±R — d и |
одинако |
|
|
|
|
|
|
||
вой зависимости bx (d), могут |
|
|
|
|
|
|
||||
быть разделены путем изме |
|
|
|
|
|
|
||||
рения яркости частиц разного |
|
|
|
|
|
|
||||
диаметра, находящихся |
под |
|
|
|
|
|
|
|||
одинаковым внешним напря |
|
|
|
|
|
|
||||
жением. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
В работе [12] для люмино |
|
|
|
|
|
|
||||
форов с зеленым и желтым |
|
|
|
|
|
|
||||
свечением, для которых вес |
|
|
|
|
|
|
||||
каждого |
фракционированно |
|
|
|
|
|
|
|||
го образца, помещаемого в |
|
|
|
|
|
|
||||
конденсатор, брался постоян |
|
|
|
|
|
|
||||
ным, была определена яр |
|
|
|
|
|
|
||||
кость свечения |
кристаллов |
Рис. 29.5. Яркость кристаллов раз |
||||||||
определенного |
размера |
при |
личного размера d при неизменном |
|||||||
напряжении на них. Сплошные кри |
||||||||||
данном напряжении на одном |
вые — расчетные |
при |
Ъ = 20 в и |
|||||||
кристалле. На |
рис. |
29.5 |
эти |
нескольких напряжениях Vt, ука |
||||||
занных у кривых. |
Зачерненные точ |
|||||||||
данные |
приводятся |
вместе с |
ки — опытные данные |
для |
ЭЛ-580 |
|||||
(частота |
5 пгц, |
Vi — 21 |
в), |
осталь |
||||||
теоретическими кривыми, ко |
ные для |
ЭЛ-510 |
при Vi — 15,4 в, |
|||||||
торые получены из расчетных |
9,8 в и 5,6 в |
(V\ |
уменьшается на |
|||||||
рисунке сверху вниз), частота 500гг{. |
графиков В (F) (см. рис. 28.2)
исоответствуют случаю 1г =
—const, R ~ d. Общая форма экспериментальных и теоре
тических зависимостей оказывается сходной. Напряже ния, соответствующие данной опытной и теоретической кривой, также довольно близки, особенно для люмино фора с желтым свечением.
Другой возможный вариант, когда Д — d2, a |
R ~ d-1, |
|
рассмотрен в работе [12] и показывает |
худшее |
согласие |
с опытом, т. е. можно считать, что ток, |
попадающий при |
данных условиях в области сильного поля в кристаллах, не зависит от размера зерен, а сопротивление толщи зерен пропорционально их диаметру. Это соответствует предположению об одинаковых свойствах барьеров в
7* 195
частицах разного размера, находящихся в контакте друг с другом.
Если зерна отделены от соседних, то их яркость умень шается в десятки раз (§ 23). Так как при комнатной тем пературе и контактирующих частицах свечение соот ветствует минимуму кривых Ъг (/ХЯ), то уменьшение токов через кристалл данного размера (R = const) будет
приводить к росту Ьг для |
изолированных |
кристаллов |
|||||||||
|
|
|
(левая |
ветвь |
кривых |
на |
|||||
|
|
|
рис. |
29.3). |
В частности, |
из |
|||||
|
|
|
рис. 29.3 следует, |
что пере |
|||||||
|
|
|
ход |
от |
I tR |
= |
1 в |
к I tR |
= |
||
|
|
|
— 0,05 |
в (уменьшение тока и |
|||||||
|
|
|
яркости |
в 20 раз) |
приводит |
||||||
|
|
|
к |
увеличению |
наклона |
|
|||||
|
|
|
примерно в 1,3 раза (кривая |
||||||||
|
|
|
при Ъ = 20 в). Это согласует |
||||||||
|
|
|
ся с опытными данными, при |
||||||||
|
|
|
водившимися в § 23. |
|
|||||||
|
|
|
г) |
|
зависимости |
яркости |
|||||
|
|
|
ческой |
||||||||
|
|
|
от напряжения для обычных |
||||||||
|
|
|
люминофоров. |
Используя |
|||||||
Рис. 29.6. |
Свечение |
ристаллов |
приведенные выше |
данные о |
|||||||
свойствах частиц разного ди |
|||||||||||
трех размеров при различных нап |
|||||||||||
ряжениях. Кривые вычислены при |
аметра, |
можно понять причи |
|||||||||
Ь — 20 в и |
следующих значениях |
||||||||||
ЦК : 1 — 1 |
в, 2 — 4 в, |
3 — 8 в. |
ны |
появления известной эм |
|||||||
Штриховая |
линия — суммарное |
пирической |
зависимости |
яр |
|||||||
|
свечение. |
|
|||||||||
|
|
|
кости |
от напряжения (23.1), |
относящейся к «естественным» люминофорам с широким распределением частиц по размерам (как на рис. 22.1).
Если предположить, что люминофор состоит только из трех типов частиц, характеризуемых значениями I tR = = 1, 4 и 8 в (при и = 3 мкм/в это соответствует диа метрам 3, 12 и 24 мкм), причем каждый мостик частиц в конденсаторе толщиной, например, 24 мкм образован из кристаллов одного размера, то, учитывая относитель ное число частиц каждого типа в порошке, определяемое уравнением (22.1), можно построить зависимость яркости,
создаваемой частицами данного размера, |
от напряжения |
|||
(рис. 29.6). |
При низких |
напряжениях |
основной |
вклад |
в свечение |
будут давать |
крупные частицы (хотя |
их и |
мало), так как они находятся под самым высоким напря жением. При высоких напряжениях на конденсаторе будет
196
преобладать свечение мелких частиц, поскольку зави симость их свечения от напряжения на конденсаторе более крута, а число их больше, чем крупных.
Рис. 29.6 позволяет заметить, что зависимость сум марного свечения всех трех фракций от напряжения при ближается к прямой в значительно большем интервале напряжений и яркостей, чем свечение кристаллов каждого типа в отдельности. Расположение кривых на рис. 29.6 соответствует тому случаю, когда размер частиц мелкой фракции близок к максимуму распределения. Число более мелких частиц в порошке уже меньше и их влияние на яркость ЭЛ слабее. Если увеличивать число фракций, на которые разбивается люминофор, то еще более мелкие частицы дадут небольшой вклад в свечение при самых высоких V, а более крупные — при наиболее низких V, т. е. интервал спрямления суммарной зависимости В (V) увеличится по сравнению с простым случаем трех фракций.
Таким образом, появление эмпирической зависимости In В ~ У-1/2связано как с ударной ионизацией в барьерах определенного типа, так и с усреднением излучения, идущего от частиц разного размера, число которых ре гулируется определенным законом распределения (22.1).
В заключение можно заметить, что учет различного сопротивления и условий ионизации в кристаллах раз ного размера позволяет получить и другие характеристики свечения, связанные с размером кристаллов (относящиеся, например, к энергетическому выходу ЭЛ; § 31). При этом достаточно использовать уже найденные из других измерений значения Ъ и и. Сама возможность получе ния расчетным путем зависимостей электролюминесцен ции от размера кристаллов является естественным след ствием исходной модели, учитывающей распределение напряжения между барьерной и объемной областями кристалла.
§30. Влияние температуры на яркость электролюминесценции
а) Форма зависимости яркости от температуры. Тем пературная зависимость яркости электролюминесценции сульфида цинка, являющаяся одной из основных харак теристик явления, исследовалась в ряде работ [18, 44, 46, 61, 78-97].
197
Как для монокристаллов, так и для порошкообразных образцов кривая В (Т) при постоянном внешнем напря жении имеет обычно основной максимум вблизи комнат ной температуры. В некоторых случаях наблюдалось два или большее число слабо разделенных максимумов около той же температуры и небольшой дополнительный макси мум в области низких температур (около 140 °К). При меры зависимости В (Т) для порошкообразных люмино
форов приведены на рис. |
13.5 и 30.1. |
В § 13 было показано, |
что зависимость В (Т) с одним |
максимумом может быть |
получена на основе модели |
Рис. 30.1. Зависимость яркости от температуры для трех фракций люмино фора с синим свечением.
кристалла с барьером, в котором происходит ударная ионизация. Теоретические кривые, приведенные в § 13, рассчитаны при параметрах, пригодных для сульфида цинка, поэтому графиками на рис. 13.1 и 13.4 можно пользоваться при истолковании температурной зависи мости яркости ZnS-люминофоров [73, 90].
При возбуждении свечения переменным напряжением яркость определяется следующим выражением:
В = с I 0 (F0, Т у М (F0, Т) • N (V0,T)-P (Т). (30.1)
Здесь, |
как и раньше, / 0 — обратный ток |
барьера при |
М = 1 , |
F0 — напряжение на барьере; М — коэффициент |
|
умножения носителей в барьере; N — число |
ионизаций, |
приходящихся на один электрон, прошедший барьерную область; Р — вероятность рекомбинации с излучением. Все величины, входящие в соотношение (30.1), зависят
498
от температуры. Изменения в яркости свечения, вносимые температурой, будут определяться при этом условиями, в которых происходит ионизация, и зависимостью Р (Т), относящейся ко второй половине процесса — рекомби нации электронов с дырками, захваченными центрами свечения.
Появление основного максимума на кривых В (Т) можно объяснить следующим образом. По мере увели чения Т число электронов, переходящих через барьер в область сильного поля в кристалле и определяющих / 0, экспоненциально увеличивается, что приводит как к увеличению числа ионизаций и яркости, так, одновре менно, и к росту напряжения, падающего в толще кри сталла *), т. е. к снижению У0 и величин М и N (см. рис. 13.1). Кроме того, обе эти величины даже при по стоянном V0 уменьшаются с увеличением температуры. При больших Т и / 0 напряжение на барьере снижается настолько, что ионизация прекращается. В результате при определенной температуре (обычно более высокой, чем комнатная) достигается максимальное значение числа ионизаций в секунду (см. рис. 13.3). Величина Р также падает с ростом Т, поэтому максимум яркости смещен в сторону более низких температур (см. рис. 13.4).
Положение максимумов на теоретических кривых В (Т) зависит от напряжения. С увеличением напряжения пик яркости сдвигается в сторону больших температур. Это согласуется с опытными данными, полученными для фракционированного люминофора (см. рис. 30.1). В этом случае с увеличением среднего размера кристаллов в конденсаторе постоянной толщины напряжение на каждом зерне увеличивается. То же явление (сдвиг максимума яркости с ростом напряжения) было отмечено для не разделенного люминофора с зеленым свечением [82].
Следует отметить, что наблюдаемое иногда на обычных
образцах раздвоение основного |
максимума В (Т) [84, |
88, 90, 92] не появляется для |
фракций люминофоров, |
т. е. это явление связано, скорее всего, с наложением нескольких температурных кривых, относящихся к кри сталлам разного размера и имеющих максимумы при различных температурах. Другим вариантом объяснения
*) Рост /„ с увеличением Т происходит быстрее, чем уменьше ние сопротивления R толщи кристалла, поэтому падение напряже ния в объеме I a R M увеличивается с ростом Т несмотря на умень шение М (§ 13).
199