Файл: Верещагин, И. К. Электролюминесценция кристаллов.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 17.10.2024

Просмотров: 94

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Графики зависимости

от 1±В (или d) могут быть

использованы, очевидно, для

оценки ожидаемых накло­

нов зависимости В (V) в случае конденсатора данной толщины и частиц определенного размера. Правые ветви

кривых на рис.

29.3 довольно хороню описываются эм­

пирическим соотношением Ьг dl/3 [12].

разного

размера.

в)

Яркость

свечения

кристаллов

Случаи

= const,

R d и

Д — d2, R d_1, приво­

дящие к одинаковому соотно­

 

 

 

 

 

 

шению

I ±R d и

одинако­

 

 

 

 

 

 

вой зависимости bx (d), могут

 

 

 

 

 

 

быть разделены путем изме­

 

 

 

 

 

 

рения яркости частиц разного

 

 

 

 

 

 

диаметра, находящихся

под

 

 

 

 

 

 

одинаковым внешним напря­

 

 

 

 

 

 

жением.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В работе [12] для люмино­

 

 

 

 

 

 

форов с зеленым и желтым

 

 

 

 

 

 

свечением, для которых вес

 

 

 

 

 

 

каждого

фракционированно­

 

 

 

 

 

 

го образца, помещаемого в

 

 

 

 

 

 

конденсатор, брался постоян­

 

 

 

 

 

 

ным, была определена яр­

 

 

 

 

 

 

кость свечения

кристаллов

Рис. 29.5. Яркость кристаллов раз­

определенного

размера

при

личного размера d при неизменном

напряжении на них. Сплошные кри­

данном напряжении на одном

вые — расчетные

при

Ъ = 20 в и

кристалле. На

рис.

29.5

эти

нескольких напряжениях Vt, ука­

занных у кривых.

Зачерненные точ­

данные

приводятся

вместе с

ки — опытные данные

для

ЭЛ-580

(частота

5 пгц,

Vi — 21

в),

осталь­

теоретическими кривыми, ко­

ные для

ЭЛ-510

при Vi — 15,4 в,

торые получены из расчетных

9,8 в и 5,6 в

(V\

уменьшается на

рисунке сверху вниз), частота 500гг{.

графиков В (F) (см. рис. 28.2)

исоответствуют случаю 1г =

const, R ~ d. Общая форма экспериментальных и теоре­

тических зависимостей оказывается сходной. Напряже­ ния, соответствующие данной опытной и теоретической кривой, также довольно близки, особенно для люмино­ фора с желтым свечением.

Другой возможный вариант, когда Д — d2, a

R ~ d-1,

рассмотрен в работе [12] и показывает

худшее

согласие

с опытом, т. е. можно считать, что ток,

попадающий при

данных условиях в области сильного поля в кристаллах, не зависит от размера зерен, а сопротивление толщи зерен пропорционально их диаметру. Это соответствует предположению об одинаковых свойствах барьеров в

7* 195


частицах разного размера, находящихся в контакте друг с другом.

Если зерна отделены от соседних, то их яркость умень­ шается в десятки раз (§ 23). Так как при комнатной тем­ пературе и контактирующих частицах свечение соот­ ветствует минимуму кривых Ъг (/ХЯ), то уменьшение токов через кристалл данного размера (R = const) будет

приводить к росту Ьг для

изолированных

кристаллов

 

 

 

(левая

ветвь

кривых

на

 

 

 

рис.

29.3).

В частности,

из

 

 

 

рис. 29.3 следует,

что пере­

 

 

 

ход

от

I tR

=

1 в

к I tR

=

 

 

 

0,05

в (уменьшение тока и

 

 

 

яркости

в 20 раз)

приводит

 

 

 

к

увеличению

наклона

 

 

 

 

примерно в 1,3 раза (кривая

 

 

 

при Ъ = 20 в). Это согласует­

 

 

 

ся с опытными данными, при­

 

 

 

водившимися в § 23.

 

 

 

 

г)

 

зависимости

яркости

 

 

 

ческой

 

 

 

от напряжения для обычных

 

 

 

люминофоров.

Используя

Рис. 29.6.

Свечение

ристаллов

приведенные выше

данные о

свойствах частиц разного ди­

трех размеров при различных нап­

ряжениях. Кривые вычислены при

аметра,

можно понять причи­

Ь — 20 в и

следующих значениях

ЦК : 1 — 1

в, 2 — 4 в,

3 — 8 в.

ны

появления известной эм­

Штриховая

линия — суммарное

пирической

зависимости

яр­

 

свечение.

 

 

 

 

кости

от напряжения (23.1),

относящейся к «естественным» люминофорам с широким распределением частиц по размерам (как на рис. 22.1).

Если предположить, что люминофор состоит только из трех типов частиц, характеризуемых значениями I tR = = 1, 4 и 8 в (при и = 3 мкм/в это соответствует диа­ метрам 3, 12 и 24 мкм), причем каждый мостик частиц в конденсаторе толщиной, например, 24 мкм образован из кристаллов одного размера, то, учитывая относитель­ ное число частиц каждого типа в порошке, определяемое уравнением (22.1), можно построить зависимость яркости,

создаваемой частицами данного размера,

от напряжения

(рис. 29.6).

При низких

напряжениях

основной

вклад

в свечение

будут давать

крупные частицы (хотя

их и

мало), так как они находятся под самым высоким напря­ жением. При высоких напряжениях на конденсаторе будет

196


преобладать свечение мелких частиц, поскольку зави­ симость их свечения от напряжения на конденсаторе более крута, а число их больше, чем крупных.

Рис. 29.6 позволяет заметить, что зависимость сум­ марного свечения всех трех фракций от напряжения при­ ближается к прямой в значительно большем интервале напряжений и яркостей, чем свечение кристаллов каждого типа в отдельности. Расположение кривых на рис. 29.6 соответствует тому случаю, когда размер частиц мелкой фракции близок к максимуму распределения. Число более мелких частиц в порошке уже меньше и их влияние на яркость ЭЛ слабее. Если увеличивать число фракций, на которые разбивается люминофор, то еще более мелкие частицы дадут небольшой вклад в свечение при самых высоких V, а более крупные — при наиболее низких V, т. е. интервал спрямления суммарной зависимости В (V) увеличится по сравнению с простым случаем трех фракций.

Таким образом, появление эмпирической зависимости In В ~ У-1/2связано как с ударной ионизацией в барьерах определенного типа, так и с усреднением излучения, идущего от частиц разного размера, число которых ре­ гулируется определенным законом распределения (22.1).

В заключение можно заметить, что учет различного сопротивления и условий ионизации в кристаллах раз­ ного размера позволяет получить и другие характеристики свечения, связанные с размером кристаллов (относящиеся, например, к энергетическому выходу ЭЛ; § 31). При этом достаточно использовать уже найденные из других измерений значения Ъ и и. Сама возможность получе­ ния расчетным путем зависимостей электролюминесцен­ ции от размера кристаллов является естественным след­ ствием исходной модели, учитывающей распределение напряжения между барьерной и объемной областями кристалла.

§30. Влияние температуры на яркость электролюминесценции

а) Форма зависимости яркости от температуры. Тем­ пературная зависимость яркости электролюминесценции сульфида цинка, являющаяся одной из основных харак­ теристик явления, исследовалась в ряде работ [18, 44, 46, 61, 78-97].

197

Как для монокристаллов, так и для порошкообразных образцов кривая В (Т) при постоянном внешнем напря­ жении имеет обычно основной максимум вблизи комнат­ ной температуры. В некоторых случаях наблюдалось два или большее число слабо разделенных максимумов около той же температуры и небольшой дополнительный макси­ мум в области низких температур (около 140 °К). При­ меры зависимости В (Т) для порошкообразных люмино­

форов приведены на рис.

13.5 и 30.1.

В § 13 было показано,

что зависимость В (Т) с одним

максимумом может быть

получена на основе модели

Рис. 30.1. Зависимость яркости от температуры для трех фракций люмино­ фора с синим свечением.

кристалла с барьером, в котором происходит ударная ионизация. Теоретические кривые, приведенные в § 13, рассчитаны при параметрах, пригодных для сульфида цинка, поэтому графиками на рис. 13.1 и 13.4 можно пользоваться при истолковании температурной зависи­ мости яркости ZnS-люминофоров [73, 90].

При возбуждении свечения переменным напряжением яркость определяется следующим выражением:

В = с I 0 (F0, Т у М (F0, Т) N (V0,T)-P (Т). (30.1)

Здесь,

как и раньше, / 0 — обратный ток

барьера при

М = 1 ,

F0 — напряжение на барьере; М — коэффициент

умножения носителей в барьере; N — число

ионизаций,

приходящихся на один электрон, прошедший барьерную область; Р — вероятность рекомбинации с излучением. Все величины, входящие в соотношение (30.1), зависят

498


от температуры. Изменения в яркости свечения, вносимые температурой, будут определяться при этом условиями, в которых происходит ионизация, и зависимостью Р (Т), относящейся ко второй половине процесса — рекомби­ нации электронов с дырками, захваченными центрами свечения.

Появление основного максимума на кривых В (Т) можно объяснить следующим образом. По мере увели­ чения Т число электронов, переходящих через барьер в область сильного поля в кристалле и определяющих / 0, экспоненциально увеличивается, что приводит как к увеличению числа ионизаций и яркости, так, одновре­ менно, и к росту напряжения, падающего в толще кри­ сталла *), т. е. к снижению У0 и величин М и N (см. рис. 13.1). Кроме того, обе эти величины даже при по­ стоянном V0 уменьшаются с увеличением температуры. При больших Т и / 0 напряжение на барьере снижается настолько, что ионизация прекращается. В результате при определенной температуре (обычно более высокой, чем комнатная) достигается максимальное значение числа ионизаций в секунду (см. рис. 13.3). Величина Р также падает с ростом Т, поэтому максимум яркости смещен в сторону более низких температур (см. рис. 13.4).

Положение максимумов на теоретических кривых В (Т) зависит от напряжения. С увеличением напряжения пик яркости сдвигается в сторону больших температур. Это согласуется с опытными данными, полученными для фракционированного люминофора (см. рис. 30.1). В этом случае с увеличением среднего размера кристаллов в конденсаторе постоянной толщины напряжение на каждом зерне увеличивается. То же явление (сдвиг максимума яркости с ростом напряжения) было отмечено для не­ разделенного люминофора с зеленым свечением [82].

Следует отметить, что наблюдаемое иногда на обычных

образцах раздвоение основного

максимума В (Т) [84,

88, 90, 92] не появляется для

фракций люминофоров,

т. е. это явление связано, скорее всего, с наложением нескольких температурных кривых, относящихся к кри­ сталлам разного размера и имеющих максимумы при различных температурах. Другим вариантом объяснения

*) Рост /„ с увеличением Т происходит быстрее, чем уменьше­ ние сопротивления R толщи кристалла, поэтому падение напряже­ ния в объеме I a R M увеличивается с ростом Т несмотря на умень­ шение М (§ 13).

199