Файл: Аммер, С. А. Нитевидные кристаллы (получение, механизмы и кинетика роста) учеб. пособие.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 19.10.2024
Просмотров: 83
Скачиваний: 0
202
С иимонс реш ил у р а в н е н и е д л я н естац и о н ар н ы х у сл о в и й и получи л
кинетические уравнения роста НК. В стационарных же условиях,
когда |
^ |
NCX,t) |
г, |
|
решение его |
дает выражение для |
скорости |
||||||
|
5 |
О , |
|
||||||||||
роста кристаллов: |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
L » |
A® рЗлЯд.гЛ |
|
f |
у |
|
|
Сюб) |
|
|||
|
|
d |
|
L |
'dx J t | X . 0 |
|
|
|
|
|
|||
где A - геометрический фактор; |
У |
- |
поток атомов |
из |
пара |
|
|||||||
непосредственно к вершине НК. |
|
|
|
|
|
|
|
||||||
В еличин у |
г р а д и е н т а к о н ц ен тр ац и и |
|
|
|
н а х о д я т из |
|
|||||||
у р а в н е н и й , |
описывающих адсорбцию |
и |
п о вер х н о стн у ю диффузию , |
а |
|||||||||
в ел и ч и н о й |
У |
можно |
п р е н е б р е ч ь , |
п о с к о л ь к у |
площ адь |
вершины |
НК |
||||||
г о р а з д о |
меньше |
площ ади |
бо к о в о й п о в е р х н о с т и , |
доставляю щ ей атомы |
|||||||||
к верш ине |
п о с р е д с т в о м |
|
диффузии.. |
П осле |
н ахож дени я |
У х : |
t |
||||||
у р а в н е н и е |
д л я |
с к о р о с т и |
прин и м ает |
в и д : |
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
с!п _ , _ ! № Л Q /-w
c U - t - [ r V
|
— |
""> |
|
г д е |
A - yQfct ( |
q _ |
|
T |
- врем я |
ж изни |
а т о м а |
■Mo) U , f b |
(107) |
|
|
атомный объем; r |
р а д и у с HK; |
в а д со р б и р о в ан н о м с о с т о я н и и :
|
N c - N \х*с> |
! No* |
= |
N ( x - o o ) |
|
|
||
|
П о ско л ьк у |
реш ен ие |
п о с л е д н е го у р а в н е н и я |
гр о м о зд к о |
и н е |
|||
у д о б н о д л я |
а н а л и з а , |
р ассм о тр и м т о л ь к о д в а п р едельн ы х |
с л у ч а я : |
|||||
|
I) д л я н ач ал ь н о й с т а д и и р о с т а НК, к о гд а |
Ь << А |
|
|||||
г I |
Щ h |
Т ~ |
* п олУч а е ц |
эксп он енц и альн ы й , |
за к о н р о с т а : |
|||
t n |
* = - ~ |
|||||||
|
Л |
|
|
|
|
|
|
|
|
И= Ь в е*р f T (No* - |
NoJt |
|
(108) |
На это м э т а п е |
к о л и ч е с т в о а т о м о в , поступаю щ их к |
верш ине |
в единицу в р е м е н и , |
у в е л и ч и в а е т с я со в р ем ен ем до те х |
п о р .п о к а |
н е с т а н е т h £ А |
; |
|
_ 203 _
2) при П » Л i h ^ 1 ^ 1 скорость
достигает постоянного (максимального) значения; закон роста
линейный |
_ |
|
|
h |
= |
( М * * ~ М«) t |
(109) |
Таким образом, |
при достижении некоторого |
экспонен |
циальный закон роста сменяется линейным. Экспериментальные по следования кинетики роста при физическом осаждении НК золота,
ртути, калия, ^рубидия и др. [96,116,137,140,180,782,707,806, 810] подтверждает это (рис,30а). По кинетическим диаграммам роста НК можно оценить значение ЬкР и, зная его, судить
оА . Величину А можно также косвенно определить из ана
лиза экспериментальных кривых, пользуясь выражением (107) для
скорости. При малых |
|
h <-< А |
|
|
|
||||
|
^ |
|
(Nco |
- |
|
|
(110) |
||
(атомы к вершине поставляет лишь участок |
НК |
QJTf'h ) |
|
||||||
|
^ = Ц г ^ - |
(Uco-Hc) |
|
( I I I ) |
|||||
Сравнивая (НО) и |
( I I I ) , |
можно найти А |
. |
Определенное из |
|||||
эксперимента |
значение |
Л |
для рубидия оказалось 70-75 |
мкм |
|||||
[Н б] |
, что хорошо |
согласуется с данными |
[8Об] для НК калия |
||||||
(65 мкм при 53°С) |
и ртути |
(50 мкм при -51°С). |
|
||||||
Знание |
Л |
дает |
возможность судить |
о коэффициенте |
поверх |
||||
ностной |
диффузии |
<£) |
|
и других параметрах, |
поскольку [140] : |
||||
А = ( В ЮТ Л = 2 Q © е * р [ U — Л G ® ) / й к Т ] |
( Ш ) |
где 0 .с - расстояние между соседними положениями адсорбции;
:04 _
а.
б.
Рис.30 Экспериментальные кинетические кривые роста:
а ) |
НК рубидия |
|П б ] ; |
б) |
НК сапфира |
[З'+б] . |
дО, и &Gt> - энергия активации десорбции и поверхностной диффузии соответственно.
При повышенных температурах, когда скорость поверхностной
диффузии гораздо больше скорости испарения адсорбированных ато-
мов> кристалл будет |
расти |
по экспоненциальному закону |
до |
тех |
пор, пока длина НК |
меньше |
свободного пути диффузии |
Л |
. В |
этом случае все попавшие на боковую поверхность уса атомы дос
тигает вершины,t и количество увеличивается со временем экспонен циально.
При низких температурах скорость поверхностной диффузии гораздо ниве скорости испарения адсорбированных атомов, поэто
му в этих условиях замедление и прекращение экспоненциального роста, видимо, связано с тем, что не все диффундирующие атомы
могут "догнать" продвигающуюся вершину.
Гомер [811] установил, что критическая длина, при которой
прекращается |
экспоненциальный рост, |
непосредственно связана с |
коэффициентом |
поверхностной диффузии: |
|
D = 5,44 л: 1п\р |
|
|
где ^ ~ геометрическая константа. |
По указанной (формуле с |
использованием экспериментальных данных вычислялись коэффици
енты |
поверхностной |
самодиффузии ртути, кадмия и золота[9б, 140]. |
|||
Для |
золота и ртути |
значение коэффициентов совпадает с данными |
|||
других исследователей. |
Однако в последующих работах [799,800] |
||||
этот метод определения коэффициента диффузии был подвергнут |
|||||
критике и значение |
Ф |
предлагается |
находить по формуле |
(112), |
|
Методы определения |
<L> |
(или <C>V ) |
по экспериментальным |
кине- |
|
тичес.'дам кривым обсуждаются также Симмонсом с соавторами |
[812] |
- 2 0 6 -
Предлагаемый Сирсом механизм хорошо объясняет рост тон ких НК при малых пересыщениях. При больших пересыщениях, когда
становится возможным образование двухмерных зародышей на боко вой поверхности, диффузия атомов сквозь них затрудняется и кристаллы растут в основном в толщину. Последнее находится в
хорошем согласии с работами Диттмара [l4 I,I4 2 j .
Все,рассмотренное до сих пор,относилось к однородным сис
темам, когда растущий кристалл находился в окружении одноатом ного пара того же элемента и химизм процесса не учитывался.
Между тем, это отмечено в части I , основная масса НК разных
веществ и соединений выращивается в сложных системах с участием
химических реакций. Однако, как было показано в работах Бокштей-
на с соавторами [345,346,348], рост НК соединений ( Л-ДОдО, )
подчиняется тем же кинетическим закономерностям, что и при фи
зическом осаждении по модели Сирса. На кинетических кривых
(рис.306) хорошо выявляются начальная стадия экспоненциального
роста, |
следующая за |
ней стадия линейного роста и,наконец, третья |
|||||
стадия |
затухающего |
роста. |
На второй стадии рост НК происходит |
||||
с постоянной |
максимальной |
скоростью,.определяемой соотношением |
|||||
( I I I ) . |
Из него видно, что |
зависимость скорости роста |
j |
от |
|||
обратного радиуса кристалла |
должна быть линейной. |
Экспери |
|||||
ментально это подтверждается [346] . |
|
|
|||||
Скорость |
роста |
j |
, |
длина диффузионного пути |
А |
, г |
|
и пересыщение |
( N c |
- N'uo |
) сложным образом зависят от темпера |
||||
туры. |
Причем |
пересыщение |
будет определяться не температурным |
градиентом концентрации атомов, а химическим пересыщением, вы ражаемым через парциальные давления Р компонентов химической системы [3453 :
|
2 0 7 |
|
|
|
|
C P o -P^.)Z |
|
|
|
Nc " |
W«,~ V2JT m kT |
|
с и з ) |
|
На рис.31 представлена экспериментальная зависимость произве |
||||
дения f'j- |
от температуры. Сложный характер такой- |
зависимости |
||
станет понятным, если проанализировать указанную выше зависи |
||||
мость от температуры величин: %t А |
и ( tn6 - |
NaJ |
; пользуясь, |
|
например, уравнениями (105), (112) |
и (И З ), учитывая температур— |
|||
чуг зависимость^парциального давления Р. Было также показало |
||||
[2*3,346,3*7] , что зависимость |
от |
V r |
Л*я восхо |
|
дящей ветви |
кривой (рис.31) и tn g |
от Vt |
(рис,32) явля |
ется линейной, что свидетельствует о термической активируемос-
ти процесса и позволяет определять суммарную энергию активации процесса роста кристаллов.
Прекращение роста на третьей стадии (рис.ЭОб) может быть
обусловлено тени же причинами рассматриваемыми в работе [801? ,
что и при физическом осаждении. На э то й стадии наблюдается ра диальное утолщение ПК. По-видавому, здесь реализуются уоловия для двухмерного зародахеобразования. Длина же НК, на наш взгляд,
определяется длительностью сохранения в реакционной камере оп тимальных условий для роста и,прежде всего,пересыщения (ом.,
например [206J ) .
Таким образом, можно, видимо, считать, что химизм процесса
не изменяет кинетики кристаллизации, Это подтверждают и другие
л*
исследования (си.,налрииер [2*5,350,390,405,476] , к сожалению,
пока еще малочисленные. При водородном восстановлении галоидных солей металлов кристаллизация усов предполагается такте по дис локационному механизму. Однако она может иметь я свои особеннос ти. Они заключаются в тон, что перенос вещества через газовую фазу происходит пе в виде атомов металла, а в виде щолекул гало-