Файл: Кузьмин, А. А. Маломощные усилители с распределенным усилением.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 19.10.2024

Просмотров: 76

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

(8.82) при заданных значениях

коэффициентов /н и р, можно

так­

же по приближенным формулам

 

 

 

 

0'гР^ ЯК(1

+ /н) , ( 1 +

Ш н),

(8.83)

 

3(1 + 2 р) — И9( 1

+ 2 р У — 7,04/>

(8.84)

ГР '

/

2Р

 

 

 

 

 

 

Выражение (8.84) получено из (8.82) путем разложения тригоно­ метрических функций в степенной ряд, ограниченный двумя первы­

ми членами. Уравнение же

(8.83), для получения

простого выра­

жения, найдено путем аппроксимации зависимости

Orp '= f(M .

Зная 0rp'.", из (8.74)

нетрудно найти значения граничных

частот

 

 

/гР

= 9 грГР /2^-

(8.85)

Анализируя выражения i(8.83)—‘(8.85), можно сделать вывод о том, что граничные частоты симметрирующих устройств с заданной ин­ дуктивностью обмоток Lc возрастают с увеличением коэффициента связи между обмотками и уменьшением величин межобмоточной емкости, а также индуктивности нагрузки Ан. Поэтому при изготов­ лении широкополосных СУ необходимо стремиться к получению мак­ симально близких к единице значений коэффициента связи, мини­ мальных величин индуктивностей нагрузки и собственных выводов симметрирующих устройств.

Формулы (8.83) — (8.85) и графики рис. 8.14 позволя­ ют сравнить широкополосность рассматриваемых СУ. Не­ трудно видеть, что двухобмоточный трансформатор тока с распределенными параметрами является в несколько раз более широкополосным симметрирующим устройст­ вом, чем двухпроводная симметрирующая линия. Поэто­ му применение СУ по схеме Сосина в распределенных усилителях последовательно-параллельной структуры является оправданным и целесообразным. Дальнейший анализ производится в предположении применения СУ трансформаторной схемы.

8.4.4.Параметры усилительного элемента на транзисторе

сОБ и трансформаторном симметрирующем устройстве

Формулы для /г-параметров УЭ в общем виде можно определить по (8.65) — (8.69) с использованием (8.72). Однако применение их весьма затруднительно из-за оче­ видной громоздкости. Формулы можно представить в при­ емлемом виде, если учесть практически реальные соот­ ношения между величинами параметров.

170


Обращаясь к ранее приведенным выражениям (8.9) — (8.12), видим, что h{2&— величина весьма малая по срав­ нению с h2i6 и при анализе АЧХ ею можно пренебречь. Выражение для h m весьма громоздко. Однако расчеты

в численном виде показывают, что

ОДГб Гэ ^

откуда следует, что

^пб ~ ^иб “Ь /^ п б = Яа + j<*>La=

+ у2{^ - а°щЦ) + / > т (L3 + L6).

(8.86)

Таким образом, параметр кпб может быть эквивалентно

представлен последовательным соединением частотно-не­ зависимой индуктивности Ln6 = AIt и активного частотно­ зависимого сопротивления. При этом в зависимости от величины Тб активная часть может как возрастать, так и уменьшаться с ростом частоты. На практике величина ссосотТб, для современных высокочастотных транзисторов, как правило, больше Гб. Поэтому Ян б в этом случае

уменьшается и может принимать отрицательные значе­ ния, что говорит о необходимости принимать конструк­ тивные меры для уменьшения индуктивности базового вывода транзистора. Активная составляющая кцб мала

по сравнению с удвоенной величиной характеристиче­ ского сопротивления входной линии. Поэтому потери во входной ПЛ можно не учитывать и нагрузочным сопро­ тивлением для СУ считать

Aii6~/o>£ii6=/coLH. (8.87)

Модуль коэффициента прямой передачи тока

\hal6\ = aB/yr \ + у 2> \hi26\,

(8.88)

что диктуется необходимостью обеспечить условия устой­ чивости каскада УРУ. Выходной параметр носит емкост­ ной характер я линейно зависит от частоты. Емкость Ск является составной частью емкости фильтра выходной передающей линии.

В симметрирующем устройстве вполне реально счи­ тать коэффициент связи близким к единице

(8.89)

В большинстве случаев практически оправдано соотно­ шение

LC> L H или /н< 1 .

(8.90)

Условия (8.89), (8.90) могут быть полезны при рассмот­

рении частотных зависимостей параметров СУ.

(8.88) в

Таким образом, использование (8.87),

(8.65)— (8.68) приводит к соотношениям

 

hily = jXmi,

hliy —hvisKci,

 

hziy — hiieKcii h-22y— /о)Ск,

(8.91)

где K d — характеризуется

формулой (8.78),

а хВц

входное сопротивление УЭ, вносимое в продольное пле­

чо звена фильтра входной ПЛ и определяемое из

(8.65)

зависимостью

 

 

 

-*вн = 2рп (1 - k2J tg 4

( 1 +

-

(8-92)

где Т= 0,50(ctg 0/2)/СегПри /н< 1

и 0 ^ я /2 Т слабо за­

висит от 0 и приблизительно

равно Т « 1/(1-Ни).

Если

при этом положить tg

(0/2) « 0 /2 , то из (8.92)

находится

упрощенная формула xBh= coLBh,

 

 

где

 

 

 

Lm =

Le[ l - k 2J

( l + l J ] .

(8.92а)

Формула (8.92а) отражает физические свойства СУ. Действительно, при kCB = l и /н= 0 (идеальный случай) LBH= 0 , при увеличении LHи уменьшении kCB LBHрастет.

Величина LBHиграет существенную роль при реализации каскада УРУ структуры h.

8.4.5. Коэффициент усиления и амплитудно-частотная характеристика каскада

Анализ коэффициента усиления и АЧХ рассматрива­ емого каскада проводится при следующих условиях: об­ ратная связь через УЭ мала (/игу— 0); потери во вход­

ной и

выходной ПЛ отсутствуют (cci,2=0); передающие

линии

на

концах полностью согласованы

(рг— 0),

например,

с помощью полузвеньев ФНЧ типа щ

каскад

строится на ФНЧ типа k при использовании трансфор­

маторных СУ (как наиболее широкополосных); раесмат-

172 *



ривается два варианта включения СУ во входную пере­

дающую линию

(рис. 8.15): а) в Т-образное сечение зве­

на ФНЧ типа k,

б) в условное П-образное сечение звена.

В

первом варианте

полная индуктивность ФНЧ типа

k

входной линии

 

 

 

T l — Т1доп +

Т в11, W B 1 — ИУт1, ЙУц1— ® П 1’

во втором варианте схема полузвена не совпадает пол­ ностью с ФНЧ типа k, Lsnf2 присоединяется к П-сеченшо

|------- Н t-1

Рис. 8.15. Включение СУ в ПЛ:

а) в Т-образное сечение; б) в условное П*образное сечение ФНЧ типа k.

ФНЧ типа k, в связи с чем сечение, обозначенное пунк­

тирной линией, названо условным П-сечением звена. Как показывает анализ и опыт реализации УРУ с использо­ ванием включения СУ по схеме б, этот вариант обладает лучшими характеристиками по сравнению со схемой а.

Формулы для характеристических параметров фильт­ ра рис. 8.16,6 можно получить, зная элементы матрицы Л-параметров полузвена фильтра с Т-образной стороны

1 —• х 2. /ю ^ -(1 -|- т т х ,)

 

[а]:

11

,

(8.93)

. а>С,

тх,*

 

1 —

 

 

 

где

 

 

 

Л^со/Шер!, m==LBa!Llt

 

шсР1 = 2/V Ь,Си

(8.94)

173


частота среза совпадает с частотой среза ФНЧ типа k, содержащего Li и С\. Используя (8.93) и (4.1), находим

1 — xf

ту?х

^

(8.95)

V 1 — тх\

1 +

т у

 

1 — тх\

тх\

\

(8.96)

1

— х\

\ +

т )

 

0 -

 

 

 

pi = 2arcsinJCj

1 +

т (1 — А

 

)>

(8.97)

Рис. 8.16. Схемы замещения фильтров:

а) при включении

СУ в Т-образное

сечение; б) в условное П-образное сече­

 

ние

фильтров.

 

где

 

 

 

 

 

®„, =

/ ( £ , + £.*)/£> =

У М 1 + т)/С1.

(8.98)

Учитывая исходные допущения, запишем формулу

коэффициента усиления каскада структуры h

 

 

tih%

 

 

WBl Fpe—jnbi

(8.99)

К £ 4 1 ft

 

 

где Fp — функция расфазировки

(5.151).

 

На частотах, на которых xi:2, у, 0<С1, коэффициент

усиления одинаков для обеих схем включения СУ.

 

 

__

па0feCB

 

(8.100)

 

К£410 —

2(1 + / н)

Из (8.100) следует, что коэффициент усиления каскада на транзисторах с ОБ и СУ определяется в основном числом секций п и отношением wmlw0i. Поэтому, если ®ог/®о1 = 1, что конструктивно наиболее удобно, то коэф­ фициент усиления одной секции |/ 'С с |~ 0 , 5 , и для полу­ чения достаточного Кеш необходимо число секций, рав-

174