Файл: Каплун, В. А. Обтекатели антенн СВЧ (радиотехнический расчет и проектирование).pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 19.10.2024

Просмотров: 116

Скачиваний: 2

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Выполнение первого условия (cpx= 0) достигается с помощью реак­ тивных решеток индуктивного характера, монтируемых внутри сило­ вых слоев стенки. Расчет реактивной проводимости решетки при задан­ ной геометрической толщине сіг (задается из соображений прочности) осуществляется с помощью круговой диаграммы полных сопротивле­

ний (гл. 3, §

3);

можно также использовать совмещенные кривые

I R |а = const,

ф =

const.

Второе условие при найденных параметрах силовых слоев опре­ деляет электрическую толщину среднего слоя ф2 (при 02) и, следова­ тельно, его геометрическую толщину сі2.

Аналогичными методами могут рассчитываться и другие конст­ рукции стенок (например, с реактивной решеткой только в одном утол­ щенном внешнем слое — рис. 7.2 — и т. п.).

В качестве примера в табл. 7.1 приведены данные по коэффициенту прохождения некоторых типов многослойных стенок (при двух видах поляризации), синтезированных рассмотренными методами. Конструк­ ции обеспечивают диапазонность по коэффициенту прохождения в пре­ делах 3—5%. Как правило, расчетные значения коэффициентов про­ хождения хорошо согласуются с экспериментальными данными даже при углах падения, больших 70° [36], [103].

7.3. ОБТЕКАТЕЛИ ДЛЯ РАБОТЫ НА СОВМЕЩЕННЫХ ВОЛНАХ

При конструировании обтекателей, работающих на двух разнесен­ ных волнах, могут использоваться практически все типы диэлектри­ ческих стенок: однослойные, многослойные со слоями чередующейся плотности (компенсационного типа), со слоями, плотность которых меняется монотонно от периферии к центру (с согласующими слоями),

однослойные и многослойные с реактивными решетками

и т. п. [65],

[104].

 

Однослойные диэлектрические стенки целесообразно

применять

в том случае, когда для более длинной волны А,макс стенка является

полуволновой, а для более короткой волны А,мив — кратна нескольким полуволнам; многослойные — во всех других случаях.

При этом следует отметить, что на практике рационально исполь­ зовать лишь относительно простые конструкции: трехслойные, пяти­ слойные и семислойные, так как дальнейшее усложнение структуры сопряжено с чрезмерным усложнением технологии и увеличением стоимости.

Ниже рассматриваются вопросы конструирования некоторых из отмеченных выше диэлектрических стенок применительно к разнесен­ ным по диапазону рабочим волнам.

Многослойные диэлектрические стенки компенсационного типа могут использоваться для обтекателей, работающих на двух, а иногда и большем числе волн. В последнем случае наименьшая волна не должна быть слишком короткой.

2 1 2


Методы конструирования семислойных стенок в данном случае мало отличаются от методов, описанных в предыдущем разделе. Не­ обходимо лишь сделать два следующих замечания:

во-первых, при расчете многослойных конструкций выбор толщи­ ны силовых слоев следует осуществлять из условия допустимого уровня отражений R BX мак0 на более длинной волне (А,макс) при условии сло­ жения всех отражений в фазе;

во-вторых, толщину среднего слоя с/4 по возможности следует опре­

делять

из

условия

компенсации отражений одновременно на более

короткой

(/ѴМІШ)

и более

длинной

 

 

 

 

 

Финке)

волнах.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рассмотрим эти условия.

 

 

 

 

 

 

 

Из соотношения (3.34) для п-

 

 

 

 

 

слойной

стенки

 

с

чередующейся

 

 

 

 

 

плотностью слоев легко получается

 

 

 

 

 

следующее приближенное значение

 

 

 

 

 

коэффициента отражения:

 

 

 

 

 

 

 

 

/?

 

 

 

 

 

1—е ~ /'2(рЛ

 

 

 

 

 

 

^вх макс пел

'I '.1

 

>

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(7.4)

 

 

 

 

 

Данное

соотношение позволяет

 

 

 

 

 

определить

допустимые

толщины

 

 

 

 

 

силовых слоев для различных ти­

 

 

 

 

 

пов диэлектрических стенок.

 

Рис. 7.3.

Кривые

для

нахождения

Зависимость

| Япх ыакс|2 = / (фі)

электрической толщины плотных слоев

для

семислойной

конструкции

по допустимому

уровню отражений.

стенки при.различных Ѳ (0—80°)

и

 

G ее

помощью

легко

еа = 4,0,

е 2 =. е4

=

1

приведена

на рис. 7.3.

определяется величина

срх

(электрическая толщина силовых

слоев),

удовлетворяющая первому

условию

(это следует делать

для

макси­

мального угла падения 0).

 

 

 

 

dx мала для до­

Если полученная

геометрическая толщина слоев

стижения нужной механической прочности, допустимо увеличить на 25—30%, поскольку в большинстве случаев сложение в фазе всех отражений на входе стенки, как это предполагается соотноше­

нием (7.4), маловероятно. Если расчет дает dx >

0,03 А,мин, необхо­

димо ограничиться значением d 1 =

0,03 А.мин, так как иначе могут не

выполняться условия допустимой

прозрачности

всей конструкции

в целом для меньшей волны ^МШІ.

 

е 2 дальнейший рас­

При найденных таким образом значениях dlt

чет всей конструкции для меньшей

волны ХМН1І осуществляется обыч­

ным способом согласно методике, описанной в предыдущем разделе. При этом особое преимущество при известных dlt ег, е 2, выражающееся в простотё, быстроте и наглядности, имеет метод расчета с помощью кривых постоянной отраженной мощности \ R \ 2 = const [8].

Анализируя второе условие, легко увидеть, что оно выполняется

лишь

при относительно слабом разносе заданных волн ф макс

^ 2,5

Хмии). При этом в большинстве случаев дополнительная ком­

213


пенсация отражения осуществляется для волны А,маІ.с при угле паде­ ния 03 рациональным выбором толщины среднего слоя. Определение же размеров стенки для волны А,мпп проводится любым из способов, рекомендованных в предыдущем разделе. Получаемый при этом допол­ нительный угол компенсации на волне А.макс позволяет без увеличе­ ния уровня коэффициента отражения несколько увеличить толщины силовых слоев стенки и этим улучшить механические свойства обте­ кателя.

Следует отметить, что при реализации первого условия рассчитан­ ные радиопрозрачные стенки обтекателей для волны Хмаьх также обла­ дают достаточной прозрачностью для всех волн X > кыако. Это об­ стоятельство делает возможным использовать их при работе в широком диапазоне волн. Обтекатели такого типа не критичны к допускам и поэтому просты в изготовлении.

Аналогичный метод расчета применяется при конструировании пятнслойных диэлектрических стенок двухдиапазонных обтекателей.

При относительно слабо разнесенных волнах (Ä,MaK0 ^ 2,5 А,мпн) могут использоваться многослойные стенки либо с чередующейся плотностью слоев, либо с монотонным изменением плотности.

Конструкции стенок первого типа должны рассчитываться соглас­ но рекомендациям гл. 3 с учетом второго замечания. Лучшие резуль­ таты при этом дают конструкции пятислойной и семислойной структур.

При использовании диэлектрических стенок второго типа наиболее приемлемыми являются конструкции с одним и двумя согласующими слоями с каждой стороны.

Общими методами, изложенными в гл. 3, получены следующие соот­ ношения для параметров слоев такой пятислойной стенки, обеспечи­ вающей достаточно высокую прозрачность в широком секторе углов

падения на двух

разнесенных по диапазону

волнах ЯМІШ и А,макс:

e ^ s i n ^ - b - L

(а —

l ^ c o

 

s ^

i c o

s e i ] / —

Щ — а) А 2 +

2], (7.5)

 

 

 

 

 

 

у

а

 

 

где

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

COS CPj +

 

1

 

COS 0!

 

 

 

 

 

cos Фі -

1 ’

а =

У ёз—sin-niK

 

 

ег —зіп2©!-

(e3—sin2 Од) (1 — sin2 0!)

 

 

 

 

Sl —sin2 0!

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

e3 — диэлектрическая

проницаемость

материала среднего

слоя;

0і — первый угол

компенсации

для

волн

Хмако и А,МІШ; ср, и Хор

вспомогательные параметры:

 

 

 

 

 

 

 

 

Фі =

2я-

: + У

 

 

ѵср •

'-макс лмин

(7.6)

 

 

 

і+ у

 

 

 

 

 

 

 

 

Параметр

ф, по заданным А.м аис и

У п ш

можно находить также из

графика рис.

7.4,

а.

 

 

 

 

 

 

 

 

214


Толщина среднего слоя d3находится из условия компенсации отра­ жений при угле падения 03 для волны Я,шн. Для рассчитанной таким образом диэлектрической пятислойной стенки имеется два максимума коэффициента прохождения для волны А,ЫІЩи один для Ä,MaKC. Ее можно также использовать для работы в достаточно широком непрерывном диапазоне волн от ХМШІ до Амако (гл. 3, § 3). При этом несколько меняет­ ся порядок расчета и вводятся следующие дополнительные соотно­ шения:

 

 

I

II

іср — /23 +

/'3-2 _

 

' 01

I

II lop

1 — Л12Л23

 

 

 

Г01 — Г23’

 

 

(7.7)

 

Г12'

2г01 cos ф,

 

 

 

1-ГоШ

 

 

 

 

 

Здесь

/■о 1, г12 и г2з — соответствующие

коэффициенты Френеля;

| Ді п |

— коэффициент отражения

для средней волны диапазона от

«половины» рассматриваемой стенки (от части стенки, заключенной между сечениями I — II).

о

4

8

12

16

20

24

гвлткс,мм 130

150

п о

-S0 ВО

30

о

 

 

 

 

 

 

 

 

210

ZW

270 зоо

ззо

рѵ град

 

 

 

 

а)

 

 

 

 

 

5)

 

 

Рис.

7.4.

Графики для

расчета

диэлектрических стенок

с

согласующими

 

 

 

 

 

слоями на совмещенные волны:

 

 

 

 

 

 

 

 

а — для

определения

фі по К, б — для

определения

Гоі.

 

 

Расчет проводится в следующей последовательности.

 

 

Во-первых,

по заданной величине | Ri ц | ср с помощью первого”со-

отношения (7.7)

определяется коэффициент г 01. Во-вторых,

находятся

коэффициенты/'12 и /"23, для чего используются два оставшихся уравне­ ния (7.7). В-третьих, выбирается угол компенсации Ѳх и по найденным

коэффициентам

г12, г23 и г 01 определяются соответствующие значе­

ния Bj, е2 и е3.

В четвертых, с помощью (7.5) находятся толщины слоев

d-x и d2, а затем по выбранному значению второго угла полной ком­ пенсации Ѳ2 — толщина среднего слоя d3. Значение г 01 по заданной величине отражений |- Р іп |ср может также находиться из графика рис. 7.4, б.

215


Величина параметра фЬ зависящая от соотношения Ä,MaK0 и ЯМІШ, определяет величину диэлектрических проницаемостей слоев пяти­

слойной стенки. Так, при 90°

< срх< 270°

ех <

е 2;

при ф, = 90° или

Фі = 270° ех = е2; при 90° >

фі > 270°

ех >

е2.

На рис. 7.5 пока­

заны три возможных варианта конструкции. Видно, что третья кон­ струкция похожа на рассмотренную пятислойную стенку. Можно так построить расчет, что это соответствие будет полным (в этом случае Еі задается равным е3) и приведенные соотношения станут пригодными для синтеза пятислойных диэлектрических стенок обтекателей, рабо­ тающих на одной волне.

о 1 2

з о- 5 о

9іУг

?з<Рг !Рі

dj d3 d3 d^ dj

л т и

7 c

У Г ^ і ( для я cp)

0

1 2

1 0

 

9r?z Ѣ

Уі+Уг

ѵнакс

 

J -----=3,0

1 г

Лмин

У, +<Рг"л (дляХср)

Рис. 7.5. Конструкции стенок с согласующими

^макс

отношении ~л------

Лыіш

0

1

2

3

2

1

0

 

у>1

9г <Рз ѵ>г <Рі

 

акс

>3,0 £ ,-£ г

?і~<Рг^і(для я ср)

слоями для различных

Рассмотрим далее конструкции стенок обтекателей с реактивными решетками. Поскольку толщина однослойных реактивных стенок для обеспечения достаточно хорошей прозрачности в широком секторе углов падения при двух видах поляризации волны должна быть небольшой

( у < 0,08), из соображений прочности очевидно, что в крупногабарит­

ных изделиях такие стенки могут применяться лишь в дециметровом диапазоне волн. При их расчете целесообразно пользоваться методами, изложенными в гл. 3. При этом нахождение параметров стенки и ре­ шетки должно проводиться для более короткой волны Амнн (принимает­ ся d < 0,08 Хмпи).

Хорошие диапазонные свойства однослойных стенок, просветлен­ ных решетками, гарантируют достаточную прозрачность их в пределах полосы + 15—25?^ (коэффициент прозрачности не хуже 0,8 при углах падения от 0 до 75°) [36]. При различных видах поляризаций на разных волнах диапазонность обтекателя может быть увеличена за счет исполь­ зования реактивных решеток с различным шагом в разных плоскостях. Возможны также и другие конструкции обтекателей с реактивными просветляющими решетками, например, монолитные обтекатели с ин­ дуктивной решеткой для работы на двух сильно разнесенных волнах: сантиметрового и дециметрового диапазонов; многослойные обтекатели, внешний утолщенный слой которых просветлен решеткой вибраторов (решетка емкостного типа), обеспечивающей хорошую прозрачность

216