всей конструкции на волнах дециметрового и сантиметрового диапа зонов, и т. п. В последнем случае параметры решетки вибраторов подбираются таким образом, чтобы на волне Хыаис она имела емкост ное сопротивление, а на ХМШІ — индуктивное.
Расчет параметров всех конструкций диэлектрических стенок обте кателей на совмещенные волны осуществляется согласно рекоменда циям гл. 3 и 4.
Для примера в табл. 7.2 приведены данные по коэффициентам про
хождения различных |
типов стенок (при двух видах поляризации |
на двух волнах Ä,MaKc |
и А,мин), синтезированных рассмотренными ме |
тодами. |
|
Как правило, рассчитанные рекомендованными методами диэлек трические стенки имеют коэффициенты прозрачности, хорошо согла сующиеся с эксперимеңтальными результатами [36], [65], [104].
7.4. ОБТЕКАТЕЛИ ДЛЯ РАБОТЫ В ШИРОКОМ НЕПРЕРЫВНОМ ДИАПАЗОНЕ ВОЛН
При проектировании обтекателей для широкого непрерывного диа пазона волн целесообразно использовать либо некритичные конструк ции стенок компенсационного типа с достаточно тонкими силовыми слоями, либо многослойные стенки, плотность слоев в которых умень шается от центра к периферии, либо, наконец, стенки с плавным изме нением показателя преломления [93].
Расчет диэлектрических стенок обтекателей первого ц второго типов аналогичен рассмотренному в предыдущем разделе: стенки первого типа обеспечивают достаточно хорошую прозрачность на всех волнах длиннее Я.мин, второго — в диапазоне Я,мин — А,мако.
Остановимся на конструкциях с плавным изменением показателя преломления, обеспечивающих хорошую прозрачность в секторе углов падения 0—60° на всех волнах короче А,макс.
Структура таких стенок (определяемая функцией неоднородности N (z)) по допустимым отражениям (по заданной диаграмме отражений
может быть найдена методами, заимствованными из теории антенн и описанными в гл. 3.
Ниже рассматривается выбор диэлектрической проницаемости среднего слоя таких стенок, определяющего в значительной мере их прозрачность в заданном секторе углов падения.
Расчет структуры неоднородной диэлектрической стенки следует начинать с выбора диаграммы отражений (аналог диаграммы направ ленности), удовлетворяющей заданному уровню отражений R в рабо чем диапазоне волн. Путем расчета (или с помощью имеющихся дан ных) определяется закон распределения неоднородности N (г). Так как неоднородная стенка состоит из двух неоднородных диэлектри ческих переходов, соединенных навстречу, допустимый уровень отра жений для каждого перехода составляет RI2; это значит, что боковые
