Файл: Пакулов, Н. И. Мажоритарный принцип построения надежных узлов и устройств ЦВМ.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 24.10.2024

Просмотров: 76

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Г л а в а 1

АНАЛИЗ И ОЦЕНКА ОСНОВНЫХ ПАРАМЕТРОВ МАЖОРИТАРНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНОГО ТИПА

1.1.КЛАССИФИКАЦИЯ МАЖОРИТАРНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ

Мажоритарные элементы (МЭ) относятся к классу

пороговых элементов (ПЭ),

закон функционирования

которых описывается соотношением

 

/ т

\

 

;s i g n ^

b ^ — V I

(1.1)

где у — значение сигнала на выходе ПЭ; х*е0,1— зна­ чение сигнала на t-м входе ПЭ; 6*— весовой коэффи­ циент («вес») i-го входа; V — порог элемента, т — ко­ личество входов ПЭ,

если Z О,

если Z <[ О,

т

где Z = 2 biXi — V.

i=i

Мажоритарный элемент работает по принципу боль­ шинства и его выходной сигнал определяется из следую­

щих соотношений:

 

 

 

т

 

 

 

 

У = 1,

если V ]& z>4 - S 6-

 

 

ЯШ

 

t=l

 

 

1

 

У =

 

 

 

т

0,

ш я

Ьг >

SЬи

 

если V

 

 

 

0

 

i-i

где символы 2 и

2

означают, что

суммирование весо

1

о

 

 

 

вых коэффициентов bi производится на тех входах, где

9



йкачение входного сигнала равно i или б соответственно. В вычислительной технике получили широкое рас­ пространение МЭ с нечетным количеством входов, вес каждого из которых равен единице. Порог МЭ в этом случае равен V = (m + l)/2. Функция, описывающая ра­

боту таких МЭ, имеет вид

( 1. 2)

где т — нечетное число.

МЭ в соответствии с выражением (1.2) могут быть построены тремя основными способами: суммированием гармонических сигналов; суммированием импульсных или потенциальных сигналов с использованием весовых резисторов и элемента, имеющего пороговую характери­ стику, и с помощью логических элементов И—ИЛИ—НЕ с диодной логикой на входе.

Первый способ построения МЭ используется в том случае, когда информация содержится в фазе гармони­ ческих колебаний. МЭ, построенные по этому способу, называются параметронами. Параметроны обладают исключительно высокой надежностью и нагрузочной спо­ собностью, по имеют сравнительно низкое быстродейст­ вие. Увеличение быстродействия параметронов встреча­ ет технические препятствия, связанные с трудностями канализации высокочастотных сигналов. Кроме того, изготовление параметронов интегральным способом вызывает затруднения технологического порядка. Поэто­ му параметроны как логические элементы не получили пока широкого распространения в вычислительной тех­ нике.

МЭ, построенные по второму способу, отличаются простотой схемы и экономичностью. В качестве элемен­ тов с пороговой характеристикой в этом случае исполь­ зуют транзисторы или туннельные диоды. Однако МЭ с резистивной логикой на входе имеют сравнительно не­ большое быстродействие и невысокую помехоустойчи­ вость. Для повышения быстродействия МЭ резистивного типа целесообразно применять переключатели тока.

МЭ, построенные по третьему способу, имеют ряд преимуществ по сравнению с МЭ с резистивной логикой на входе. Они обладают более высоким, быстродействи­ ем, большей помехоустойчивостью и сравнительно широ­

10

кой областью устойчивой работы. Однако реализация этим способом МЭ с количеством входов больше трех вызывает большие технические трудности из-за сложнос­ ти входной цепи.

МЭ, построенные по второму и третьему способам, могут быть изготовлены в виде интегральных схем. Луч­ шими по технологичности и ряду других параметров являются интегральные схемы с непосредственными свя­ зями по постоянному току внутри элементов и между ними. Поэтому в дальнейшем будут рассматриваться только интегральные МЭ подобного типа. Интегральные МЭ в зависимости от вида входной цепи и характера

связей

между транзисторами

делятся

на

следующие

типы:

с резистивно-транзисторной логикой (РТЛ), с ре­

зистивной

логикой

и

переключателем

тока

(ПТРЛ),

с диодной

логикой

и

переключателем

тока

(ПТДЛ),

с диодно-транзисторной логикой

(ДТЛ),

с транзисторно­

транзисторной логикой (ТТЛ), с транзисторно-транзис­ торной логикой и переключателем тока (ПТТТЛ).

Перечисленные типы МЭ отличаются друг от друга временем включения и выключения, нагрузочной спо­ собностью, помехоустойчивостью и другими параметра­ ми. Ниже дается анализ и оценка основных статических и динамических параметров МЭ различных типов.

1.2. МАЖОРИТАРНЫЙ ЭЛЕМЕНТ С РЕЗИСТИВНОЙ ЛОГИКОЙ И ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЕМ ТОКА (ПТРЛ)

Характеристики передачи

Мажоритарный элемент с резистивной логикой и по­ роговым элементом па переключателе тока (рис. 1.1) отличается от известных элементов типа ПТТЛ тем, что входные напряжения ивхь и„х2 и иПхз подаются не на базы транзисторов переключателя тока, а на резистив­ ный делитель, а переключатель тока содержит только два транзистора 77 и Т2.

Резистивный делитель Rl, R2, R3 и R4 вместе с переключателем тока обеспечивает выполнение мажоритарной логики и формирова­ ние уровней напряжений. Эмиттерные повторители на транзисторах ТЗ и 77, как и в элементах типа ПТТЛ, служат для повышения на­ грузочной способности элемента и обеспечивают смещение уровней напряжений, формируемых на выходах переключателя тока. Смеще­ нием уровней -напряжения с помощью эмиттер-ных повторителей до­ стигается согласование потенциалов выходов и входов элементов (потенциальное согласование элементов).

11


Резистор R7 вместе с источником питания Е0 образует генератор тока. Номинальные значения этих элементов должны выбираться так, чтобы изменение напряжения, действующего на базе транзи­ стора Т], не приводило к заметному изменению тока, протекающего через резистор R7. Опорное напряжение 0п), как правило, фор­ мируется не за счет отдельного источника, а с помощью резистив­

ного делителя или эмиттерного повторителя уровня напряжения, сни­ маемого с резистивного делителя (рис. 1.2). Делитель R2, R3 вклю­ чается .между коллекторной и эмиттерной шинами питания. Транзистор Т исключает влияние тока базы транзистора Т2 на вели­ чину «оп. Диоды Д1 и Д2 предназначены для температурной стабилизации уровня

опорного напряжения.

 

 

Для оценки возможностей потен­

 

 

циального согласования МЭ, выпол­

 

 

ненных по схеме, приведенной на

 

 

рис. 1.1, необходимо получить выра­

 

 

жения для входных и выходных ха­

 

 

рактеристик и характеристик пере­

Рис. 1.2. Принципи­

дачи. (Возможность потенциального

альная

схема эмит­

согласования логических элементов

терного

повторителя

свидетельствует о возможности

по­

уровня

напряжения.

строения узлов вычислительной ма­

том нелинейной

шины). Эквивалентная схема с уче­

модели транзистора приведена

на

рис. 1.3. На этом рисунке для простоты эквивалентными схемами замещены только транзисторы 77 и 77, входные цепи не показаны, а все элементы, выполняющие одно­ родные функции, обозначены одинаковыми символами; здесь гки и /кп — коллекторные токи транзисторов 77 и Т2

переключателя

тока; ики и ика— напряжения

между

коллекторами

транзисторов 77 и Т2 и общей

шиной;

12


и„ и «„ — напряжения

прямого и инверсного выходов.

Для общности анализа

на рис. 1.1—1.3 показаны два

источника питания £ к и Еэ. В практических схемах одно­ го из этих источников может не быть. В этом случае соответствующая шина подключается к общей шине и питание элемента осуществляется с помощью одного источника.

Воспользовавшись эквивалентной схемой, приведен­ ной на рис. 1.3, известными выражениями Молла — Эберса, для статических вольт-амперных характеристик транзисторов, и проделав ряд преобразований, получим выражения для тока в общей эмиттерной цепи транзис­ торов 77, Т2:

: .

£э ' Црп

Щъ I________^61 ^оп_______,

/1 о\

/?„

Ro [ 1+ ехр [ («оп — a6i)/^¥il '

к ’

для напряжения инверсного выхода

ия ~ Ек Ыбэ4

_______ ____________

(1.4)

 

1+ ехр [(аОП mSi)/^¥t]

 

и для напряжения прямого выхода

иа ~ Е к — ы6Эз — 1 |_ ехр [{и^ _ tton)/^ T] •

(1,5)

Обозначения величин, входящих в эти формулы, со­ ответствуют рис. 1.3. Кроме того, здесь Ыбэ — напряже­ ние на эмиттерном переходе открытого транзистора пе­ реключателя тока; м*о4 и «бэз —напряжения на эмиттер13

ных переходах

транзисторов эмиттерных

повторителей;

к — множитель,

приблизительно равный 1 ... 1,3 для гер­

маниевых транзисторов

и 1,3 ... 2 — для

кремниевых;

срт — температурный потенциал [7].

 

Выражения

(1.4) и

(1.5) являются характеристика­

ми передачи элемента по отношению ко входному на­ пряжению (н<ц). В эти выражения в неявном виде вхо­ дят характеристики передачи по току:

ки

Ои

 

( 1.6)

1+ехр[(моп — u6,)/frpT]

 

 

а'.

 

 

(1.7)

кп

1 + ехр[(иб1 — ыоп)/й?т] *

 

 

 

где i определяется выражением (1.3).

 

и (1.7) и по

Характеристики передачи по току (1.6)

напряжению (1.4)

и(1.5) представлены

на

рис.

1.4. На

рисунке выделена

область Аман соответствующая изме-

Рис. 1.4. Характеристики передачи переключателя тока:

а — по току, б — по напряжению.

нению токов и напряжений от уровня 0,1 до уровня 0,9 их максимального размаха. Эту область обычно назы­ вают шириной области переключения.

При

i==Io= (Eo Won Ибэ)/7?о,

(1.8)

что соответствует запертому состоянию 77 и открытому состоянию Т2, по выражениям (1.4) и (1.5) находим

Дмб1='&фт In 81 =4,39&фт.

(1.9)

Из соотношения (1.9) следует, что ширина области переключения определяется типами транзисторов, темпе­ ратурой их переходов и не зависит от режима и парамет-

Ц