Файл: Пакулов, Н. И. Мажоритарный принцип построения надежных узлов и устройств ЦВМ.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 24.10.2024
Просмотров: 76
Скачиваний: 0
Г л а в а 1
АНАЛИЗ И ОЦЕНКА ОСНОВНЫХ ПАРАМЕТРОВ МАЖОРИТАРНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНОГО ТИПА
1.1.КЛАССИФИКАЦИЯ МАЖОРИТАРНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
Мажоритарные элементы (МЭ) относятся к классу
пороговых элементов (ПЭ), |
закон функционирования |
|
которых описывается соотношением |
|
|
/ т |
\ |
|
;s i g n ^ |
b ^ — V I |
(1.1) |
где у — значение сигнала на выходе ПЭ; х*е0,1— зна чение сигнала на t-м входе ПЭ; 6*— весовой коэффи циент («вес») i-го входа; V — порог элемента, т — ко личество входов ПЭ,
если Z О,
если Z <[ О,
т
где Z = 2 biXi — V.
i=i
Мажоритарный элемент работает по принципу боль шинства и его выходной сигнал определяется из следую
щих соотношений: |
|
|
|
т |
|
|
|
|
|
У = 1, |
если V ]& z>4 - S 6- |
|||
|
|
ЯШ |
|
t=l |
|
|
1 |
|
|
У = |
|
|
|
т |
0, |
ш я |
Ьг > |
SЬи |
|
|
если V |
|
||
|
|
0 |
|
i-i |
где символы 2 и |
2 |
означают, что |
суммирование весо |
|
1 |
о |
|
|
|
вых коэффициентов bi производится на тех входах, где
9
йкачение входного сигнала равно i или б соответственно. В вычислительной технике получили широкое рас пространение МЭ с нечетным количеством входов, вес каждого из которых равен единице. Порог МЭ в этом случае равен V = (m + l)/2. Функция, описывающая ра
боту таких МЭ, имеет вид
( 1. 2)
где т — нечетное число.
МЭ в соответствии с выражением (1.2) могут быть построены тремя основными способами: суммированием гармонических сигналов; суммированием импульсных или потенциальных сигналов с использованием весовых резисторов и элемента, имеющего пороговую характери стику, и с помощью логических элементов И—ИЛИ—НЕ с диодной логикой на входе.
Первый способ построения МЭ используется в том случае, когда информация содержится в фазе гармони ческих колебаний. МЭ, построенные по этому способу, называются параметронами. Параметроны обладают исключительно высокой надежностью и нагрузочной спо собностью, по имеют сравнительно низкое быстродейст вие. Увеличение быстродействия параметронов встреча ет технические препятствия, связанные с трудностями канализации высокочастотных сигналов. Кроме того, изготовление параметронов интегральным способом вызывает затруднения технологического порядка. Поэто му параметроны как логические элементы не получили пока широкого распространения в вычислительной тех нике.
МЭ, построенные по второму способу, отличаются простотой схемы и экономичностью. В качестве элемен тов с пороговой характеристикой в этом случае исполь зуют транзисторы или туннельные диоды. Однако МЭ с резистивной логикой на входе имеют сравнительно не большое быстродействие и невысокую помехоустойчи вость. Для повышения быстродействия МЭ резистивного типа целесообразно применять переключатели тока.
МЭ, построенные по третьему способу, имеют ряд преимуществ по сравнению с МЭ с резистивной логикой на входе. Они обладают более высоким, быстродействи ем, большей помехоустойчивостью и сравнительно широ
10
кой областью устойчивой работы. Однако реализация этим способом МЭ с количеством входов больше трех вызывает большие технические трудности из-за сложнос ти входной цепи.
МЭ, построенные по второму и третьему способам, могут быть изготовлены в виде интегральных схем. Луч шими по технологичности и ряду других параметров являются интегральные схемы с непосредственными свя зями по постоянному току внутри элементов и между ними. Поэтому в дальнейшем будут рассматриваться только интегральные МЭ подобного типа. Интегральные МЭ в зависимости от вида входной цепи и характера
связей |
между транзисторами |
делятся |
на |
следующие |
|||
типы: |
с резистивно-транзисторной логикой (РТЛ), с ре |
||||||
зистивной |
логикой |
и |
переключателем |
тока |
(ПТРЛ), |
||
с диодной |
логикой |
и |
переключателем |
тока |
(ПТДЛ), |
||
с диодно-транзисторной логикой |
(ДТЛ), |
с транзисторно |
транзисторной логикой (ТТЛ), с транзисторно-транзис торной логикой и переключателем тока (ПТТТЛ).
Перечисленные типы МЭ отличаются друг от друга временем включения и выключения, нагрузочной спо собностью, помехоустойчивостью и другими параметра ми. Ниже дается анализ и оценка основных статических и динамических параметров МЭ различных типов.
1.2. МАЖОРИТАРНЫЙ ЭЛЕМЕНТ С РЕЗИСТИВНОЙ ЛОГИКОЙ И ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЕМ ТОКА (ПТРЛ)
Характеристики передачи
Мажоритарный элемент с резистивной логикой и по роговым элементом па переключателе тока (рис. 1.1) отличается от известных элементов типа ПТТЛ тем, что входные напряжения ивхь и„х2 и иПхз подаются не на базы транзисторов переключателя тока, а на резистив ный делитель, а переключатель тока содержит только два транзистора 77 и Т2.
Резистивный делитель Rl, R2, R3 и R4 вместе с переключателем тока обеспечивает выполнение мажоритарной логики и формирова ние уровней напряжений. Эмиттерные повторители на транзисторах ТЗ и 77, как и в элементах типа ПТТЛ, служат для повышения на грузочной способности элемента и обеспечивают смещение уровней напряжений, формируемых на выходах переключателя тока. Смеще нием уровней -напряжения с помощью эмиттер-ных повторителей до стигается согласование потенциалов выходов и входов элементов (потенциальное согласование элементов).
11
Резистор R7 вместе с источником питания Е0 образует генератор тока. Номинальные значения этих элементов должны выбираться так, чтобы изменение напряжения, действующего на базе транзи стора Т], не приводило к заметному изменению тока, протекающего через резистор R7. Опорное напряжение (и0п), как правило, фор мируется не за счет отдельного источника, а с помощью резистив
ного делителя или эмиттерного повторителя уровня напряжения, сни маемого с резистивного делителя (рис. 1.2). Делитель R2, R3 вклю чается .между коллекторной и эмиттерной шинами питания. Транзистор Т исключает влияние тока базы транзистора Т2 на вели чину «оп. Диоды Д1 и Д2 предназначены для температурной стабилизации уровня
опорного напряжения.
|
|
Для оценки возможностей потен |
|
|
|
циального согласования МЭ, выпол |
|
|
|
ненных по схеме, приведенной на |
|
|
|
рис. 1.1, необходимо получить выра |
|
|
|
жения для входных и выходных ха |
|
|
|
рактеристик и характеристик пере |
|
Рис. 1.2. Принципи |
дачи. (Возможность потенциального |
||
альная |
схема эмит |
согласования логических элементов |
|
терного |
повторителя |
свидетельствует о возможности |
по |
уровня |
напряжения. |
строения узлов вычислительной ма |
|
том нелинейной |
шины). Эквивалентная схема с уче |
||
модели транзистора приведена |
на |
рис. 1.3. На этом рисунке для простоты эквивалентными схемами замещены только транзисторы 77 и 77, входные цепи не показаны, а все элементы, выполняющие одно родные функции, обозначены одинаковыми символами; здесь гки и /кп — коллекторные токи транзисторов 77 и Т2
переключателя |
тока; ики и ика— напряжения |
между |
коллекторами |
транзисторов 77 и Т2 и общей |
шиной; |
12
и„ и «„ — напряжения |
прямого и инверсного выходов. |
Для общности анализа |
на рис. 1.1—1.3 показаны два |
источника питания £ к и Еэ. В практических схемах одно го из этих источников может не быть. В этом случае соответствующая шина подключается к общей шине и питание элемента осуществляется с помощью одного источника.
Воспользовавшись эквивалентной схемой, приведен ной на рис. 1.3, известными выражениями Молла — Эберса, для статических вольт-амперных характеристик транзисторов, и проделав ряд преобразований, получим выражения для тока в общей эмиттерной цепи транзис торов 77, Т2:
: . |
£э ' Црп |
Щъ I________^61 ^оп_______, |
/1 о\ |
— |
/?„ |
Ro [ 1+ ехр [ («оп — a6i)/^¥il ' |
к ’ |
для напряжения инверсного выхода
ия ~ Ек Ыбэ4 |
_______ ____________ |
(1.4) |
|
1+ ехр [(аОП mSi)/^¥t] |
|
и для напряжения прямого выхода
иа ~ Е к — ы6Эз — 1 |_ ехр [{и^ _ tton)/^ T] • |
(1,5) |
Обозначения величин, входящих в эти формулы, со ответствуют рис. 1.3. Кроме того, здесь Ыбэ — напряже ние на эмиттерном переходе открытого транзистора пе реключателя тока; м*о4 и «бэз —напряжения на эмиттер13
ных переходах |
транзисторов эмиттерных |
повторителей; |
|
к — множитель, |
приблизительно равный 1 ... 1,3 для гер |
||
маниевых транзисторов |
и 1,3 ... 2 — для |
кремниевых; |
|
срт — температурный потенциал [7]. |
|
||
Выражения |
(1.4) и |
(1.5) являются характеристика |
ми передачи элемента по отношению ко входному на пряжению (н<ц). В эти выражения в неявном виде вхо дят характеристики передачи по току:
ки |
Ои |
’ |
|
( 1.6) |
1+ехр[(моп — u6,)/frpT] |
|
|||
|
а'. |
|
|
(1.7) |
кп |
1 + ехр[(иб1 — ыоп)/й?т] * |
|
||
|
|
|||
где i определяется выражением (1.3). |
|
и (1.7) и по |
||
Характеристики передачи по току (1.6) |
||||
напряжению (1.4) |
и(1.5) представлены |
на |
рис. |
1.4. На |
рисунке выделена |
область Аман соответствующая изме- |
Рис. 1.4. Характеристики передачи переключателя тока:
а — по току, б — по напряжению.
нению токов и напряжений от уровня 0,1 до уровня 0,9 их максимального размаха. Эту область обычно назы вают шириной области переключения.
При
i==Io= (Eo Won Ибэ)/7?о, |
(1.8) |
что соответствует запертому состоянию 77 и открытому состоянию Т2, по выражениям (1.4) и (1.5) находим
Дмб1='&фт In 81 =4,39&фт. |
(1.9) |
Из соотношения (1.9) следует, что ширина области переключения определяется типами транзисторов, темпе ратурой их переходов и не зависит от режима и парамет-
Ц