Файл: Комов, А. Н. Физические основы микроэлектроники учеб. пособие.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 29.10.2024
Просмотров: 71
Скачиваний: 0
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
<2mp. |
§ |
3. |
Превращение атомных уровней в энергетические |
зоны |
при образова |
|
72 |
|||||||||||
§ |
4. |
нии кристалла .................................................................................................... |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
, |
|
||
Зонная структура металлов, диэлектриков и полупроводников |
|
73 |
|||||||||||||||
§ |
5. |
Эффективная масса |
э л е к т р о н а ............................................................. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
75 |
||||
§ |
6. |
Понятие о дырках........................................................................................... |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
76 |
|
Г л а в а |
V. Статистика носителей тока в полупроводниках |
|
|
|
|
|
77 |
||||||||||
§ |
1. |
Статистика электронов и дырок в собственных полупроводниках |
|
80 |
|||||||||||||
§ |
2. |
Статистика электронов в примесных полупроводниках |
|
|
|
|
|
||||||||||
§ 3. |
Неравновесные носители з а р я д а ....................................................... |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
85 |
||||||
Г л а в а |
VI. Электропроводность |
твердых |
тел |
|
. . . . . |
|
|
89 |
|||||||||
§ |
1. |
Электропроводность |
м е т а л л о в ................................................................ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
§ |
2. |
Явление сверхпроводимости |
........................................................................ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
§ |
3. |
Собственная электропроводность полупроводника . . . . |
|
|
|
||||||||||||
§ |
4. |
Примесная п р ов оди м ость .......................................................................... |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
§ |
5. |
Эффект Г а н н а ............................................................................................ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
. |
|
|
|
§ |
6. |
Л ю м и н есц ен ци я .................................................................................. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
... |
|
|
||
Г л а в а |
VII. Гальваномагнитные |
явления |
и магнитные свойства |
тверды |
|
|
|||||||||||
|
|
т е л .................................................................................................................. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
, |
|
|
|
|
§ |
1. |
Эффект Х о л л а .............................................................................................................. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
j |
|
§ |
2. |
Эффект Холла в м е т а л л а х .............................................................................. |
|
. |
. |
. |
. |
. |
. |
. |
|
Г |
|||||
§ |
3. |
Эффект Холла в полупроводниках. |
|
Ц( |
|||||||||||||
§ |
4. |
Приборы, основанные на эффекте Х о л л а ................................................... |
|
|
|
|
|
|
1 |
||||||||
§ |
5. |
Магнитные свойства твердых т е л |
................................................................ |
|
|
|
|
|
|
' |
1 |
' |
|||||
§ |
6. |
Магнитные свойства а т о м а ................................................................. |
|
|
|
■ . |
|
|
. |
. |
. |
1. ‘, |
|||||
§ |
7. |
Парамагнитный р е з о н а н с ..................................... |
|
|
|
|
|
|
. |
1 1 . |
|||||||
Г л а в а |
VIII. Контактные я в л е н и я .......................................................................... |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1 ГЭ |
||||||
§ 1. Работа выхода электронов |
.................................................................................. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
122 |
|||||
§ |
2. |
Контакт 2-х м еталл ов .................................................................................................. |
Образование |
запорного |
слоя . |
. |
, |
||||||||||
§ |
3. |
Контакт металл-проводник. |
125 |
||||||||||||||
§ |
4. |
Искривление энергетических |
зон. |
Антизапорный слой . |
. |
. . |
1 2 6 |
||||||||||
§ |
5. |
Инжекция и экстракция носителей заряда. Омический контакт |
. |
. |
130 |
||||||||||||
§ |
6. |
Диффузионный т о к |
.................................................................................................... |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
133 |
||
Г л а в а |
IX. Поверхностные ............................................................................. |
я в л е н и я |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
136 |
|||||
§ |
1. |
Поверхностные уровни .............................................. |
или уровни Т а м м а |
|
|
|
|
|
|
— |
|||||||
§ |
2. |
Электронные процессы на поверхности полупроводника . |
. |
. , . |
138 |
||||||||||||
§ |
3. |
Эффект п о л я ................................................................................................................ |
|
|
|
. |
. |
|
|
|
|
|
|
|
|
14 |
|
§ |
4. |
Поверхностная рекомбинация |
........................................................144 |
||||||||||||||
Г л а в а |
X. Тонкие пленки |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
§ 1. Структура тонких пленок .................................................................................... |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
— |
||||||
§ |
2. |
Физические свойства |
тонких ............................................................... |
п л е н о к |
|
|
|
|
|
|
|
148 |
|||||
§ |
3. |
Основные механизмы переноса носителей заряда в пленочных системах |
149 |
||||||||||||||
§ |
4. |
Магнитные пленки |
.......................................................................... |
. |
• |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
156 |
||
s |
$/1U |
Цена 98 коп.