Файл: Чесноков, Б. В. Относительный возраст минеральных индивидов и агрегатов.pdf

Таким способом нами установлено, что во многих случаях письменные граниты в пегматитах образуются при росте бруско-

{001} + {010} + {201}, а

более поздней — {ПО} +

+{010} + {101} + {001}

■своеобразными акцессориями роста. В пирамиде нарастания основной грани кристалла акцессорные грани образуют собст­ венные пирамиды нарастания [35]. Изучая эти мелкие пирамиды нарастания, можно получить сведения об эволюции рельефа граней при росте кристалла.

Иногда доступно и прямое наблюдение «древнего» рельефа граней, например, когда часть «древней» грани законсервирова­ на под наросшим на нее кристаллом (рис. 53). Подобная кон­ сервация поверхности грани под включением (наросшим на грань в один из перерывов ее роста) может произойти на любом этапе роста кристалла.

У некоторых кристаллов наблюдается отслаивание частей кристалла по границам зон роста. В таких случаях становится доступным прямое наблюдение палеорельефа граней [62].

НЕСОПРИКАСАЮЩИЕСЯ МИНЕРАЛЬНЫЕ ТЕЛА

Если нет признаков замещения, то в зональных структурах нарастания и обрастания минералы внутренних зон будут более ранние, чем внешних. Это относится, в частности, к включениям, располагающимся по разным зонам роста кристалла (рис. 54). Подобные соотношения минералов не представляют редкости.

Во многих случаях минеральные тела, наиболее измененные, являются и более ранними. Например, при сосуществовании ■сильно деформированных тел и тел без следов деформаций можно предположительно считать первые более древиими. Если недеформированные тела в этом случае сложены минералами, вообще легко поддающимися деформациям, то подобное заклю­ чение будет более вероятным. Аналогичным образом могут

59

быть использованы следы растворения, оплавления и т. д. Ос­ ложнения в подобных случаях весьма разнообразны и данные признаки играют сугубо вспомогательную роль.

Известно, что npi-r определенных усло­ виях внешней среды (чаще всего при изме­ нениях температуры} кристаллические тела испытывают поли­ морфные превращения,, их также можно ис­ пользовать для опреде­ ления относительноговозраста минералов. Например, в пегмати­ тах встречаются кри­ сталлы кварца с ядра-

зуются обильными двойниками по дофинейскому закону, в то время как в окружающих их внешних зонах кристаллов наб­ людается лишь слабая трещиноватость и меньшее количество двойников [6]. Вместе с описанными кристаллами в одних и тех же друзовых полостях наблюдаются меньшие по размерам кристаллы кварца без ядер, образовавшиеся после превраще­ ния. Подобные соотношения обычны в пегматитах Волыни.

Следует иметь в виду, что и одновременно растущие кри­ сталлы нередко имеют разные размеры из-за различия в ус­ ловиях питания.

Последовательность образования кристаллов можно опреде­ лить также и по эволюции их кристаллографических форм, как это описано для кальцита [1] и магнетита [58].

скольку нередко одновременно образовавшиеся кристаллы име­ ют совершенно разную форму.

ПРИЗНАКИ ЗАМЕЩЕНИЯ МИНЕРАЛОВ

При замещении раннего минерала поздним происходит уменьшение массы раннего минерала и одновременное увеличе­ ние массы позднего: поздний минерал, таким образом, растет в

60

твердой среде. При обычном замещении минералы, по-видимо- му, контактируют через тонкую пленку раствора. При метасоматическом замещении химические составы замещаемого и замещающего минералов различны и процесс сопровождается лривносом и выносом вещества.

Граница замещаемого минерала с замещающим (фронт за­ мещения) состоит из фронта растворения (замещаемая поверх­ ность) и фронта отложения (растущая поверхность). При мета- ■соматическом замещении происходит более или менее активное передвижение вещества вдоль фронта замещения путем ин­ фильтрации или диффузии.

Замещение избирательно развивается в участках, имеющих те или иные дефекты, и в этом отношении аналогично раство­ рению. Со стороны гладких, совершенных граней кристаллов замещение развивается в последнюю очередь или вообще не происходит, а наиболее активно оно идет в деформированных участках минеральных тел. Это естественно, поскольку такие участки наиболее доступны для растворов, с участием которых идет замещение. В деформированных частях кристаллов также

•аккумулируется часть энергии, вызвавшей деформацию, и от этого система становится менее устойчивой. В участках дробле­ ния значительную роль в увеличении интенсивности замещения играет большая пористость и дисперсность частей замещаемого тела. В ряде случаев преимущественное развитие замещения кристалла прямо связано с количеством пор в разных его ча­ стях [45].

Преимущественное развитие замещения в наиболее дефект­ ных частях индивидов позволяет детально изучить строение и внутреннюю морфологию последних. Влияние конкретных де­ фектов кристаллической структуры минералов (дислокации, вакансии и т. д.) на ход замещения еще недостаточно изучено.

Как специфические виды замещения можно рассматривать полиморфные превращения, метамиктный распад и некоторые другие процессы.

ЖИЛЫ ЗАМЕЩЕНИЯ

Жилы замещения чаще образуются путем замещения стенок трещин и вследствие этого в общем мало отличаются по морфо­ логии от жил заполнения. Однако детали морфологии их на­ много сложнее, поскольку очень часто границы жил имеют не­ ровный характер и сопровождаются ответвлениями, «заливами», «карманами» и т. п.

Выше (см. рис. 26,6) были показаны различия в формах про­ тивоположных стенок у жилы замещения, которые проявляются тем сильнее, чем дальше зашел процесс замещения. Так, в слу­ чае сложной жилки замещения халькопирита (черное), секущей кальцит (рис. 55), последний избирательно замещается вдоль

61

спайности и с ясностью выступает при этом несоответствие фор­ мы противоположных стенок, особенно в местах утолщения

щественного замещения их выступающих частей и в типичных случаях наследующие ориентировку строения замещаемого тела (рис. 57).

В составе жил замещения участвуют метакристаллы и псев­ доморфозы. Иногда жилы замещения целиком сложены хорошо образованными метакристаллами и их границы с замещаемым телом представляют грани метакристаллов (рис. 58). В отличие от жил заполнения слагающие их кристаллы растут от осевой части жилы в сторону ее контактов, почему в них иногда четко выражены зоны геометрического отбора в осевых частях жилы,, а не вблизи контактов, как в случае жил заполнения. По тер-

62