Файл: Задачник по ядерной электронике..pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 01.11.2024

Просмотров: 49

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

f

= O,i k(?m


Х= RC= 50нс

1 - 4 2

Ум» в

а)

Ус,, В

V»»i* в

-lw

1 - 45

1-44

Можно (при бесконечной сопротивлении

на обоих концах линии), но

 

нецелесообразно, так кок нет никакого

выигрыша по сравнению со

 

схемой с конденсатором, а напряаеиив

получается ступенчатым.

1- 45

Т = 100 нс .

Затухание на один импульс

v [ Щ )2 " ° ' 82

‘V находится на соотношения

100 ЧС

L

0,82 •

I

Ю О НС

1 0,5 икс .

~ т

е * о Д

 

I

 

 

101

2-22

До замыкания ключа

V3 = -

5

В,

 

 

 

 

 

 

поста замыкания -

 

V3 = -

2,5 В.

 

 

 

 

 

2 - 3 3

D

=

Ш к£? (I

0 , 5 к 0 н

 

(Р+1) =

‘< 0 * 0 *

II

5 0 * 0

* =

.

 

 

S*

.f + l * Hl

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2-24

I)

V

= V

(вали

 

Т

открыт);

 

 

 

 

 

 

 

•'у

ОХ

= 0 *

-

'

В

(7^

закрыт);

 

 

 

 

 

 

при

 

10

 

 

 

 

 

 

З а

= 0;

Ч ,

=

+

10 в »

Ч. и 0 (т .е .

TL

находитон

в

 

 

ОХ

 

1»^

 

 

 

 

 

 

 

 

i*

 

 

 

2)

режима насыщения на грани линейной области),

 

 

 

Определим V,

 

 

=

 

V. , если ' т

открыт

 

 

 

 

 

 

ох. нас. Т,

 

ах

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

Л " , = , т , о в ■ ° ' B S -

 

 

 

 

3)

Волн 71

открыт

V

 

= 1 0

В;

J ' = 10 мА.

 

 

 

 

 

<

 

 

Kg

 

 

 

 

 

 

 

 

При открывании Т? часть этого тока идет через него,.так

что Т выходит из режииа насыщения.

При \/вх = I В Зу, = 0, т .е . Т & закрывается.

0.9 I

f


2.-25

К = и.

П р и

Vgx= 0

vb

/ 0

 

 

 

Т

 

 

 

 

/,

 

 

входит

в ровны наоыщения при V){

• - 6,7 В,

 

то-всть

при

V.

= ” 1,6 В.

Т ,

входитох

62

*

 

в режвв ваоыцения

 

при

- 10 В = .

5 В .

7

 

 

 

 

 

 

 

 

Y»«

2-26 Потенциал запирания триода I Vian, 1 ' ^ 1 /

V

- -

/

\Aan.| >

Vsan 2 ^

Vwn*" jVtj

P i = S t R ,,

j

1 =

* .

С педовэтельно :

 

 

 

 

R a,

< Рла •

 

1


г -s

3<f * 0,5мА

;

 

 

 

 

 

Зк

 

 

 

 

Зк ь 5 м A )

 

 

 

 

 

 

Г э Г ю -

 

2- 6

Зэ = З к + З Г ;

 

З к * Э э ;

„ А .

 

 

Зк * 4,5иА

;

V k --5,5 В

;

Р

'

3<Г

 

г- 7

Зк + 3 f - —■

 

= 7 и А ■ ■

ЗсГ г

0 ,3

мА

)

 

 

1кОи

 

 

 

 

 

 

 

 

 

З к * 6 ,7 м А ;

 

| b « 2 2 .

 

 

 

 

2 ' й

1) З к * З э = 5 мА ;

 

V k = ' Ю В +5мА

 

i) Ю В - 200 ko!3j

+ 2коЛэг’200*Он^

+ 2*лЯк

;

 

3 * '- 2 ,5 мА ;

 

Ук - '- Ш В + 2 , 5 мА '1кО»г 7 ,5 В .

2 - 9 ' ,) V k = - 5В ; - 5 ,5 В ; - 7 ,5 В .

 

 

 

 

 

г)У 5 - 0,1В;

0,9В

; 5 В .

 

 

 

 

 

^ IQ

|

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3<Г : 7бкОи '

1,5мА .

 

 

Так как'

1,5«А • 50' 2к0м>15^

 

закяючавм, что транзистор находится в насыщении

 

V* ’ 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2-11

r (:Зел ■* 3 f)=

 

 

 

 

 

10В

 

 

 

 

4 В

Зев

-

20кОм

" ° ' 5,,А

,

 

ЭЛ-=6 Ю '5м А ;

 

о .

 

 

' 7 .1 "0м

 

 

 

 

 

к

0,5мА♦0,06м А

2-U

Э»->3/ + Эк

 

 

За = 3к

;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

■ЮкОм+ Ок R - 10В

;

 

R = 4 , 8 кОм .

 

2-15

' З к '•Df 1 бмА

;

DJ::0, А„А

Зк = 5.6м А ;

 

 

( V 14

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 


2 - 1 4

4цОм "*За 2*Ом = 10В

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ю В

,

w

 

 

ЮВ-СИнОи

lrtD

 

!,Ц р М )2ю« ,

> ы * = - 10В +

1к0м+(|Ьм )2.5Ом = '

,Q B ! /! F T

 

V»w

Е- 5,2 В , - 5,1В

;

-5,0 В .

 

 

2 - 1 5

Vk=-5B j

Diot0tr0,5MA

\

Of--0,05m A ■

0 r '0,45m A ‘t

 

R r o ? f e r

s 2 2 *0 m ;

 

Кт = HjL:p>

= 9 *

 

2-16

R m

1 R»((b,+ f)(pitl) = 5 m o « ;

Vs = -5 B *

 

 

 

2-17

 

 

W B

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V»n = 0 5 ,

V r r c =-3,3B.

2 - 1 8

 

IkOm

 

R =40om

IkO m

 

20

 

 

I?ei

100

= Ш о м ;

к = 50 Om

*

 

 

 

 

 

 

 

 

2-19

О э *

0,

= 2 ,5 mA

;

10B = 2 , 5 и А

9 5 mA

 

5 r O m ;

 

R + -^g

 

 

Rs 3,9r O m .

 

 

 

 

 

 

 

2-20

K« --

cLt

 

20

,n„

W rOm

,„ c „

 

 

 

 

R»»

1 Г

100

ТГЗПЖГ * 1050 •

 

 

 

2-21

R * 19rO« %

 

 

 

 

 

IOrJ