Пример расчета:

1. 
   γc₁=1/R₁=1/15,95*10^6 = 0,062696 мкСм
   
2. 
   γт₁=1/R_темн1=1/16,654*10^6 = 0,062267 мкСм
   
3. 
   γф₁= γc1 - γт₁=0,062696 - 0,062267 = 0,000429 мкСм
   
4. 
   d/d_max=0,01/4=0,0025
   
5. 
   lg(d/d_max)=lg(0,0025)= 2,60E+00
   

6. 
   lg(γф₁) = lg(0,001428)= -3,36711
   

Согласно полученным данным, построим световую характеристику для двух полупроводников:


Рисунок 2 - Зависимость фотопроводимости от интенсивности излучения

Вывод:

В ходе выполнения лабораторной работы были исследованы фотоэлектрические свойства полупроводниковых материалов сульфида кадмия и селенида кадмия.

Была определена проводимость для обоих проводников(под воздействием света при разных длинах волн) и вычислены фотопроводимость через темновое сопротивление и приведенная фотопроводимость сульфида кадмия и селенида кадмия. Все значения были занесены в таблицы 1 и 2.

По данным из данных таблиц был построен график спектральных зависимостей для исследованных образцов. По нему была определена красная граница λпор фоторезистивного эффекта. Первый образец: λ_пор= 558 нм, второй: λ_пор = 590 нм. По полученному значению λпор вычислить энергию активации фотопроводимости (∆Э). Сульфид кадмий: 2,23 эВ и Селенид кадмия: 2,11 эВ. По теоретическим данным(∆Э_CdS = 2,40, ∆Э_CdSe = 1.8), что не сильно отличается от вычисленных данных ширины запрещенной зоны, благодаря чему можно сделать вывод, что результаты эксперименты верны.

Также по графику спектральных зависимостей было выявлено, что при больших энергиях фотонов (соответственно малых длинах волн) увеличивается показатель оптического поглощения, параллельно с этим уменьшается глубина проникновения света в полупроводник. Из-за рекомбинации через уровни поверхностных ловушек и дефектов неравновесных носителей заряда, которые возбуждаются в тонком поверхностном слое, происходит спад фотопроводимости после максимума на спектральной характеристике.

---

Были вычислены проводимость и фотопроводимость полупроводника для всех значений ширины щели. Получившиеся значения и промежуточные измерения для сульфида кадмия и селенида кадмия были записаны в таблицу 3 и таблицу 4.

Был построен график световых характеристик для образцов сульфида и селенида кадмия. По этому графику можно сделать вывод, что при увеличении размеров щели интенсивность облучения становится больше и растет фотопроводимость.

---

Смотрите также файлы

• национальные особенности речевого этикета Презентацию Студентка 1 курса Группа 21юдо 3.ppt

• Сочинение на тему Здоровый Образ Жизни.docx

• Генеральный директор ооо Альтернатива.doc

• Урока по теме Атмосферное давление и его влияние на человека.pptx

• Бл мж ust kz сайтында жасалынан. стаз тілегі ылымидістемелік орталыыны сайтыныны мж блімінде кезкелген пн, кезкелген сынып бойынша мжны дидактикалы материалымен бірге жктеп ала аласыз. Ол шін сілтеме арылы тііз.docx