ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 03.02.2024
Просмотров: 136
Скачиваний: 13
ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.
, чтобы выводить транзисторы из насыщения (фиксация транзисторов), либо для выполнения логических функций.
В интегральных схемах в качестве диода можно использовать один из p-n-переходов вертикального n-p-n-транзистора или их комбинацию. Получение диодов данным способом значительно проще, чем формирование специальных диодных структур.
Любой из р-n-переходов транзисторной структуры может быть использован для формирования диодов, но только два перехода база-эмиттер и база-коллектор действительно удобны для схемных применений. Пять возможных вариантов использования p-n переходов транзистора в качестве диода показаны на рис 7.
Рисунок 7 – Конструкции интегральных диодов
На рисунке 7 представлен диод:
а) на основе перехода база-эмиттер с коллектором, закороченным на базу;
б) на основе перехода коллектор-база с эмиттером, закороченным на базу;
в) с использованием эмиттерного и коллекторного переходов, когда эмиттерные и коллекторные области соединены;
г) на основе перехода база-эмиттер с разомкнутой цепью коллектора;
д) на основе перехода база-коллектор с разомкнутой цепью эмиттера.
Наиболее высокое быстродействие диода обеспечивает вариант, когда коллектор соединен с базой, так как избыточный заряд, определяющий быстродействие, накапливается в базе за счет инжекции электронов только со стороны эмиттера. Во все остальных вариантах накопление избыточного заряда имеет место не только в базе, но и в коллекторе, поэтому быстродействие таких вариантов значительно ниже.
6. ЗАКЛЮЧЕНИЕ
В ходе курсовой работы выполнили техническое задание: изучили сведения по диодам, физические принципы работы, технологии полученияp-n-перехода, произвели расчет электронно-дырочного перехода, изготовленного по диффузионной технологии. Данный расчет содержит основные характеристики p-n-перехода: границы p-n-перехода, вольт-амперная характеристика, напряжение пробоя, барьерная и диффузионная емкости. Также были выполнены расчет граничной частоты и тепловой расчет, в результате чего была осуществлена классификация разработанного электронно-дырочного перехода. По полученным значениям граничной частоты и рассеиваемой мощности диод был определен как сверхвысокочастотный и маломощный. На основе полученных данных был спроектирован корпус диода КД-8-1[4, c.322] при помощи программного обеспечения автоматизированного проектирования Autodesk AutoCAD Mechanical 2021.
7. БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Коледов, Л.А. Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок: учебник для вузов / Л.А. Коледов. – М.: Радио и связь, 1989. – 400 с.
2. Королев, В.Л. Конструирование полупроводниковых интегральных схем: учеб. пособие для студентов специальности 2303 / В.Л. Королев, Л.Д. Карпов. – «Конструирование и технология радиоэлектронных средств»/КрПИ. Красноярск, 1992. – 118 с.
3. Матсон, Э. А. Справочное пособие по конструированию / Э. А. Матсон, Д. В. Крыжановский. – Выш. школа, 1982. – 224 с.
4. Курносов, А.И. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем: учеб. пособие для вузов по спец. «Полупроводники и диэлектрики» и «Полупроводниковые приборы» / А.И. Курносов, В.В. Юдин. – 3-е изд., перераб. и доп. – М.: Высшая школа, 1986. – 368 с.
5. Дульнев, Г.Н. Теплообмен в радиоэлектронных устройствах / Г.Н. Дульнев, Э.М. Семяшкин. – «Энергия», Л., 1968. – 360 с.
ПРИЛОЖЕНИЯ
ПРИЛОЖЕНИЕ А
Рисунок 7 – Общий вид диода
В интегральных схемах в качестве диода можно использовать один из p-n-переходов вертикального n-p-n-транзистора или их комбинацию. Получение диодов данным способом значительно проще, чем формирование специальных диодных структур.
Любой из р-n-переходов транзисторной структуры может быть использован для формирования диодов, но только два перехода база-эмиттер и база-коллектор действительно удобны для схемных применений. Пять возможных вариантов использования p-n переходов транзистора в качестве диода показаны на рис 7.
Рисунок 7 – Конструкции интегральных диодов
На рисунке 7 представлен диод:
а) на основе перехода база-эмиттер с коллектором, закороченным на базу;
б) на основе перехода коллектор-база с эмиттером, закороченным на базу;
в) с использованием эмиттерного и коллекторного переходов, когда эмиттерные и коллекторные области соединены;
г) на основе перехода база-эмиттер с разомкнутой цепью коллектора;
д) на основе перехода база-коллектор с разомкнутой цепью эмиттера.
Наиболее высокое быстродействие диода обеспечивает вариант, когда коллектор соединен с базой, так как избыточный заряд, определяющий быстродействие, накапливается в базе за счет инжекции электронов только со стороны эмиттера. Во все остальных вариантах накопление избыточного заряда имеет место не только в базе, но и в коллекторе, поэтому быстродействие таких вариантов значительно ниже.
6. ЗАКЛЮЧЕНИЕ
В ходе курсовой работы выполнили техническое задание: изучили сведения по диодам, физические принципы работы, технологии полученияp-n-перехода, произвели расчет электронно-дырочного перехода, изготовленного по диффузионной технологии. Данный расчет содержит основные характеристики p-n-перехода: границы p-n-перехода, вольт-амперная характеристика, напряжение пробоя, барьерная и диффузионная емкости. Также были выполнены расчет граничной частоты и тепловой расчет, в результате чего была осуществлена классификация разработанного электронно-дырочного перехода. По полученным значениям граничной частоты и рассеиваемой мощности диод был определен как сверхвысокочастотный и маломощный. На основе полученных данных был спроектирован корпус диода КД-8-1[4, c.322] при помощи программного обеспечения автоматизированного проектирования Autodesk AutoCAD Mechanical 2021.
7. БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Коледов, Л.А. Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок: учебник для вузов / Л.А. Коледов. – М.: Радио и связь, 1989. – 400 с.
2. Королев, В.Л. Конструирование полупроводниковых интегральных схем: учеб. пособие для студентов специальности 2303 / В.Л. Королев, Л.Д. Карпов. – «Конструирование и технология радиоэлектронных средств»/КрПИ. Красноярск, 1992. – 118 с.
3. Матсон, Э. А. Справочное пособие по конструированию / Э. А. Матсон, Д. В. Крыжановский. – Выш. школа, 1982. – 224 с.
4. Курносов, А.И. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем: учеб. пособие для вузов по спец. «Полупроводники и диэлектрики» и «Полупроводниковые приборы» / А.И. Курносов, В.В. Юдин. – 3-е изд., перераб. и доп. – М.: Высшая школа, 1986. – 368 с.
5. Дульнев, Г.Н. Теплообмен в радиоэлектронных устройствах / Г.Н. Дульнев, Э.М. Семяшкин. – «Энергия», Л., 1968. – 360 с.
ПРИЛОЖЕНИЯ
ПРИЛОЖЕНИЕ А
Рисунок 7 – Общий вид диода