Файл: Стабилизация параметров транзисторных усилителей..pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 29.02.2024

Просмотров: 234

Скачиваний: 2

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

пёнсации в первом каскаде, выражающееся в том, что коллекторный ток примененного в нем транзистора с ростом температуры умень­ шается. Это приводит к недопустимому возрастанию тока коллектора транзистора второго каскада: так, уже при температуре +40 °С 1кг> >10 ма. Приемлемая крутизна компенсационной характеристики тер­ мозависимой цепи первого каскада обеспечивается при подключении последовательно диоду Д7Б резистора 1?д « 2 ком (рис. 8-2).

При смене транзисторов в рассматриваемом усилителе наблюда­ ется резкое нарушение рабочего режима второго каскада, коллектор­ ный ток транзистора которого может изменяться в 2 раза и более.

MOfA Гр

Рис. 8-3. Низкочастотный усилитель с выход­ ной мощностью 100 мет.

Таким образом, при применении в первом и втором каскадах усилителя, схема которого изображена на рис. 8-2, однотипных или примерно одинаковых по мощности транзисторов возникают суще­ ственные трудности по его реализации, что подтверждает опасения, высказанные в § 5-1.. .

В то же время при применении в первом и втором каскадах уси­ лителей рассматриваемого типа транзисторов, значительно различаю­ щихся по мощности, отмеченные недостатки сказываются слабее.

Это видно на примере усилителя мощностью 100 мет, стабили­ зация параметров которого обеспечивается путем комбинированного применения ООС и терморезисторов (рис. 8-3).

Усилитель имеет два однотактных каскада, выполненных соот­ ветственно на транзисторах МП13Б и П201А, включенных по схеме с общим эмиттером. Стабилизация рабочей точки первого каскада обеспечивается с помощью цепи, состоящей из диода Д7А и после­ довательно подключенного к нему резистора /?д. Стабилизация рабо­ чего режима второго каскада осуществляется с помощью потенцио­ метра, состоящегоиз резистора R'3 и сопротивления эмиттер — кол­ лектор транзистора первого каскада. В цепь эмиттера транзистора второго каскада включен резистор R'o.c

Для согласования с низкоомной нагрузкой (например, со звуко­ вой катушкой громкоговорителя, имеющей сопротивление |Z n |»

«6 ом) на выходе усилителя включен трансформатор.

Втабл. 8-4 приведены параметры элементов каскадов, получен­ ные путем расчета по описанной методике, и их уточненные значения после отладки.

'к,-

Vz’

 

 

«3.

 

V

1

*'о.с-

ком

КОМ

Примечание

ма

ма

ОМ

ком

дб

5 ,0

 

 

 

ч

 

 

 

06

13

1,93

61

5,3

58,1

По данным расчета

4,5

90

13

2,2

82

3,6

60,4

После отладки

Теперь возвратимся к двухкаскадному усилителю с непосредст­ венной гальванической связью, в котором применены однотипные

транзисторы.

с термокомпенсацией и развязывающим резистором

Усилитель

в цепи базы

транзисторов выходного каскада. Заданы: Р п=

Рис. 8-4. Двухкаскадный усилитель с термокомпенсациен и развязывающим резистором в цепи базы транзи­ стора выходного каскада.

= 1 мет;

\Zn |=300 ом; полоса

эффективно

передаваемых

частот

300—3 000

гц; Е = 6 в; / м=300 гц;

/ п=3 000 гц;

kyv =50 дб

на ча­

стоте 600 гц и /ыакс = +50°С.

Частотная характеристика в полосе эффективно передаваемых частот должна иметь подъем на 12 дб.

Схема усилителя приведена на рис. 8-4. Он выполнен на трак-, зисторах МП13Б. Согласно расчетам, аналогичным выполненным ра­ нее, Л,i= 5 ма; /к2=8 ма; UKi= 3 в и k'm = 5 2 дб.

Рассчитаем параметры элементов, обеспечивающих установление требуемого рабочего режима и температурную стабилизацию рабочей точки.

1.Определим приращение тока в’ цепи коллектора транзистора

первого каскада

при

максимальной

рабочей

температуре tMnitc=

= +50 °С.

 

 

 

 

 

 

Для стабилизации рабочей точки первого каскада применим тер­

мистор ТОС-М. Согласно экспериментальным данным

(см. § 5-1) для

него tgcpT «0,012.

при

 

 

 

 

По формуле

(5-81)

 

 

 

 

 

| Zr | = 300 ом

и Л

Z°xt 1 =

1,3

 

получим:

 

 

I ^вх20 °С

 

 

 

0,51 • 1 ,3 +

300/311

 

 

 

 

 

 

D t =

o,5I.10<2050b ° '012 +300/311

=

1’37,


Ьде из формул (i-9a), (1-12), (3-52) и (5-70) при Д—2 àê

 

0,98

 

13,5.10-»

 

r«‘ = J—0.982

5 -1 0 -3

- 6 Ь 0 '

Г0, —

0,98

-25-Ю '3

— 4,9

ОМ,

g

 

jg -з

I ^шхг | =

66 +

 

j _о,98

^ ^

^м*

N = (Ю0,05'2 — 1)* ( l + |т т ) = 0-51-

Допустнм, что для применения в первом каскаде производится отбор транзисторов со средним значением обратного тока коллектора

/ц020 °с ^ *9 ш а ‘ Тогда из формулы (5-82) получим:

 

А _

5-10~3 (1—0,98) (1 — 1,37) + 10* 10~в[1,37-2^0,1 *50

— 1]

1

1,37-5-

10 -3(1 — 0,98)

 

=

0,43.

 

Абсолютная величина приращения коллекторного тока транзи­ стора первого каскада

Л/„ п = 5 -1 0 -3 -0,43=2,15 ма.

2.Рассчитаем величину угла наклона компенсационной характе­ ристики сопротивления эмиттер — коллектор транзистора первого каскада.

Данный расчет может быть выполнен по формулам (5-45) и (5-48).

Из формулы (5г50)

 

Дго — Явк»^

3

 

000 ом .

 

5 - IQ—3 =

Тогда из (5-45)

 

 

 

4,9 . —(0,1.50—2

 

150 (2<°-| -6°—2) — 1) — l]j=»30.

е,==32,9 60S2

21{ l i n i F r +

Результаты расчетов по формуле

(5-48)

представлены в табл. 8-5.

 

 

 

Т а б л и ц а 8-5

 

 

 

 

• '‘«'•K l

 

0,001

0,915

 

0,03

 

0,003

0,797

 

0,06

 

0,005

0,695

 

0,15

 

0,008

0,563

 

0,24

 

0,010

0,490

 

0,30

 

0,012

0,430

 

0,36

 

0,014

0,372

 

0,42

Поданным табл. 8-5 tg<p'8K1 «0,013.


3. Согласно формуле (5-80) получим:

X i = l — (1+0,43) • Ю<20“ 5°) « .он«о,4.

Тогда из формулы (5-79) сопротивление развязывающего рези­ стора в цепи базы транзистора второго каскада

 

0 ,4 .0 ,9 8 -3

— 194,4 = 16,6 ком.

10 -Ю - в[2<°',,50“ 2) — 1]

 

 

 

где из формул (1-9а), (1-12) и

(3-52)

 

 

 

 

0,98

13,5-10-»

_

 

 

r62— 1 — 0,982

8-10 - 3

— 41(4 ож'

 

 

 

0,98 -25 -10 -» ____

 

 

^э2—

8- 10"»j

3,06 ом)

 

 

I 2 BXÎ| = 41,4 +

3,06

 

194,4 ом.

 

 

j __g ^gg

 

4. По формуле (5-87) рассчитаем

сопротивление

нагрузки перво­

го каскада

 

 

 

 

 

 

 

 

0,98(6 — 3)

 

 

 

^ » =

5 - 1 0 - » + (1—0 ,9 8 )-8 -1 0 -* —2-10-10-® = 570 0ли

5. Сопротивление в цепи потенциометра смещения транзистора

первого каскада согласно

формуле (5-25)

при R io s 'S

ком

п6 — 311 f5 .10-» ( 1 — 0,98) — 10.10-»]

/?з —

---------------------------------------------- 7--------

о , , ч— = 62,2 ком.

 

|5 . 10- » (I —0,98)— 1010 -.J • ( l

+

Емкость корректирующего контура С =0,5 мкф (подобрана экспе­ риментально) .

Результаты расчетов и уточненные значения параметров элемен­ тов, обеспечивающих установление требуемого рабочего режима и его стабилизацию, приведены в табл. 8-6, а результаты проверки усилителя в камерах тепла и холода — в табл. 8-7.

 

 

 

 

 

 

 

Т а б л и .ц а 8-6

ма

^К2*

*б'

R '3.

R3.

*i/s’

Примечание

 

ма

ком

ом

ком

дб

 

 

 

5 .0

8 .0

16,6

570

 

62,2

52,0

По данным

расчета

4,75

8 .8

14.3

510

57

53,6

После отладки

 

 

 

 

 

 

 

 

Т а б л и ц а

8-7

t, °С

 

1KÏ'

 

 

 

 

 

/С,.

ма

МВ

 

300 гц

600 гц

3 000 гц

%

 

ма

 

+ 5 0

5 .5

8 ,4

1.5

 

0,29

0,66

1,24

4

.6

+ 2 0

4,75

8 .8

1.5

 

0,30

0,68

1,25

4,8

— 50

3.1

9 ,5

1.5

 

0,22

0,50

0,90

4

.9


Сравнительно хорошая стабильность рабочего режима и параме­ тров усилителей рассматриваемого типа обеспечивается при смене транзисторов. Согласно экспериментальным данным при изменении тока в цепи коллектора транзистора первого каскада на 12— 15% изменения коллекторного тока второго каскада не превышают 20%.

Мощные усилители с паралельнон ООС и термокомпенсацией. Усилители выполнены по схеме, изображенной на рис. 5-11.

Как и в предыдущем примере, опускаем расчет рабочего режи­ ма, не вызывающий каких-либо затруднений. Результаты такого рас­ чета приведены в табл. .8-8.

 

 

 

 

 

Т а б л и ц а

8-8

Выходная

Типы транзисторов

 

 

 

 

 

мощность

 

 

V

^К2*

"к,-

".<2*

в

усилителя»

 

 

 

 

ма

ма

в

в

вт

Т,

Тх

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.1

МП13Б

П201А

5.0

66

1

10

12

1.0

П201А

П4Б

16,7

402

1

10

12

Рассчитаем параметры элементов цепей смещения и стабилиза­ ции усилителя мощностью 1 вт:

1.На основе (5-78) сопротивление последовательной ООС вто­

рого каскада при /ко2=0,4 ма, «2=0,97 и Uсг«0,25 о (Л. 91]

R’О.С=

- Ч /« )

0 ,9 7 (1 -0 ,2 5 )

/ „ - / « „

(402 — 0 .4 )1 0 -*

2. Определим требуемый угол наклона компенсационной харак­ теристики сопротивления эмиттер — коллектор транзистора первого каскада, при котором коэффициент режимной нестабильности второ­

го каскада зкс=1. При ^2o=Poiu~ jg 7.10~3 = 60 ом 11

ГВ2 —

0,97-25.10"3= 0,06 ом

402-10"3

 

 

 

 

 

Т а б л и ц а

8-9

 

 

а,. 104* {В<Рвк

 

0,001

0,910

0,16

0,002

0,845

0,32

0,003

0,790

0,48

0,004

0,736

0,64

0,005

0,686

0,80

Из формулы (5-41) получим:

 

. = 32.9 ° '066| 1’8 - г - <0’1'50- ! |{ о +

I32'4 ( 2 * - ! ) - ■ ]} = 160.

Результаты расчета по формуле (5-47) приведены в табл. 8-9 и па рис. 8-5,