Файл: Стабилизация параметров транзисторных усилителей..pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 29.02.2024

Просмотров: 229

Скачиваний: 2

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

4. Рассчитаем сопротивление резистора Х'г. Согласно формулам (1-9а), (1-12) и (3-52) получим:

0,98

13,5-10-»

 

 

— 0,98й 6-10-»

 

— 110 ом•

0,98-25-10-*

 

 

 

г9~

6-10-»

=

4,08 ом\

 

4,08

 

 

 

Z .I = 1 1 0 + 1 - 0 ,9 8

=

350

ом.

Тогда

 

 

 

 

 

 

0,350

 

 

 

 

Я2

0,2 sïs 1,75

ком.

 

5. Рассчитаем сопротивление

R '0.с.

 

 

На основе формулы (4-28)

(S) _

! ) ( ! _

а) 1

 

 

R’о.с =

откуда

Z',OéC I —

(12

1 + 1 3 7 ,

1

Si — 1

1 —S, (1 — а)

г а

m f i I

(26

— d

o

— 0.98)

(2b

1 2 ) j l +

i _ 2 6

(1 — 0,98)

 

1

 

 

 

 

10»

1,75-10»

[ н

- т

= 1 г Ь и ] }

=83 ом

6.Рассчитаем глубину ООС на -переменном токе по формуле

(4-49)

 

 

 

 

(49 4- 1 )- 0,083

v

 

 

 

 

 

+

0,291

 

X

 

 

 

 

( 1 + 0 ,6).

^4S49 +

1

1 + 0 ,6

•0

,291^

 

 

1-0,6

X

1 +

 

 

 

 

 

+

 

 

(49 + 1 )4 1 ,5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

,

 

1*0,6

/

 

1 + 0 ,6

 

 

\

+

41,5-0,291

( 4 9 + 1 +

1-0,6

0,291 j = 18,3,

где согласно формуле

(4-50) Z 'BS=0,35 • 1,75/(0,35+1,75) =0,291 ком.

Потери усиления при этом составят;

 

 

 

 

Д

 

КР

10 lg

18,3 = 12,6

дб.

 

= 10 lg ~р----- =

 

 

*

 

ос

 

 

 

 

 

что -превышает допустимую величину.

 

 

 

 

7.

Для

создания

некоторого

производственного запаса примем

Д 'р ^ 9 ,5 дб. Тогда глубина ООС на переменном токе

 

 

р=10°.‘Д,Р=10°>1

9,5=8,9.

 

 


 

 

(8 ,9 — 1)-41,5-291 -

 

 

 

 

 

1 + 0 ,6

•0 ,291 j

 

 

 

1-600^49 + г,1

 

 

 

Z'o.C2 1=

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1-0,6

 

 

 

 

 

 

 

Г

I

п

г 1 + 0 ' 6

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

- П

^ - 0 , 291^

 

 

 

(49 -f- 1)

41

Г

1,0,6 1-0,6б ( 49 + 1 +

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(49 -f- 1 )4 1 ,5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Т

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

+ ----------------- й

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

=

30

ом.

 

 

 

 

 

 

 

При

этом

|Z'o.ci 1=83,6—30=53,6 ом.

 

 

 

 

 

 

Д ля

реализации схемы

каскада, изображенной на рис. 9-3, при

такой величине сопротивления резистора Z'o.ci и нижней граничной

частоте

 

полосы

эффективной

передачи

/и = 300 гц

конденсатор

С2

должен иметь емкость порядка 100 мкф. Поэтому

более целособраз-

но допустить некоторое отклонение от выбранного рабочего режима

на постоянном токе. П олож им Z '0.о=20

ом.

 

 

 

 

 

 

Тогда нз формулы

(4-28)

получим:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

26 +

 

20

 

I

20

I

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1 000

+

1 750

+

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1 +

1 000 +

 

1 750

 

 

 

 

 

 

 

 

[

 

 

 

 

 

20

 

1

 

 

2 6 — 1

 

J .-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

26(1

- 0 , 9 8 ) + T W

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1 — 26.(1 — 0,98)

 

 

 

 

,

/

 

_

 

20

\

 

 

2 6 — 1

 

 

=

21,1.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

+

^1 — 0 ,9 8 +

2100 J

 

J — 26 (1 — 0, 98)

 

 

 

8.

Проверим

величину

тока

коллектора

по формуле

(4-24):

 

 

 

/ , =

2 1 ,1 .1 0 .1 0 - ° +

-4 1 ~

 

( 2 1 ,1 - 1 )

=

6,02 т .

 

9.

 

Оценим

ожидаемое

прира.щенне коллекторного

тока

транзи­

стора

при максимальной

рабочей

 

температуре.

Согласно

формуле

(4-25)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ДI " Kt =

21,1 -10 . ю-®[2<°*Ь60- 2>— 1 ]

, 1 6 > а .

 

 

В табл. 8-14 приведены результаты расчета параметров транзи­ сторного каскада с параллельно-последовательной ООС и- уточненные данные, полученные после отладки усилителя.

 

 

 

 

 

 

Т а б л и ц а 8-14

1я,ма

ОМ

* " 0.в. ком

R2, ком

Д /"кt , ма

5

Примечание

 

 

 

 

 

 

 

6,02

20

41,5

1,75

2,52

21.1

По данным расчета

5 .8

16,5

35,4

2 .6

2.1

17,3

После

отладки

IV.

Произведем расчет по второму варианту.

 

1. Рассчитаем по формуле

(4-15)

 

 

 

 

 

0 ,9 8 (1 2 — 5 — 6 - 1 0 - * .М 0 а)

= 163

ом.

 

I Z'o.e I =

б -Ю - а — Ю -Ю -»

 

 

 

 

 


2. Из формулы (4;26а) определяем:

163

(

163

] + 1 000

+

1 750

12"о, 1= | _ 12(1— 0,98)

163“ ’ 1‘ 103 <

1 2 ^ 7

 

1750

Следовательно, при выбранных исходных данных каскад не мо­ жет быть реализован, так как не выполняется условие, выраженное соотношением (4-21а).

3. Определим по формуле (4-266) значение коэффициента ре­ жимной нестабильности, при котором может быть осуществлен кас­ кад рассматриваемого типа:

1 -f- 163/1 750

1 — 0,98 4- 163/1 750 < 9 , 7 -

4. Примем з = 7, тогда из (4-26а) найдем:

/ ,

163

,

163

\

,

У

+ 1 000

+

1 750

j

' 1' 10*

Я"о.с=

1 — 7(1 — 0,98)

 

Ï63

= 25 К0Мт

 

Т— \

 

 

1750“

5. Нетрудно убедиться в том, что при полученной величине со­ противления резистора R"0.с будет иметь место значительное изме­ нение коллекторного тока транзистора. Действительно, из формулы (4-24) следует:

12 / к= 7-10-10~® + "25Л0*"(7*— 1 ) ^ 3 ,0 ма.

6. Для сохранения выбранного ранее рабочего режима при s = 7 согласно формуле (4-24) сопротивление резистора R"0.c должно быть равно:

 

к ,

 

________ ! - 1 i.j,[

КОМ.

 

*

о с.— 6 -10-* — 7-10* 10-°

7.

Как

и

в рассмотренном ранее

примере,

при |Z 'o.c| = 163 ом

потери усиления превышают допустимую величину. Применение шун­ тирующего конденсатора также нецелесообразно. Поэтому допустим

некоторое

отклонение

от выбранного рабочего режима, положив

|Z 'o.c|=20

ом (см. п. 7 предыдущего расчета).

Тогда из формулы

(4-5) имеем:

15,7/0,98-1

= 12.3,

1 + (1 - 0 . 9 8 ) - о д а

где согласно формуле (4-4)

/0,35\

1 = 11 + T j g j (12.1 + 1) = Ï5.7 кож.


 

 

 

 

 

 

 

20

 

20

 

 

 

 

 

 

 

 

12,3 +

1 000

 

I 750

+

 

 

 

 

 

 

s —

 

 

 

20

 

20

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1 + '

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

000

1 750

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

+

12,3(1 — 0,98) - f

J 750 J * 1 — 12,3 (1 — 0,

 

 

 

 

.

,

 

20

\

1 2 ,3 — 1

 

 

10,9.

 

 

 

 

 

 

 

 

+

( 1 — 0 ,9 8 +

-,-750 j . , _

i2 ,3 (1 — 0, 98)

 

 

8.

В

данном

случае

величина

тока коллектора

согласно

форму­

ле (4-24)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

/ „ =

1 0 ,9 .1 0 - 1 0 - ° +

 

!2/12 103~ С10»9 — 0 =

 

9,97

ма.

 

9.

Оценим ожидаемое

приращение

тока

коллектора

согласно

формуле

(4-25):

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

&1"щ = 10,9 • 10 • Ю -с[2(0-1•С0_2) — 1]= 1,64

ма.

 

 

10. Глубина ООС

согласно

формуле

(4-49) составит:

 

 

 

 

 

 

 

 

( 4 9 + 1)0,02-

 

 

 

 

 

 

 

 

F ~

l +

'

0,291

X

 

 

 

 

 

 

 

1 +

 

(

 

 

1 +

1 + 0 , 6

 

 

\

 

 

 

 

0 ,6 ^49 +

[70^6

0,291 J

 

 

 

х [

н

 

 

 

(4 9 + 1 ) .1 2 ,1

 

 

 

+

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

12,1.0,291

( 49 +

1 +

Ь 0 ,6

°»291)

=

18’95

 

Потери усиления при этом равны:

А р = 101g 18,95= 12,8 дб.

Полученная величина несколько превышает допустимую.

Как следует из ранее изложенного, повышение стабильности кас­ када при сохранении выбранного рабочего режима на постоянном токе сопряжено с трудностями, которые не всегда удается преодо­ леть. Известная свобода действий в этом направлении появляется только в случае, когда одновременно с изменением степени стабиль­ ности рабочей точки имеется возможность изменять рабочий режим каскада на постоянном токе, причем симметричное расположение ра­ бочей точки не является обязательным.

Оценим теперь стабильность рабочего режима и параметров рас­ считанных выше каскадов с параллельно-последовательной ООС при

смене транзисторов и

колебаниях

температуры

окружающей

среды.

Д ля возможности

получения

сравнительных

данных был

иссле­

дован такж е каскад с фиксированным смещением, характеризующий­ ся следующими данными: £ = 1 2 в\ Дн= 1 ком и /?см=62 ком.


Экспериментальные данные, лозвбляйщйе судить о нейта&гльйдсти входного сопротивления, а также коэффициентов усиления по току и напряжению каскада с фиксированным смещением при смене транзисторов и температуре окружающей среды t= + 2 0 °C , приведе­ ны в табл. 8-15.

 

 

 

 

 

 

Т^гГб'ли'ца

8-15

№ транзисторов

Ук' ма

«/,

2.х‘

%

Ки

®к£/*

К/

*КI'

 

 

%

ОМ

 

 

%

 

%

1

5.0

200

117

24,5

2

9,8

220

160

35,5

3

11,4

180

135

28,7

4

7,3

205

142

29,2

5

10,1

170

180

30,5

6

4.8

210

103

21,6

Среднее значе­

8,05

79

200

25

140

55

28,3

49

ние

 

 

 

 

 

 

 

 

Оценка производилась по отношению разности максимальной и минимальной величин соответствующего параметра в зоне разброса к его среднему значению, причем

*

Лс.макс

Лс.мнн 1 ппя /.

о, =

----------

,------------• ШU°/o,

 

7

‘ к сР

 

*

__7

 

^вх-макс

^ах.мпи

• 1иО°/0;

6„ = --------

7-----------------

 

"вх-ср

*макс Кц мип

«ки =

-------- Щ --------------ср

• 100%

.

макс

мин ,

К / = --------

Y-----------I ср

•100о/о*

Изменение параметров при температуре окружающей среды до +60 °С было проверено на транзисторах № 1, 4 и 6 (транзисторы № 2, 3 и 5 оказались при этом в режиме насыщения). Результаты измерений приведены в табл. 8-16.

 

 

 

 

 

 

Т а б л и ц а

8-16

 

ьн,

z.xf

 

Кш

 

 

®к/Л

транзисторов

ма

%

%

 

 

%

ОМ

 

 

%

1

8,0

60

167

—16,5

134

14,5

22

— 10,2

4

10,0

37

177

—13,7

157

10,5

24,3

— 16,8

6

8,8

83,5

163

—21,4

123

19,4

20

- 7 , 4

Среднее

8,95

60

169

— 17,2

138

14,8

22,1

—8,15

значение

 

 

 

 

 

 

 

 

210