Файл: Курсовой проект по дисциплине Теплофизические процессы в электронных средствах.docx

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 05.05.2024

Просмотров: 177

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.




Коэффициент теплоотдачи конвекцией для гладкой поверхности радиатора, определяется по формуле (21).




1,66382.

Коэффициент теплоотдачи излучения для гладкой поверхности радиатора , определяется по формуле (24).

где – степень черноты, в случае с дюралюминием Д16, [5]; коэффициент облученности (для гладкой поверхности ); рассчитывается по формуле (25):



Коэффициент облученности для оребренной поверхности определяется по формуле (26):

(26)

По формуле (24) определяем коэффициент теплоотдачи излучения для гладкой поверхности радиатора .

Эффективный коэффициент теплоотдачи гладкой поверхности радиатора ,определяется по формуле (26).



Мощность , рассеиваемая гладкой поверхностью радиатора, определяется по формуле (27).


Тепловое сопротивление гладкой поверхности радиатора определяется по формуле (28).


Эффективный коэффициент теплоотдачи оребренной поверхности радиатора излучением , определяется по формуле (29), а формулой (30).

= 2,731 Вт/( ).
(31)

Мощность, рассеиваемая оребренной поверхностью радиатора , определяется по формуле (30).


Тепловое сопротивление оребренной поверхности радиатора Определяется по формуле (32).
(33)

Общее расчетное тепловое сопротивление радиатора . определяется по формуле (33).


Мощность , рассеиваемая радиатором, определяется по формуле (34).



В результате расчета ребристого радиатора для транзистора 2SА1244 вышло: дюралюминиевый радиатор с квадратным основанием со стороной ???? = 0,07м, состоящий из 6 рёбер высотой = 0,02 м, толщиной = 0,001 мм, расстоянием между рёбрами b = 0,01 м, с толщиной плиты основания = 0,004 м.

Заключение.



Задачами нашей курсовой работы были выбор способа охлаждения блока ЭС и расчёт радиатора для наиболее теплонагруженных транзисторов.

Выбор способа охлаждения крайне важен, потому что он в основном определяет конструкцию РЭС, которую необходимо выбрать на ранней стадии проектирования. В данной курсовой работе был выбран естественный воздушный способ охлаждения. Воздушное охлаждение в радиоэлектронных аппаратах находит очень широкое применение, это объясняется его простотой и экономичность. Для системы воздушного охлаждения широкое применение получили радиаторы, которые различают по виду развитой площади поверхности, а именно: пластинчатые, ребристые, игольчато-штыревые, типа «краб». Для нашего же транзистора мы выбрали ребристый радиатор.

Также в своей работе я рассчитала радиатор для наиболее теплонагруженного транзистора, рассеиваемая мощность которого что больше выделяемой мощности транзистора . Следовательно, мы можем использовать данный радиатор, для охлаждения нашего транзистора 2SA1244.

Задачи, поставленные для нашей курсовой работы, выполнены.

Список литературы.


1. Дульнев Г.Н. Тепло- и массообмен в радиоэлектронной аппаратуре. [Текст] - М.:Высш. шк., 1984-274 с.

2. Ципина Н.В., Муратов А.В. Способы обеспечения тепловых режимов РЭС: Учеб. пособие/Воронеж: ВГТУ, 2007 – 97 с.

3. Ципина Н.В. Расчёт теплового режима блока РЭС методические указания, ФГБОУ ВО ВГТУ, [377-2014].

4. Обеспечение тепловых режимов изделий электронной техники/ А.А. Чернышев, В.И. Иванов, А.И. Аксенов, Д.Н. Глушкова. – М.: Энергия, 1980. – 216 с., ил.

5.Datasheet.https://alltransistors.com/ru/adv/pdfview.php?doc=2sa1244.pdf&dire=_toshiba

6. Расчет радиатора

https://vpayaem.ru/information4.html?ysclid=lc3ral7tcs499728106


7.Тех.характеристики термопасты

https://vk.com/away.php?utf=1&to=https%3A%2F%2Fwww.expertcen.ru%2Fproduct%2Fzalman-zm-stg2.html


Приложения.


ПРИЛОЖЕНИЕ А

ТУ к транзисторам



ПРИЛОЖЕНИЕ Б

(справочное)

Справочные данные


Рисунок 11 – Определение внутреннего сопротивления транзистора


Рисунок 12 – Теплопроводность, плотность и теплоемкость материалов.