ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 20.03.2024
Просмотров: 2
Скачиваний: 0
МЕТОДИ НАВЧАННЯ
1. Лекції (докладне викладення навчального матеріалу) із застосуванням технічних засобів навчання.
2. Виконання РГР на основі знань, отриманих на лекціях та індивідуальних заняттях.
3. Контроль навчальної роботи – контрольні роботи з теоретичного матеріалу, спостереження за ходом виконання лабораторних робіт.
МЕТОДИ ОЦІНЮВАННЯ З ДИСЦИПЛІНИ «ТЕХНОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ЕЛЕКТРОНІКИ»
Методи оцінювання
1. Шкала оцінювання з навчальної дисципліни: R = 100 балів.
2. Розподіл рейтингових балів за видами навчальної роботи:
а) Робота на аудиторних заняттях (0,2 R = 20 балів):
- Лекції: 10 лк. * 1 бал/лк. = 10 бал.
- Лабораторні заняття: 5 лаб. * 2 бал./лаб. = 10 бал.
б) Виконання та захист лабораторних робіт (3 лаб. роботи) – максимально 15 балів (при позитивному оцінюванні - захист лаб. роботи по 5 балів за кожну);
в) Розрахунково – графічна робота – 15 балів.
г) Складання комплексних письмових модульних контролів - всього 50 балів (перший модульний контроль у І-му модульному циклі – 20 балів, другий - у ІІ-му модульному циклі – 20 балів, третій - у ІІІ-му модульному циклі – 10 бали;
3. Підсумок рейтингових балів за мод. циклами (при позитивному оцінюванні):
1-ий модульний цикл: (5 лк., модульний контроль) – 25балів.
2-ий модульний цикл: (5 лк., мод. контроль) – 25 балів.
3-ій модульний цикл: (5 лаб. занять; здача лабораторних робіт, здача РГР; модульний контроль) – 50 балів.
4.Умови ліквідації заборгованостей з поточної роботи: перескладання підсумкового модульного контролю студентами, які отримали рейтинговий бал за модульний цикл, що відповідає незадовільній оцінці (менше зазначеної в п.5), проводиться не пізніше двох тижнів після атестаційного. Позитивні оцінки з модульного циклу в цілому та його складових не підвищуються.
5. IРС за розкладом занять використовуються для консультаційної роботи (в тому числі за призначенням викладача) та робіт за п.6.
6. Підсумкове семестрове оцінювання навчальної роботи студента: оцінювання відповідно до отриманих за семестр рейтингових балів здійснюється за такою шкалою:
А - відмінне виконання лише з незначною кількістю помилок - відмінно – 90 – 100 балів
В - вище середнього рівня з кількома помилками - добре – 82 – 89 балів
С - в загальному правильна робота з певною кількістю помилок - добре – 74 – 81 балів
D - непогано, але зі значною кількістю недоліків - задовільно – 64 – 73 балів
Е - виконання задовольняє мінімальні критерії - задовільно – 60 – 63 балів
FX - можливе повторне складання - незадовільно – 35 – 59 балів
F - необхідний повторний курс з навчальної дисципліни - незадовільно – 1 – 34 балів підсумковий рейтинговий бал за семестр з навчальної дисципліни.
МЕТОДИЧНЕ ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ НАВЧАЛЬНОГО ПРОЦЕСУ
Методичне забезпечення:
1.Н.М.Опанасюк, Л.В.Однодворець, А.О.Степаненко, С.І.Проценко. Технологічні основи електроніки(практикуми).- Суми:Сумський державний університет, 2013.- 105 с.
Додаткова рекомендована література.
1. Парфенов О.Д. Технология микросхем. - Москва: Высшая школа,1986. – 320 с.
2. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники.-Москва: Советское радио, 1980.- 324с.
3. Березин А.С., Мочалкина О.Р. Технология и конструирование интегральных микросхем. – Москва: Радио и связь, 1992. – 320 с.
4. Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. - Москва: Высшая школа, 1983. – 384 с.
5. Курносов А.И., Юдин В.В Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. - Москва: Высшая школа,1986. – 368 с.
6. Бочаров Л.Н., Электронные приборы. – Москва: Энергия, 1979.- 368 с.
7. Бер А.Ю., Минскер Ф.Е. Сборка полупроводниковых и интегральных микросхем. -Москва: 1986. – 279 с.
8. Черняев В.Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров. - Москва: Радио и связь, 1987.- 464 с.
9. Тилл У., Мансон Дж. Интэгральные схемы. Материалы, приборы, изготовление. - Москва: Мир, 1985.-501 с.
10. Моро У. Микролитография. - Москва: Мир, 1990.- 1240 с.
11. Борисенко А.С., Бавыкин Н.Н. Технология и оборудование для производства микроэлектронных устройств. - Москва: Машиностроение, 1983.- 320 с.
12.Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. Физические и технологические основы, надежность. - Москва: Высшая школа, 1986. – 464 с.
13. Пасынков В.В. Материалы электронной техники. Москва: Высшая школа, 1980 - 406 с.
14. Федоров Л.П., Багров В.М., Тихонов Ю.Н. Производство полупроводниковых приборов.-Москва: Энергия, 1979.- 432 с.
15. Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов.- Москва:Высшая школа, 1983.- 271 с.
16. Сугано Т., Икоиа Т., Такэиси Е. Введение в микроэлектронику.- Москва: Мир, 1988.- 320 с.
17. Технология тонких пленок, Т.1. Справочник/ Под ред. Л.Майселла, Р.Глэнга.- Москва: Сов. радио, 1977.- 662 с.
18. Переменные толстопленочные резисторы/ Под ред. М.Д. Смолина.- Киев: Наукова думка, 1980.- 232 с.
19. Гольман Б.М., Дашевский Э.М., Кайданов Б.И. Пленочные термоэлементы: физика и применение.- Москва: Наука, 1985.
20. Глудкин О.П., Густов А.Е. Устройства и методы фотометрического контроля в технологии производства ИС. - Москва: Радио и связь, 1981.- 112 с.
