Файл: Физические основы молекулярной электроники (Плотников), 2000, c.164.pdf

Глава /V Принципыпостроениядействующихи перспективныхустройствмоп. электроники

диэлектрикав конденсаторах,а также в МДП-структурах,сфор­

мированныхна различныхполупроводниковыхподложках,не име­

ющих собственнойдиэлектрическойокисной пленки (из элемен­ тов II-VI, III-V групп, IV группы). Центральное место занимает создание излучающих элементов и полевых транзисторов. Были разработаны излучающие элементы на подложке из фосфида ИН­ дИЯ с фталоцианиновой ЛБ пленкой, имеющие зеленое свечение, а также опытные образцы светоизлучающего элемента на подлож­ ке из ZnSeS для получения синего свечения; полевые транзисто­ ры на фосфиде индия с пленками жирных кислот в качестве диэ­ лектрика. Полимеризующиеся ПЛБ используются в МДП транзи­ сторах на Si, люминесцентных диодах на GaP, переключателях и фотодиодах на GaAs. Было, например, показано, что введение од­ ного монослоя карбоксиловой кислоты между GaAs и золотым электродом повышает эффективность фотодиода на 25 0/0.

С учетом возможности получения с помощью ЛБ техноло­ гии тонких пленок со строго контролируемой толщиной, привле­ кает перспектива применения их в качестве резиста в литографии высокого разрешения. Негативные резисты для электронного луча с использованием ш-трикозеновой кислоты, дают разрешение 60 11М. На основе октадецилакриловой кислоты в зависимости от вида облучения (электронный луч или ИК-излучение) может быть по­ лучен как позитивный, так и негативный резист с разрешением, соответственно, 50 и 80 ИМ. Сверхтонкий, даже дЛЯ ЛБ слоев, по­ зитивный резист для ультрафиолетовой литографии получен на смешанных слоях полиамидных соединений. При толщине всего 80 нм резист хорошо выдерживает плазменное травление. Кроме того, это термостойкий (стабилен до 4000 ОС) диэлектрик с Е от 3 до 4 в зависимости от длины углеводородных радикалов. ПЛБ со­ лей жирных кислот, содержащих радиоактивный изотоп металла (54Мп, 55Fe, 57Со, l09Cd), позволяют создать калиброванные (число радиоактивных ядер будет точно известно) источники радиоактив­

ного излучения, варьируя число слоев в пленке.

Кроме того, благодаря высокой точности получаемой тол­ ЩИНЫ пленки, ПЛБ используются как стандарты толшины и по-

127

Физические основы молекулярной электроники

крытия для просветления оптики. Было показано, что полимери­ зуемые ПЛБ из производных диацетилена и некоторых других мо­ лекул представляют большой интерес при построении мембран для разделения газов. Фотополимеризация таких мембран не ме­ няет периодичность их структуры. Полученные мембраны были успешно применены для отделения СН4 от потока газа. Благодаря достаточно строгой периодичности структуры, пленки из 100-200 слоев соли жирной кислоты (обычно свинца) применяются как дифракционныерешетки для анализаторов мягкого рентгеновского излучения. Упорядоченность структуры ПЛБ позволяет успешно

применять их в качестве пассивных ориентирующих прослоек,

наносимых на подложку перед покрытием ее тонким слоем жид­

ких кристаллов. Ленгмюровские пленки успешно применяют в

качестве световодов, создавая из слоев молекул жирных кислот

оптически изотропные материалы с высокой прозрачностью, а

также используя эти пленки в качестве наружного слоя световода

снеобходимым коэффициентом преломления. Используются ПЛБ

икак молекулярно-упорядоченная смазка. Слои из 1-5 слоев сте­ ариновой кислоты были использованы для антифрикционного по­

крытия магнитных дисков. Благодаря малой толщине, такие по­ крытия обеспечивают минимальный зазор между диском и маг­ нитной головкой, улучшая качество дисков в 15-20 раз. Весьма перспективными для этого применения являются пленки из фто­

роуглеродных молекул.

Перспективно использование ПЛБ дЛЯ создания мембран химических и био-сенсоров. Известно использованиеленгмюров­ ских пленок краун-эфиров в качестве ионно-селективных мемб­ ран. Технология ПЛБ является практически единственным мето­ дом создания искусственных биомембран. Такие опыты уже про­ водились, в частности, получены ПЛБ фосфолипидовсо встроен­ ными ферментами (глюкозооксидазой). Они могут использовать­

ся как сенсор сахара.

128

Глава 'у' Принципы построения действующих и перспективных устройств НО7 электроники

4.2. Комбинированные сенсоры

с использованием молекулярных систем

При разработке газовых и жидкостных сенсоров часто ис­ пользуют комбинированные устройства, сочетающие преимуще­ ства твердотельных сенсоров и молекулярных структур. Рассмот­

рим различные принципы построения сенсоров.

1) Простейшим используемым в настоящее время типом

газовых сенсоров с применением молекулярных систем являются

так называемые хемирезисторы. Они создаются из полупровод­

никовых органических пленок, нанесенных на диэлектрическую

подложку и снабжаемых контактами для измерения сопротивле­ ния пленки. В качестве органических покрытий обычно исполь­ зуются фталоцианины различных металлов, например меди. Ос­

новное преимущество таких сенсоров перед очень распространен­

ными твердотельными хемирезисторами на оксидных полупровод­

никах (так называемыми Тогучи-сенсорами) состоит в возможно­ сти работы при комнатной температуре, в то время как последние требуют сильно повышенных температур. На рис.4.1. приведсна схема измерительного устройства на основе фталоцианинового сенсора. Пленка наносится поверх гребенки металлических кон-

РисА.1. Схема газового сенсора с приме­ нением фталоцианиновых хемирезисторов

129

Физические основы молекулярной электроники

тактов. В обратную связь усилителя сигнала включен второй "опор-

выи'-..1' сенсор""",служащиидля компенсациитемпературноизависи"" -

мости сопротивления и покрытый защитным слоем парафина. Пленки фталоцианиновмогут быть нанесены как напылениемиз вакуума,так и по ЛБ технологии.Причембыло доказано,что сен­ соры на ПЛБ за счет меньшей толщины и более упорядоченной структуры имеют более короткие времена восстановленияи вы­ сокие чувствительности.Были созданы сенсорыдля определения N02 и NНз в концентрациях до 0,5 ррт (1 ррт = 10-4%). Принцип действия таких сенсоров аналогичен действию традиционных

полупроводниковых хемирезисторов и основан на изменении по­

верхностной проводимости полупроводниковой пленки за счет из­ гиба зов при адсорбции. По аналогичному принципу можно пост­ р~ить сенсоры в виде МДП-транзисторов с затвором из фталоци­

анинов.

2) Сенсоры на поверхностном плазмонном резонансе были разработаны благодаря введению органических пленок Ленгмю­ ра-Блоджетт в оптоэлектронные приборы. В устройстве такого рода изменения оптических свойств активной пленки под действи­ ем окружающей среды регистрируются по изменению взаимодей­ ствия фотонов с поверхностными плазмонами на границе металл­ активный слой. В качестве активного покрытия были использова­ ны пленки гликолевого сополимера, а также ПЛБ фталоцианинов. Сенсоры использовались для определения концентрации некото­ рых органических соединений, а также окислов азота. Наличие детектируемого газа в значительной степени меняет коэффициент отражения системы. На рис. 4.2 для примера представлена зави­ симость скорости изменения коэффициента отражения сенсора при

напуске соединений типа NO . Предельная чувствительность та-

.\

кого типа сенсоров была оценена как 1О ррт. Существенным не- достатком является неполная обратимость работы таких сенсоров,

скоторой можно бороться путем их прогрева.

3)Оптические газовые детекторы могут быть построены по схеме оптического интерферометра. На рис.4.3 показана схема интерферометра Маха-Цеllдера, созданного с использованием

130

Глава /V Принципы построениядействующихи перспективныхустройствмол. электроники

Осветитель

Чувствительная зона

131

Физические основы молекулярной электроники

а

R

с Со

L

Смеситель

Система об аботки данных

Гис.4.4. Эквивалентная электрическая схема кварцевого резо­ натора (а) и схема кварцевых пьезорезонансных микровссов (6)

132