Файл: Физические основы молекулярной электроники (Плотников), 2000, c.164.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 25.03.2024
Просмотров: 97
Скачиваний: 2
Физические основы молекулярной электроники
(1.16)
Суммирование ведется по N идентичным донорным моле кулам с временами жизни "[о' Коэффициенты ~k в случае диполь дипольного переноса описываются формулой (1.14):
W}k = (Ro / Rj k ) / '[о..
Поскольку возбуждение может мигрировать от молекулы к молекуле по траектории прозвольной длины и топологии, реше ние системы уравнений (1.16) не может быть произведено анали тически для произвольных соотношений концентраций СD И СА В неупорядоченных системах произвольной размерности. Ранние по пытки аппроксимации решений (1.16) делались либо в предполо жении одноили двухшаговоймиграциивозбуждения, либо в пред положении ограниченности взаимодействия только сферой бли жайших или следующих за ближайшими соседних молекул (пер вая кординационная сфера).
Существенный вклад в развитие теории переноса энергии был сделан Лорингом, Андерсеном и Файером, которые примени ли формализм функций Грина к решению уравнений (1.16) и на шли оригинальныйспособполучениясамосогласованныхаппрок симаций Gs(t) - зависимости от времени вероятности нахожде ния возбуждения на первоначально возбужденной молекуле. Фун кция Gs(t) является экспериментально наблюдаемой величиной и пропорциональна деполяризации флуоресценции в трехмерном случае, поскольку концентрационная деполяризация флуоресцен ции обусловлена процессами безызлучательного переноса энер
гии.
(1.17)
где I (t) и 11.(t) - компоненты интенсивности флуоресценции, по
I1
ляризованные параллельно и перпендикупярно линейно поляри-
32
Глава 1 Возможные механизмы передачи информации в молекулярных системах
зованному возбуждению. В рамках тех же приближений была вы ведена теоретическая кривая кинетики тушения флуоресценции в
присутствии акцепторов энергии:
I{t} =exp~t/'"Co - 2/(п)l/2Г{1-З/n)y{t / '"Со?!nl, (1.18)
где п то же, что и в (1.13), а у = (п)1~/2 (СА/САК) - отношение концентрации акцепторов энергии к их критической концентра ции САК = 3/(41tRo)3. Сравнение выводов теории с эксперименталь
ными данными, полученными при изучении персноса энергии в
растворах, показало удовлетворительное согласие для трехмерно
го случая уже во втором порядке самосогласованной аппроксима ции для Gs(t).
Перейдем к двумерным системам. При адсорбции моле
кул на плоскую поверхность твердого тела, размерность системы,
вкоторой происходит перенос энергии, уменьшается. В двумер ных системах, а тем более в одномерных, аналогичная аппрокси мация функциями Грина неприемлема из-за плохой сходимости трехцентровой функции Gs(t). Удовлетворительное самосогласо вание во втором порядке уже не достигается. Более грубое, двух центровое приближение дает, по-видимому, менее точные оценки
вдвумерном случае, чем в трехмерном.
Всамом деле, неупорядоченность структуры должна в большей степени сказываться на характеристиках переноса энер гии в системах с меньшей размерностью, поскольку в них значи тельно меньше общее число ближайших и следующих за ними молекул соседей, на которые наиболее эффективно происходит перенос энергии. Несмотря на это, численные оценки показали возможность применения к двумерным системам формул, полу ченных для трехмерных систем с использованием "эффективно го" значения концентрации доноров и акцепторов Ce f = a,N?'/'2, где
N- поверхностнаяконцентрация,а, - коэффициент порядка 1, учитывающий неупорядоченность системы.
33
Физические основы молекулярной электроники
1.3. Экситонные процессы
На перенос энергии в конденсированных фазах могут так же оказывать влияние и коллективные явления. В системах, со стоящих из большого числа одинаковых взаимодействующих мо лекул, возбуждение может мигрировать в виде экситона. В этом случае происходит переход одного атома (или молекулы) кристал ла в возбужденное состояние и затем последовательная передача этого возбуждения от одного атома к другому на макроскопичес кие расстояния. Такой механизм переноса энергии наиболее эф фективен в упорядоченных молекулярных структурах типа пле нок Лэнгмюра-Блоджетт и в молекулярных кристаллах, в кото рых радиус его действия может достигать 1 мкм.
Впервые понятие экситона было введено я.и. Френкелем в 1930 году. Экситон Френкеля представляют в виде связанной электрон-дырочной пары, которая находится на одной молекуле и
перемещается по кристаллу как единое целое, причем при 1ТОМ
не происходит переноса электрического заряда или массы. Ради ус экситона Френкеля обычно < 0,5 им, поэтому расстояния меж ду молекулами обычно значительно превышают размеры орбиты электрона в таком экситоне (рис.l.8). Экситоны Френкеля назы
вают также экситонами малого радиуса.
аб
Рис. t .8. Схематическое изображение экситонов: а) френкелевские эксито Hы малого радиуса, б) эк ситоны большого радиу са Ванье-Мотта
34
Глава 1 Возможные механизмы передачи информации в молекулярных системах
Позднее (в 1937-38 гг.) Дж. Ванье и Н. Мотт предположи ли, что связанные состояния могут образовывать электроны и дыр ки, которые находятся на различных узлах кристаллической ре щетки. Соответственно, экситоны Ванье-Мотта называют экси гонами большого радиуса. Эти экситоны чаще всего наблюдают в полупроводниках и диэлектриках. Поскольку в молекулярных кри сталлах силы взаимодействия между молекулами значительно меньше межатомного взаимодействия, экситоны представляют со бой элементарное возбуждение отдельной молекулы, которое рас пространяется по кристаллу в виде волны. В отдельных случаях
при рассмотрении экситонных процессов в таких кристаллах воз
можно использование зонной модели (см. п.l.l.l.). А.С. Давыдов в 1948 году впервые применил экситонпое рассмотрение к орга
ническим кристаллам для случая, когда межмолекулярное взаи
модействие соизмеримо с межатомным. 011 показал, что в таких кристаллах при образовании зон происходит сдвиг вниз средней энергии как основных, так и возбужденных состояний, что опре леляется взаимодействием между эквивалентными молекулами. Кроме того, зона возбужденных состояний, благодаря взаимодей
ствию между трансляционно-неэквивалентными молекулами, рас
(цепляется на подзоны, число которых равно числу таких молекул
в элементарной ячейке. Например, в антрацене, где в элементар ной ячейке 2 молекулы, образуются 2 подзоны (рис.l.9), разность энергии между которыми ED и будет так называемым "давыдовс-
Е
Рис. 1.9. Расщепления 2N-
кратноговырожденногоуров
ня в кристалле антрацена на
две давыдовскиезоны [О1]
х
35
Физические основы молекулярной электроники
ким расщеплением". Величина ED определяется энергией взаимо действия между трансляционно-неэквивалентными молекулами. Ширина каждой давыдовской зоны определяется общей энергией межмолекулярных взаимодействий в данном кристалле.
Если зоны образуются из уровней, соответствующих син глетным состояниям, то возможно образование так называемых синглетных экситонов. Образование зон триплетных состояний приводит к возникновению триплетных экситонов. Как и в случае свободной молекулы, переход из основного (синглетного) состоя ния кристалла в триплетное экситонное состояние запрещен. Од нако спин-орбитальное взаимодействие устраняет этот запрет, что
приводит к синглет-триплетным переходам электронов и, соответ
ственно, к возможности генерации триплетных экситонов. Харак
терное значение давыдовского расщепления для триплетных со
стояний -- 1О см' И обусловлено короткодействующим обменным
взаимодействием коллективных состояний с энергией, отличной от энергии объемных экситонов, описанных выше. Положение уровней энергии поверхностных экситонных состояний опреде ляется соотношением между изменением энергий взаимодействия молекулы с окружением при переходе ее в возбужденное состоя ние ьЕ и энергией резонансной передачи возбуждения J. Посколь ку эти значения энергий различны для молекул вблизи поверхнос ти и в объеме кристалла, то зона поверхностных экситонов сме щена относительно объемной экситонной зоны. Если:
(] +БЕ)< о и ьЕ < О , |
( 1.19) |
то поверхностные экситонные состояния расположены выше
объемной экситонной зоны. Если:
(БЕ -J» о и БЕ > О |
( 1.20) |
-ниже экситонной объемной зоны кристалла.
Вкристаллах ароматических углеводородов сдвиг ьЕ от
рицателен и выполняются условия (1.19). Экспериментально в этих кристаллах наблюдались поверхностные экситоны с энергией выше края экситонной зоны В объеме. Поэтому в совершенных
36
Глава 1 Возможные механизмы передачи информации в молекулярных системах
ароматических кристаллах объемные экситоны отталкиваются от поверхности. В твердых инертных газах, которые также являются молекулярными кристаллами, наблюдалисъ аномалии в спектрах отражения при энергиях ниже края экситонной зоны в объеме; по-видимому, здесь выполняется условие (1.20).
Уравнения, описывающие миграцию экситонов в молеку
лярных системах, в принципе, такие же, как и внеорганических
твердых телах. Распространение экситонов в молекулярных крис таллах достаточно хорошо описывается в диффузионном прибли жении, и подробно исследовано во многих теоретических и экс периментальныхработах. Основными параметрами, характеризу ющими экситонный механизм передачи энергии, является коэф фициент диффузии D и время жизни "[ех экситона, а также связан ная с ними длина диффузионного смещения L = (D'tex) 'I2. Все эти параметры зависят от размеров экситона и достигают наиболь ших значений для экситонов большого радиуса.
На процесс миграции экситонов большое влияние оказы вает взаимодействие со свободными и захваченными на ловушки зарядами. Синглетный экситон легко аннигилирует при взаимо действии со свободными (или захваченными) зарядами, переда вая им энергию путем сравнительно дальнодействующего ферсте ровского диполь-дипольного взаимодействия.
На поверхности кристаллов аннигиляция экситонов может происходить за счет примесных молекул, в том случае, если обра зовавшиеся при ее адсорбции энергетические уровни лежат ниже уровней основного состояния вещества. В частности, в структуре типа антрацен-адсорбированные молекулы красителя родамина В синглетный экситон антрацена может передавать свою энергию молекуле красителя, переводя эту молекулу в электронно-возбуж денное состояние. Если на поверхность молекулярного кристалла напылен металл, то экситон передает свою энергию свободным электронам металла. При контакте поверхности с электролитом, разрушение экситона вблизи поверхности вызываетдополнитель ную диссоциацию на положительный и отрицательный заряды,
что в свою очередь приводит к изменению электропроводности
37
Физические основы молекулярной электроники
раствора. Это явление обычно используется как инструмент для измерения коэффициента диффузии и длины диффузионного сме щения экситонов, участвующих в генерации носителей.
1.4. Солитонный механизм
передачи энергии и заряда
Решение уравнения Шредингерадля волновой функции вза имодействующих двухуровневых систем, соответствующее эксито ну, не является единственным. Если учесть упругие свойства струк туры с точностью до членов более высокого порядка, чем линей ные, то получаются и другие решения. Эти решения могут иметь характер локализованных возмущений или уединенных волн, на зываемых солитонами. В отличие от экситонов, которые распрост раняются по структуре со скоростью, большей скорости звука, и рассеиваются на фононах, солитоны имеют скорость меньше зву ковой. В результате деформация структуры успевает отслеживать движение солитона, что обуславливает его большую энергию свя зи и значительно большие, чем у экситона, времена жизни.
В настоящее время солитонные решения существуют для многих физических объектов в одно-, двух- И трехмерном вариан те. Нас будет интересовать случай возникновения солитонного возбуждения в одномерных молекулярных цепочках. Фундамен тальный вклад в изучение солитонов в органических одномерных системах был сделан А.С. Давыдовым и его сотрудниками. В их работах было детально рассмотрено большое число молекуляр ных моделей, адекватно описывающих полимерные (в том числе белковые) цепочки, и описаны процессы передачи энергии и заря
дов по солитонному механизму в этих системах.
Простейшая модель включает систему одинаковых слабо связанных молекул массы М, закрепленных в узлах линейной це почки с периодом а. Пусть Е - энергия возбужденного состояния отдельной молекулы (это может быть в принципе любой элект ронный или колебательный переход ). Возбужденная молекула вза имодействует с соседними молекулами по диполь-дипольному
38
Глава 1 Возможные механизмы передачи информации в молекулярных системах
резонансному механизму с энергией 1 (см. 1.2), при этом энергия связи с соседними молекулами меняется в возбужденном состоя нии на величину ЬЕ. Связь между возникающими колебаниями молекул и смещением их из положений равновесия характеризу ется параметром Х (в случае электронного возбуждения таким па раметром может быть константа электрон-фононного взаимо действия), а продольная жесткость системы - параметром се. Ско рость продольных звуковых волн УО = а(се/М)ll2.
Как отмечалось выше, в таких системах возможны коллек тивные возбуждения двух типов: экситонное и солитонное. В пер
вом случае основные характеристики описываемого экситона -
энергия Еех, эффективная масса тех и размер области, охваченной возмущением к моменту времени t, /ех - определяются следую
щими соотношениями:
е.; = Е-2/ -ОБ; тех = h21(2a 2/ ); lех = ~J +h2t2/{mex/o уJ (1.21)
Здесь /0 - постоянная, имеющая размерность длины и зависящая от геометрии системы и способа ее локального возбуждения. Воз буждению типа солитонов соответствуют следующие характери
стики:
Eso1 =Еех -х'/(зre21); |
тsol =тех + 4х4 /(зre2/VO); /sol |
=nareI/х2 |
|
|
|
|
(1.22) |
Здесь Е I - |
энергия, т |
1 - эффективная масса, 1 1 - |
область |
50 |
50 |
50 |
|
локализациисолитона.
Каквидноиз этихформул,в отличиеот экситона,солитон представляетсобойлокализованноесвязанноесостояниевнутри молекулярноговозмущенияи деформационныхвозбужденийце почки. Энергиясолитонаменьше,чем суммаэнергий,составляю щих его возбуждений,поэтомусолитоныболееустойчивы.Обла дая большей,чем экситонымассой,как мы уже говорили,они дви гаютсявдольцепочексо скоростью,меньшей,чем Уо, и не излуча ютприэтомфононов.Приувеличенииэнергиирезонансноговзаи модействия1 и продольной жесткости се различия во всех указан
ных выше характеристиках солитона и экситона нивелируются.
39