Файл: Задача Последовательно с катушкой, активное сопротивление которой Rb и индуктивное X.rtf
Добавлен: 29.03.2024
Просмотров: 15
Скачиваний: 0
ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.
°. Одна из обмоток, называемая обмоткой возбуждения, непосредственно подключается к сети 50 или 400 Гц. Вторая используется как обмотка управления.
Для создания вращающегося магнитного поля и соответствующего момента ток в обмотке управления должен быть сдвинут на угол, близкий к 90°. Регулирование скорости двигателя, как будет показано ниже, осуществляется изменением значения или фазы тока в этой обмотке. Реверс обеспечивается изменением фазы тока в управляющей обмотке на 180° (переключением обмотки).
Двухфазные двигатели изготовляются в нескольких исполнениях:
- с короткозамкнутым ротором,
- с полым немагнитным ротором,
- с полым магнитным ротором.
Преобразование вращательного движения двигателя в поступательное движение органов рабочей машины всегда связано с необходимостью использования каких-либо механических узлов: зубчатых реек, винта и др. Поэтому иногда целесообразно выполнение двигателя с линейным перемещением ротора-бегунка (название ’’ротор” при этом может быть принято только условно — как движущегося органа).
В этом случае двигатель, как говорят, может быть развернут. Обмотка статора линейного двигателя выполняется так же, как и у объемного двигателя, но только должна быть заложена в пазы на всю длину максимального возможного перемещения ротора-бегунка. Ротор-бегунок обычно короткозамкнутый, с ним сочленяется рабочий орган механизма. На концах статора, естественно, должны находиться ограничители, препятствующие уходу ротора за рабочие пределы пути.
Вопрос 2 (вариант 1). Дырочная (типа р) проводимость полупроводников.
Дырочным полупроводником или полупроводником типа p ( от латинского positive - положительный) называется полупроводник, в кристаллической решетке которого (рис. 1.4) содержатся примесные трехвалентные атомы, называемые акцепторами. В такой кристаллической решетке одна из ковалентных связей остается незаполненной. Свободную связь примесного атома может заполнить электрон, покинувший одну из соседних связей. При этом примесный атом превращается в отрицательный ион, а на том месте, откуда ушел электрон, возникает дырка.
В дырочном полупроводнике, также как и в электронном, происходит тепловая генерация носителей заряда, но их концентрация во много раз меньше концентрации дырок, образующихся в результате ионизации акцепторов. Концентрация дырок в дырочном полупроводнике обозначается pp, они являются основными носителями заряда, а концентрация электронов обозначается np, они являются неосновными носителями заряда.
1.p-n - ПЕРЕХОД (электронно-дырочный переход) - слой с пониженной электропроводностью, образующийся на границе полупроводниковых областей с электронной (n-область) и дырочной (р-область) проводимостью.
Рис. 1. Схематическое изображение р- n -перехода; чёрные кружки - электроны, светлые - дырки.
Свойства р-п-перехода 1. Образуется запирающий слой, образованный зарядами ионов примеси:
d=10-7 м, Dj = 0.4—0,8 В.
2. Направление внешнего поля (источника) совпадает с направлением контактного поля. Тока основных носителей заряда нет. Существует слабый токнеосновных носителей заряда. Такое включение называется обратным.
3. Прямое включение. Существует ток основных носителей заряда. p-n-переход пропускает электрический ток только в одном направлении (свойство односторонней проводимости).
4. Вольт-амперная характеристика идеального р—п-перехода
Зависимость тока через электронно-дырочный переход от приложенного к нему напряжения называют вольт-амперной характеристикой (ВАХ) перехода, график которой представлен на рис. 2.
Из графика следует, что при положительном смещении, когда ток через переход экспоненциально растет с ростом напряжения, переход обладает высокой проводимостью. При отрицательном смещении, когда обратный ток быстро достигает значения тока насыщения, переход обладает очень низкой проводимостью. При напряжении внешнего источника, равном нулю, ток, протекающий через переход, также равен нулю. Вследствие резко выраженной нелинейности ВАХ р-n-переходы широко используют в качестве ключевых элементов в вентилях различного типа, т. е. в полупроводниковых приборах, имеющих практически два состояния — проводящее (вентиль открыт) и непроводящее (вентиль закрыт).
Рис. 2. Вольт-амперная характеристика идеального р—п-перехода
Таким образом, изучены физические основы работы полупроводниковых приборов, позволяющие в дальнейшем осознанно изучать устройство и принцип работы конкретных электронных приборов.
К р- и n-областям подключаются (привариваются или припаиваются) металлические выводы. Диод заключается в керамический, металлокерамический, пластмассовый, стеклянный или металлический корпус.
Область кристалла, имеющая наибольшую концентрацию примесей, называется эмиттером. Область с меньшей концентрацией называют базой.
Список литературы.
1. Борисов Ю.М., Липатов Д.Н., Зорин Ю.Н. Электротехника. – М.: Энергоатомиздат, 1985. – 551 с.
2. Волынский Б.А., Зейн Е.Н., Шатерников В.Е. Электротехника. – М.: Энергоатомиздат, 1987. – 525 с. 3. Касаткин А.С., Немцов М.В. Электротехника. – М.: Высшая школа, 2000. – 542 с.
3. Сборник задач по электротехнике и основам электроники /Под ред. В.Г. Герасимова. – М.: Высшая школа, 1987. – 286 с.
4. Фёдоров А.А., Ристхейн Э.М. Электроснабжение промышленных предприятий. – М.: Энергия, 1980. – 336 с.
5. Федотов В.И. Основы электроники. М.: Высшая школа, 1990.
6. Электротехника и электроника. Кн. 1: Электрические и магнитные цепи. /Под ред. В.Г. Герасимова. – М.: Энергоатомиздат, 1996. – 288 с.
7. Электротехника и электроника. Кн. 2: Электромагнитные устройства и электрические машины/ Под ред. В.Г. Герасимова. – М.: Энергоатомиздат, 1997. – 272 с.
8.Электротехника и электроника. Кн. 3: Электрические измерения и основы электроники/ Под ред. В.Г. Герасимова. – М.: Энергоатомиздат, 1998. – 432 с.
9.Кравчик А.Э., Шлаф М.М., Афонин В.Н., Соболевская Е.А. Асинхронные двигатели серии 4А: Справочник. – М.: Энергоатомиздат, 1982. 503 – с.
10.Полупроводниковые приборы. Диоды выпрямительные, стабилитроны, тиристоры: Справочник/ Под ред. А.В. Голомедова. – М.: КУбК-а, 1994. – 527 с.
11.Справочник по проектированию электроснабжения / Под ред. Ю.Г. Барыбина и др. – М.: Энергоатомиздат, 1990. – 576 с.
12.Лукутин А.В., Шандарова Е.Б. Электротехника и электроника: Учебное пособие. – Томск: ТПУ, 2010. – 198 с. (74847888)
13.Аристова Л. И., Лукутин А. В. Сборник задач по электротехнике: Учебное пособие. – Томск: ТПУ, 2010. – 107 с.
Для создания вращающегося магнитного поля и соответствующего момента ток в обмотке управления должен быть сдвинут на угол, близкий к 90°. Регулирование скорости двигателя, как будет показано ниже, осуществляется изменением значения или фазы тока в этой обмотке. Реверс обеспечивается изменением фазы тока в управляющей обмотке на 180° (переключением обмотки).
Двухфазные двигатели изготовляются в нескольких исполнениях:
- с короткозамкнутым ротором,
- с полым немагнитным ротором,
- с полым магнитным ротором.
Преобразование вращательного движения двигателя в поступательное движение органов рабочей машины всегда связано с необходимостью использования каких-либо механических узлов: зубчатых реек, винта и др. Поэтому иногда целесообразно выполнение двигателя с линейным перемещением ротора-бегунка (название ’’ротор” при этом может быть принято только условно — как движущегося органа).
В этом случае двигатель, как говорят, может быть развернут. Обмотка статора линейного двигателя выполняется так же, как и у объемного двигателя, но только должна быть заложена в пазы на всю длину максимального возможного перемещения ротора-бегунка. Ротор-бегунок обычно короткозамкнутый, с ним сочленяется рабочий орган механизма. На концах статора, естественно, должны находиться ограничители, препятствующие уходу ротора за рабочие пределы пути.
Вопрос 2 (вариант 1). Дырочная (типа р) проводимость полупроводников.
Дырочным полупроводником или полупроводником типа p ( от латинского positive - положительный) называется полупроводник, в кристаллической решетке которого (рис. 1.4) содержатся примесные трехвалентные атомы, называемые акцепторами. В такой кристаллической решетке одна из ковалентных связей остается незаполненной. Свободную связь примесного атома может заполнить электрон, покинувший одну из соседних связей. При этом примесный атом превращается в отрицательный ион, а на том месте, откуда ушел электрон, возникает дырка.
В дырочном полупроводнике, также как и в электронном, происходит тепловая генерация носителей заряда, но их концентрация во много раз меньше концентрации дырок, образующихся в результате ионизации акцепторов. Концентрация дырок в дырочном полупроводнике обозначается pp, они являются основными носителями заряда, а концентрация электронов обозначается np, они являются неосновными носителями заряда.
1.p-n - ПЕРЕХОД (электронно-дырочный переход) - слой с пониженной электропроводностью, образующийся на границе полупроводниковых областей с электронной (n-область) и дырочной (р-область) проводимостью.
Рис. 1. Схематическое изображение р- n -перехода; чёрные кружки - электроны, светлые - дырки.
Свойства р-п-перехода 1. Образуется запирающий слой, образованный зарядами ионов примеси:
d=10-7 м, Dj = 0.4—0,8 В.
2. Направление внешнего поля (источника) совпадает с направлением контактного поля. Тока основных носителей заряда нет. Существует слабый токнеосновных носителей заряда. Такое включение называется обратным.
3. Прямое включение. Существует ток основных носителей заряда. p-n-переход пропускает электрический ток только в одном направлении (свойство односторонней проводимости).
4. Вольт-амперная характеристика идеального р—п-перехода
Зависимость тока через электронно-дырочный переход от приложенного к нему напряжения называют вольт-амперной характеристикой (ВАХ) перехода, график которой представлен на рис. 2.
Из графика следует, что при положительном смещении, когда ток через переход экспоненциально растет с ростом напряжения, переход обладает высокой проводимостью. При отрицательном смещении, когда обратный ток быстро достигает значения тока насыщения, переход обладает очень низкой проводимостью. При напряжении внешнего источника, равном нулю, ток, протекающий через переход, также равен нулю. Вследствие резко выраженной нелинейности ВАХ р-n-переходы широко используют в качестве ключевых элементов в вентилях различного типа, т. е. в полупроводниковых приборах, имеющих практически два состояния — проводящее (вентиль открыт) и непроводящее (вентиль закрыт).
Рис. 2. Вольт-амперная характеристика идеального р—п-перехода
Таким образом, изучены физические основы работы полупроводниковых приборов, позволяющие в дальнейшем осознанно изучать устройство и принцип работы конкретных электронных приборов.
К р- и n-областям подключаются (привариваются или припаиваются) металлические выводы. Диод заключается в керамический, металлокерамический, пластмассовый, стеклянный или металлический корпус.
Область кристалла, имеющая наибольшую концентрацию примесей, называется эмиттером. Область с меньшей концентрацией называют базой.
Список литературы.
1. Борисов Ю.М., Липатов Д.Н., Зорин Ю.Н. Электротехника. – М.: Энергоатомиздат, 1985. – 551 с.
2. Волынский Б.А., Зейн Е.Н., Шатерников В.Е. Электротехника. – М.: Энергоатомиздат, 1987. – 525 с. 3. Касаткин А.С., Немцов М.В. Электротехника. – М.: Высшая школа, 2000. – 542 с.
3. Сборник задач по электротехнике и основам электроники /Под ред. В.Г. Герасимова. – М.: Высшая школа, 1987. – 286 с.
4. Фёдоров А.А., Ристхейн Э.М. Электроснабжение промышленных предприятий. – М.: Энергия, 1980. – 336 с.
5. Федотов В.И. Основы электроники. М.: Высшая школа, 1990.
6. Электротехника и электроника. Кн. 1: Электрические и магнитные цепи. /Под ред. В.Г. Герасимова. – М.: Энергоатомиздат, 1996. – 288 с.
7. Электротехника и электроника. Кн. 2: Электромагнитные устройства и электрические машины/ Под ред. В.Г. Герасимова. – М.: Энергоатомиздат, 1997. – 272 с.
8.Электротехника и электроника. Кн. 3: Электрические измерения и основы электроники/ Под ред. В.Г. Герасимова. – М.: Энергоатомиздат, 1998. – 432 с.
9.Кравчик А.Э., Шлаф М.М., Афонин В.Н., Соболевская Е.А. Асинхронные двигатели серии 4А: Справочник. – М.: Энергоатомиздат, 1982. 503 – с.
10.Полупроводниковые приборы. Диоды выпрямительные, стабилитроны, тиристоры: Справочник/ Под ред. А.В. Голомедова. – М.: КУбК-а, 1994. – 527 с.
11.Справочник по проектированию электроснабжения / Под ред. Ю.Г. Барыбина и др. – М.: Энергоатомиздат, 1990. – 576 с.
12.Лукутин А.В., Шандарова Е.Б. Электротехника и электроника: Учебное пособие. – Томск: ТПУ, 2010. – 198 с. (74847888)
13.Аристова Л. И., Лукутин А. В. Сборник задач по электротехнике: Учебное пособие. – Томск: ТПУ, 2010. – 107 с.