Файл: Семенов Н.А. Техническая электродинамика учеб. пособие для электротехн. ин-тов связи.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 09.04.2024

Просмотров: 167

Скачиваний: 3

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

лощающего аттенюатора (рис. 13.17), только в данном случае пог­ лощение в материале управляется внешним током. Хорошее сог­

ласование p-t-R-ПЛаСТИНЫ С ВОЛНОВОДОМ В обеСТОЧеННОМ С О С Т О Я Н И И ' достигается при 1=А/2 либо с помощью дополнительных перехо­

дов на ее концах, выполненных из диэлектрика с тем же значе ­

нием е.

Рис. 15.31

В монолитных микросхемах свч используется общий полупро­

водниковый монокристалл, в состав

которого входят /ы'-я-области-

с соответственно ориентированными

осями.

Полупроводниковые элементы дают возможность создавать раз­ нообразные схемы с плавным и ступенчатым изменением затуха­

ния, коммутируемыми фазовращателями и переключателями на»

а).

,

_

s),

1і

Пі і 1

 

11

і 1

 

1

1 Г

У I

 

Ah

ш

 

 

Рис. 15.32

любое число каналов. Включение последовательно нескольких дио­

дов

с интервалом

Л/4 (рис. 15.32а) позволяет увеличить суммар­

ное

затухание А3

и одновременно уменьшить

затухание Ап.

В ко­

аксиальных и полосковых линиях для этой

же цели используют

смешанное параллельно-последовательное

включение

диодов,

(рис. 15.326).

 

 

 



Целесообразно использовать мостовые схемы. Антенный пере­ ключатель (рис. 15.32в) содержит два последовательно включен­ ных моста, например щелевых, с шунтирующими диодами в плос­

кости

соединения (их

можно заменить газовыми

разрядниками).

Д в а

моста образуют направленный ответвитель с

полной связью,

поэтому при R=\R\^><ZC

сигнал из антенны проходит в приемник.

При

R = R2<^ZC волны

от передатчиков отражаются от диодов и,

пройдя вторично первый мост, складываются в антенне. Этим ре­ жимам соответствуют матрицы [S]2 и [S]j (15.34), так как узлы на рис. 15.32в и 15.26 аналогичны. Небольшая часть волны, прошед­ шая мимо диодов, целиком попадает в поглощающую нагрузку.

Диоды типа р4-п могут служить также ограничителями свч мощности, так как воздействие волн большой интенсивности вы­ зывает увеличение их проводимости. Схема рис. 15.32в является ограничителем мощности, если плечо 1 представляет собой вход, 3 — выход, а в плечи 2 и 4 включены поглощающие нагрузки. Сиг­ нал низкого уровня проходит из первого плеча в третье беспрепят­ ственно. С возрастанием мощности уменьшается сопротивление R шунтирующих диодов, что увеличивает отражение волн в плечо 4 и усиливает поглощение в самом диоде. В любом режиме согла­

сование схемы не нарушается, так

как в плечо 1

отражения

нет.

Ф е р р и т о в ы е у с т р о й с т в а

управляются

внешним

маг­

нитным полем, создаваемым электромагнитами.

Они .обладают

быстродействием порядка 0,1-+-100 мкс (в отдельных конструкциях достигнуто 0,01 мкс). Однако минимальные временные интервалы достигаются лишь за счет значительной мощности (порядка сотен ватт) управляющих сигналов. Устройства с ферритами рассмат­ риваются в следующей главе.

ЗАДАЧИ

 

 

 

 

 

 

•16.1. Доказать с

помощью S-матрицы

невозможность

построения

трехпле-

чего взаимного соединения без потерь, у

которого все плечи согласованы, т. е.

•Sll=S22 = 'S33 = 0.

 

 

_

 

 

 

15.2. В согласованный £-тройник поданы

волны й~2~—'^з = '-

Определить

выходящие волны.

_

 

 

 

 

 

Ответ: U~=*—V~2; t ) j " = [ / ~ = 0.

 

 

 

 

 

15.3. Короткозамыкатель їв согласованном

£-тройнике

находится

в

плече /

на расстоянии d от плоскости отсчета по направлению к центру узла. Определить

волны £/J" и 0~

при подаче волны в плечо 2: 0^ = 1 •

 

Ответ: t ) - = — i e 1

*sinгр; U^~=el

*cos\|); o|)=,pd.

 

'15.4. Противонаправленный ответвитель построен на двухпроводной линюч

(диаметр проводов 2а=4 мм; расстояние между ними 2^і=40мм)

и представ­

ляет собой участок параллельной

линии той же конструкции длиной

/ = 2,5 м, от­

стоящей от основной линии на расстояние 2я"2 =40мм (см.задачу 10.3 и рис. ЮЛ/1). В плечо / ответвителя поступает волна £ ^=1 . Определить модули нормирован­ ных амплитуд волн, выходящих из всех плеч, на частотах /—30, 40, 50 и 60 МГц.

Ответ: £/p=L^-=0;

\UJ\ =0,990; 0,996; 0,998; 1,0; \UJ\ =0,117; 0ДО1;

0,0586;

0.

 

438


Глава 16.

ВОЛНОВОДНЫЕ УСТРОЙСТВА С ФЕРРИТАМИ

16.1. Свойства свч ферритов

АНИЗОТРОПНЫЕ СРЕДЫ. ТЕНЗОРЫ ПРОНИЦАЕМОСТИ

Теорема взаимности (параграф 7.7) справедлива для изотропных линейных сред. Если устройство содержит анизотропные элементы (см. параграф 1.4), его свойства различны для волн противополож­ ных направлений, т. е. оно невзаимно. Невзаимные узлы, выпол­ няющие специфические функции, используют преимущественно ани­ зотропные магнетики—ферриты и широко применяются в трактах свч.

В линейном анизотропном магнетике каждая координатная со­ ставляющая вектора В представляет собой линейную функцию трех компонент Н:

Де

 

FaххНх ~Ь FaхуНуIXZ Нг

~Ь Fa

(16Л)=

By

=

Fa ух

 

~Т~ FaууНу

+ Fa

 

 

 

 

 

 

 

гНг

 

Дг=

 

Fa zxНх

+ Fa zyНу

+ Fa zzНг .

 

Коэффициенты этого

линейного

преобразования

— элементы

абсолютной магнитной проницаемости — удобно

записать в мат­

ричной форме; они являются компонентами

тензора

абсолютной

магнитной проницаемости \\ца\\- Материальное

уравнение в

этом

случае принимает вид

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В = || ца || Н =

fx0 II fi II Н.

 

 

 

 

(16.2)

Тензоры абсолютной и относительной магнитных проницаемос-

тей в развернутом виде записываются как

 

 

 

 

 

 

Faxt

РахУFa*z

 

V'XX F*</

F*z

(16.3>

Fa 11 =

V-ayxV-ayyFa</z

;

11 ц II =

Fw

 

Fw

 

 

V-yy

 

 

Fazx

Faz# Fazz

 

 

Fz*

Fz</

Fzz

 

Аналогично с помощью тензора диэлектрической

проницаемо­

сти описывается электрическая

 

анизотропия

среды:

D=||ea |fE =

= ео(|е||Е. Вещества

с анизотропной

проводимостью пока еще не на­

шли применения в технической электродинамике.

 

 

 

 

А н и з о т р о п и я .

Возникновение анизотропии

в твердых

телах

связано с их кристаллическим строением, т. е. упорядоченным рас­ положением составляющих их частиц. Большинство твердых тел —


поликристаллы. — обладают мелкокристаллической структурой, со­ стоящей из большого числа сросшихся мелких, хаотически распо­

ложенных

кристаллов. Монокристаллы

являются правильными

многогранниками

с упорядоченным

строением

кристаллической

решетки во

всем

объеме. Монокристаллы могут

обладать естест­

венной электрической или магнитной анизотропией. Примером про­ явления электрической анизотропии является двойное лучепрелом­ ление пластинки исландского шпата. В твердых телах, жидкостях и газах при воздействии сильных магнитных и электрических полей возникает искусственная анизотропия. Такова электрическая ани­ зотропия электронного газа в верхних слоях атмосферы, вызванная магнитным полем земли, электрическая анизотропия нитробензола в постоянном электрическом поле (эффект Керра) и, наконец, маг­ нитная анизотропия феррита в постоянном магнитном поле. Искус­ ственная анизотропия вызывается также деформацией кристалла при его одностороннем сжатии или растяжении, т. е. под действием механических сил.

Характер распространения электромагнитных волн в анизотроп­ ных диэлектриках и магнетиках во многом сходен, что определяет­ ся симметрией уравнений Максвелла относительно электрических и магнитных векторов. В уравнения макроскопической электроди­ намики компоненты тензора.ЦІЛІЇ или ||е|| входят как заданные ве­ личины, поэтому вопрос об естественном или искусственном проис­ хождении анизотропии здесь несущественен. Дальнейшее изложе­ ние, ограниченное анизотропными магнетиками—ферритами, дает основу для рассмотрения волн также и в анизотропных диэлектри­ ках.

Ф е р р и т ы составляют группу ферромагнитных веществ, обла­ дающих очень малой проводимостью и называемых поэтому магнитодиэлектриками. Электромагнитные волны распространяются в ферритовой среде с незначительным поглощением, их взаимодейст­ вие со средой приводит к ряду своеобразных явлений. В состав ферритов входят окислы железа и других металлов. На свч в ос­ новном применяется три типа ферритов, отличающихся химичес­ ким составом и структурой кристаллов:

— простые ферриты с кубической кристаллической структурой типа шпинели (феррокскубы), содержащие, кроме окислов железа, окислы таких металлов, как марганец, кадмий, магний, кобальт, никель, алюминий, хіром ,('в той или иной комбинации);

ферриты с гексагональной кристаллической структурой типа магнетоплюмбита (ферроксдюры), содержащие окись бария (или кальция, стронция, свинца) совместно с теми или иными из выше­ перечисленных окислов;

ферриты со структурой граната, содержащие окислы железа совместно с окислами иттрия или редкоземельных металлов; эти ферриты имеют малую намагниченность насыщения и самые низ­ кие магнитные потери.