Файл: Радиотехнические системы в ракетной технике..pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 10.04.2024

Просмотров: 126

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

коэффициент отражения такой двухконтурной схемы соответствен­ но равны:

[6. 18]

Оптимальное согласование двухконтурного поглотителя при R= = R' = z0 и при компенсации мнимых составляющих импеданса обоих контуров

[6.20]

имеет своим условием

Равенство [6.20] выполняется при оптимальных размерах диполь­ ной решетки (даже в случае отсутствия потерь в Х/4-отрезке линии и при демпфирующем сопротивлении R' = 0).

Исследования зависимости входной проводимости г от относи­ тельной длины I диполей позволяют заключить, что:

— вещественная часть входной проводимости Re(y0) увеличи­ вается с уменьшением постоянной решетки а';

увеличение ширины d дипольных полосок обратно пропор­ ционально их омическому сопротивлению;

резонансная длина / диполей обратно пропорциональна уменьшению постоянной а';

изменение постоянной решетки Ь' уменьшает взаимодействие диполей между собой;

увеличение диэлектрической постоянной слоя диэлектрика

сокращает резонансную длину диполей пропорционально 1 V е *. Характерный ход кривых Re(y0) и Im(yo) показан на рис. 6.9. Расстояние решетки от металлического корпуса тела опреде­

ляется соотношением [6.13] при р=1.

* Т. е. введение диэлектрика s схему приводит к увеличению емкости резо­ нансного контура.

232

Для практического использования такого РПП чрезвычайно важно, чтобы его эффективность не очень сильно зависела от дли­ ны дипольных элементов и постоянной решетки а'. Эксперименты показывают, что при изменении I на ± 10% и а' примерно на ±15% отраженная энергия увеличивается менее чем на 10%.

0,2 Oft- 0,6 0,8 W

Относительная длина диполя 1/Л0

Рис. 6.9. Входная проводимость бес­ конечной простой дипольной решетки

(9=44,4°, *0= 3,2 см, е=1,08, R = 4 0 om)

При отклонении направления падения электромагнитной волны от нормали к поверхности РПП на угол 9, что эквивалентно па­ раллельному включению полного поверхностного сопротивления ди­ польной решетки zs с зависящим от 9 индуктивным сопротивле­ нием zl, входное сопротивление поглотителя

z (?) =

Ч — 3ZL

ft

[ 6.21]

ZS + i h tg P ’

 

где

 

 

 

2, = ] /e — sir!

8 ^ - V

e — sin 29 .

 

Л0

 

 

233


При вертикальной поляризации плоской электромагнитной волны в целях эффективного поглощения диполи должны быть ориенти­ рованы параллельно электрическому полю. В этом случае коэф­ фициент отражения по полю

cos? [6.22]

Ю 20 30 W 50 ВО Угол падения, град

а

Рис. 6.10. Коэффициент отражения простой решетки в функции угла падения электро­ магнитной волны (поляризация вертикаль­ ная, плотность распределения диполей опти­ мальная) :

а — диполи имеют резонансную длину; 6 — длина диполей отлична от резонансной (^Моопт “ 0,66);

диэлектрик с е =.1,08; -3,2 см; параметры про­ стой решетки; а'/Доопт -0,435, Ь' Д0 —0,935

Коэффициент отражения РПП по мощности в указанных усло­ виях * определяется выражениями [6.21 и 6.22]:

* г и zs имеют вещественные значения, если резонансная длина диполей

/« V 2.

234

 

R

» К 8

У

1

_1

1— Гр 2

sin2 9

 

г2

2

у ~ Г

 

 

cos 9

1 + r0

cos2 tp

[6.23]

tg,

*

К * -sin» у

 

1

1 — r0V

e — sin2 tp

 

 

 

 

R

2

] / —

 

 

cos 9 1 + i0/

cos2 9

 

Значения коэффициента отражения в функции угла падения волны показаны на рис. 6.10. Как видно из рис. 6.10а, при хорошо согласованном покрытии (zs~z0) с резонансной длиной диполей /«Xо/2 отражение энергии менее 2 % по мощности может быть по-

Угол падения

Рис. 6.11. Изменение коэффициента отражения простой дипольной решетки в зависимости от угла падения электромагнитной волны:

/ — £ = 1,08,

поляризация

горизонтальная;

2 — е =2,56,

поляризация

горизонтальная; 3 — £ =1,08,

поляризация

вертикальная; 4 — е *=2,56,

поляризация вертикальная

лучено в диапазоне углов падения от 0 до 40°. Использование в решетке расстроенных диполей в настоящее время не позволяет определить коэффициент отражения.

Для исключения дифракции на дипольной решетке при гори­ зонтальной поляризации облучающей волны * постоянные ди­ польной решетки должны удовлетворять следующим требованиям:

 

 

V c-'—J L —

^

1 + sin 9

 

 

d

^

1 +

sin 9

т. е. при

те

t

^

^

г

^

 

9 = ~ 2

а < ! Г > ь <

1 Г-

 

Как

видно из

схемы

размещения

дипольных элементов на

рис. 6.11, Ь'>Хо/2. В связи с этим зазоры решетки взаимно сме­ щены на Ь'/2 (дифракция в этом случае изменяется при почти по­ стоянном входном сопротивлении покрытия). Для горизонтально поляризованных волн по мере возрастания ср наблюдается быстрое

* Т. е. вторичное излучение определяется только законами геометрической оптики.

235


увеличение отражения. При этом в сторону источника первичного излучения отражения энергии может и не быть.

Для согласованного РПП связь между коэффициентом отраже­ ния и углом поляризации ф выражается следующим образом:

г (ф) = sin2ф.

[6.24]

Изменение коэффициента отражения для простой решетки в зави­

симости от угла поляризации показано

на

рис. 6.12.

 

 

 

 

 

 

Для того чтобы эффектив­

 

 

ное

поглощение

электромаг­

 

 

нитной энергии не зависело от

 

 

случайной

ориентации

маски­

 

 

руемого объекта в пространст­

 

 

ве, к имеющейся в схеме РПП

 

 

простой

дипольной

решетке до­

 

 

бавляют вторую решетку, по­

 

 

вернутую на 90°. Как видно из

 

 

рис. 6.12, включение дополни­

 

 

тельных

дипольных

элементов,

 

 

развернутых на 90°, не оказы­

 

 

вает на согласованность по­

 

 

крытия заметного влияния

при

Рис. 6.12. Зависимости коэффициента

угле ф = 0.

Иначе говоря,

коэф­

отражения от угла поляризации для

фициент отражения

РПП двух­

РПП с вещественным входным со­

контурного

типа (рис.

6.86) с

 

противлением:

крестообразной

дипольной

ре­

/ —2g > ^0; 2 — zs »z0,простая дипольная

шеткой

практически не

зави­

решетка]

= 0,66, а' Х0= 0,42; 3 z$<z0,

сит от угла поляризации облу­

/,Я0= 0,72,

а'/Х0= 0,213; 4-z$ ~ z0, кресто-

образная дипольная решетка

чающего

сигнала.

Изменение

 

 

коэффициента

отражения

эле­

ментов простых решеток для 1~Хо12 и различных постоянных а', Ь' простой дипольной решетки представлено на рис. 6.13.

Для дальнейшего увеличения частотного диапазона резонанс­ ного РПП интерференционного типа можно ввести дополнительную дипольную решетку на расстоянии Х/8 от металлической поверхно­ сти. Эквивалентная схема такого (трехконтурного) поглотителя со­ держит два последовательных резонансных контура Lb Cj, Ri и

U, С2, R2 (рис. 6.14).

Сопротивления потерь и резонансная частота обоих контуров

для согласованного покрытия

(s= l)

определяются выражениями:

Rx == 1,63 z0; R2=0,795z0;

 

 

1 _

.

1 _ 2(Og

к т е “

12, К Е А ~ 1'2

Изменение коэффициента отражения в зависимости от длины вол­ ны приведено на этом же рисунке. Между двумя точками согласо­

вания = 1 и -у- = 2^ отражение незначительно увеличивается

(до 16% по полю). Как следует из рис. 6.14, замена дипольных

236


0,6

0,0

Коэффициент отражения г

\ \

1/Ао

г - 0 , 6

 

----у

 

То,66

 

 

Ч),72

г =1,08

а'/А0= 0,391 Ъ'/А0=0,935

сЦко=О,05

S=2,56 а1/А0= 0,069

,Ь/Ав= 0,585 i/A 0= 0,05

£ =3,72

а'/А0= 0,069

ЫА0= 0,069

ЩА„=0,05

 

0,3

 

0,2

 

0,1

 

1'

--------- Коэф.

h

отражения

О.з

одноконтурного

поглотителя

 

(резистивная

0,2

пленка Z =377 om)

OJ

 

О

\

1

|

 

1

0,069 \

В -■--1,08

а'iX о

0,391у*у

\

 

 

 

 

 

\Ь/Ад --1,935

 

 

£*$,313 \l/A 0 = 0,66

 

 

 

\

1 о!Ао~-0,05

___ _

 

 

|

 

 

 

 

 

 

— 1—

п ?

 

6___ I

£ =2,56

а'! К 0 f

ш

9,585

 

7,069 Ь/А„= 0,585

 

 

/ о / 1391' 1/А0= 0,02

7330

й/А0 =0,05

£ =3,72 Ъ'/Ао-= 0,069

1/А0=0,36 0/Аа-=005

1,6

29-

3,2

0,0

0,8

 

 

Длина волны, см

 

Рис. 6.13. Зависимости изменения

коэффициента

отражения простой дипольной решетки от ее

параметров (поляризация

 

вертикальная, угол падения волны 10°):

 

а — от длины диполей; б — от констант а'

и Ь' простой

дипольной решетки. Пунктиром показаны зависимости

г одноконтурного погло­

 

 

тителя

 

Ю

СО


решеток однородными резистивными пленками сужает диапазон-

ность РПП.

Зависимость между резонансной длиной диполей и постоянными простых решеток данной схемы РПП без учета взаимовлияния диполей друг на друга определяется линейными соотношениями:

А

=

Q

с,

[6.25]

^0

 

V u e /

V u с 2

 

 

 

31

C4R2.

[6.26]

 

 

t - = C3Ri;-

Рис. 6.14. Зависимость коэффициента отражения многослой­ ных и дипольных резонансных РПП от длины волны (трехконтуриая схема, s=l)

Рассмотренное радиопоглощающее покрытие широкого приме­ нения не находит вследствие нетехнологичности его производства.

6.6. Разработка радиопоглощающих материалов

Высокие скорости полета ракет обусловили необходимость соз­ дания противорадиолокационных материалов, способных при отно­ сительно малом весе выдерживать высокие аэродинамические и температурные нагрузки, которые имеют место при движении го­ ловных частей в плотных слоях атмосферы. Радиопоглощающие материалы, разработанные за рубежом для этих целей и для ма­ скировки наземных объектов, представляют собой металлические и керамические материалы, а также пластические массы различ­

ных типов.

Среди широкодиапазонных радиопоглощающих материалов большое распространение получили керамические ферритовые ма­

238

териалы. Покрытия из таких материалов обычно имеют небольшую толщину и отличаются устойчивостью к резкому изменению усло­ вий окружающей среды. При этом тонкий слой однородного ферри­ тового материала (много меньше длины волны), покрывающий ме­ таллическую поверхность, сохраняет свои положительные свойства. Например, при толщине ферритового слоя d = 0,83 см в диапазоне частот 30—300 Мгц коэффициент отражения по полю составляет меньше 10%.

Если ферритовый слой находится на небольшом расстоянии от металлической поверхности, то возможно смещение полосы пропу­ скания РПП в сторону высоких частот. Так, при толщине ферри­ тового слоя 0,7 см, ширине воздушного слоя 1,8 см диапазон рабо­ чих частот для г< 10% составляет 40—800 Мгц.

Рабочий диапазон частот в сторону коротких волн может быть расширен за счет разделения ферритового слоя на два слоя (трех­ слойное РПП), отличающихся друг от друга толщиной: тонкий ферритовый слой отделен от толстого, лежащего на металлической

поверхности, воздушной подушкой. Для такого РПП при

10%

диапазон рабочих частот составлял 20—900 Мгц (толщина первого ферритового слоя 0,2 см, воздушного слоя 4 см, второго феррито­ вого слоя 0,54 см).

Диапазоны рабочих частот различных никель-цинковых ферри­ тов, нанесенных непосредственно на металлическую поверхность, приведены в табл. 6.4. Как следует из таблицы, диапазон рабочих частот ферритовых РПП существенно зависит от технологии про­

изводства при

одном

и том же химическом составе

(например,

NZ-01 и NZ-03,

Р-01

и Р-02).

 

 

 

 

 

 

 

Т а б л и ц а 6.4

 

Рабочие частоты и

состав некоторых однослойных ферритовых РПП

 

Материал

 

 

Состав

Температура

Диапазон частот

 

 

 

спекания, °С

при г « 10У0Мгц

С-01

(фсррамик Е)

 

 

N10 — 20%, ZnO — 30%,

235—750

 

 

 

 

Ре20 3 — 50%

 

 

М-01 (снферрнт 2000Т7)

 

NiZti — основание

64—320

 

N Z -01.......................

 

 

N10 - 15%, ZnO - 35%,

1250

30—225

 

 

 

 

Ре20 3 — 50%

 

 

NZ- 0 2 .......................

 

 

Цинка больше, чем

1250

2 ,8 -6 0

 

 

 

 

в NZ-01

 

 

 

N Z -03.......................

 

 

Такой же, как в NZ-01

1300

20—260

 

N Z -04.......................

 

 

Такой же, как в NZ-02

1300

40-115

 

Р-01...........................

 

 

NiO— 16%, ZnO 34%,

1280

58—380

 

 

 

 

F e,O ,-50%

 

 

V-01

Р-02...........................

 

 

Такой же, как в Р-01

1270

50—400

(феррокарит File-7)

 

NiZn — основание

285—680

239