Файл: Радиопередающие устройства на полупроводниковых приборах. Проектирование и расчет.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 10.04.2024

Просмотров: 140

Скачиваний: 1

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

где

U0 — постоянное

напряжение; Ux

— амплитуда переменной

составляющей

напряжения.

 

 

 

Амплитуда

переменного напряжения

11х должна быть

больше,

чем

U0 — U'w

чтобы сформировавшийся

домен в течение

времени,

пока

U (t) < U'w смог

рекомбинировать.

 

Для определения искомых характеристик необходимо знать форму тока через диод. Ток через диод определяется напряженно­ стью электрического поля вне домена во время его формирования и после того, как он сформировался. Во время формирования доме­ на напряжение, приложенное к диоду Ганна в каждый момент вре­ мени, распределяется на домене и вне домена, т. е.

 

UQ-

Ut cos со (/ + / ') =

Ев (t) L * UR

(t),

 

(8.91)

где Ев (і)

— напряженность электрического

поля

вне домена;

L —- длина

диодЯТ

£7Д (/) — падение

напряжения на

домене;

сдвиг во времени, отнесенный к началу момента образования до­ мена, т. е. к моменту, когда напряжение на диоде достигает Ua и стремится стать выше. Время і' определяется из уравнения (8.91)

при

(Уд (0 =

0:

 

 

 

 

 

 

t' = -f-

arccos U

u ~

U n .

(8.92)

 

 

 

(Vj

 

Если

считать,

что потенциал

домена

UR

(t) зависит

от времени по

формуле (8.41), то напряженность электрического поля вне домена

при его формировании будет

равна

 

Ев

(/) = Eti — Ех

cos со (/ ф /') — A(2/L,

(8.93)

где

 

 

 

 

A==^SIh.

( і ) і _ „ м и ц ) » ;

(8.94)

 

E0=.UJL,

E1 = Ullb

(8.95)

Зависимость

Ев от времени определяется периодом

высокоча­

стотных колебаний резонатора и скоростью роста падения напря­ жения на домене, которая зависит от п0 и L . Длиной диода опре­

деляется конечное падение напряжения на домене, к которому

стремится (Уд (t).

Если

время формирования

домена

мало,

т. е.

/ф <

Г, то колебания тока будут соответствовать режиму

с подавле­

нием

домена. Если

іф <

Т, то Ев (t) вначале

увеличивается,

а за­

тем уменьшается до напряженностей поля ниже пороговых, соот­ ветствующих движению стационарного сформировавшегося доме­ на. Подавление домена происходит после того, как напряжение

становится

ниже напряжения удержания домена (см. рис. 8.19).

В течение

времени формирования домена плотность тока через

диод будет

определяться следующим образом:

 

в дЕв (t)

Когда домен уже сформирован или подавлен приложенным напря­ жением, ток определяется только дрейфовой составляющей в вы­ ражении (8.96), Для определения полной зависимости тока от вре-


мени необходимо определить v (Ев). Для рассматриваемого случая

эта зависимость запишется в виде

(tiff u.2) Еп ii2 Я 0 — £ j c o s со (t - f / ' ) — — t*

v(t) = (Ht^-th)

Еп

И-2 E0£iCosco(/4f)—

E0

— E1

cos со (t^t')--j-

P

 

 

v (£др)

 

LI, 0£j cos со

(t^t')\

при 0 < t < tf

при tj < t < t2,

t2

при

t2<

t <

/3, (8.97)

при

t3

< І <

ti,

при (і < t <

і ь ,

при

t b < t <

Т.

Времена /j -т- / 5

определяются

из

выражений

(8.97)

при

известных

значениях

промежуточных

скоростей

о м и ц

,

vn,

v

(£„).

В (8.97)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

v ( £ Д р ) — скорость,

 

 

соответ­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ствующая

движению

стацио­

/5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

нарного

сформировавшегося

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

домена сильного поля.

С

мо­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

мента tb до Т дрейфовая

ско­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

рость

следует статической

ха

/0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

рактеристике v (Е). Зная Ев (г)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

и

v

(t),

нетрудно

 

записать

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

форму тока через диод. По

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

известной

 

зависимости

I(t)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

можно

 

определить

 

первую

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Фурье-компоненту тока через

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

диод,

сдвинутую

по

отноше­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

нию к напряжению на диоде

Рис. 8.29.

Зависимость

к. п. д.

 

на угол со/',

если

период

от­

 

считывать от

момента

начала

и

сопротивления

нагрузки

 

от

 

 

 

образования

домена,

 

или син­

приложенного

напряжения

в гиб­

 

 

 

фазную

с

напряжением,

если

 

 

ридном

режиме.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

период

отсчитывать

от момен­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

случае

необходимо

учесть,

что

к

 

та

U (t) — Un.

В

 

последнем

моменту

начала

отсчета

потен­

циал домена будет иметь конечное, отличное

от

нуля,

 

значение.

Нетрудно также

определить

 

постоянную

составляющую

тока

че­

рез

диод.

Выражения

для

/,

и / =

в

рассматриваемом

случае

довольно громоздки, поэтому

здесь

не

приводятся,

но они легко

могут

быть

получены.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Результаты

численных

расчетов

к. п. д. и сопротивления

на

грузки

для л 0

~

5 • 101 4

см~3,

 

L

~

12 мкм, Т •= 100 не в зависи­

мости от приложенного напряжения, выполненных

в [43J,

показа

ны

на

рис. 8.29.

Для данной

концентрации

электронов

и длины

диода

режим

полностью

переходит

в гибридный

при (7 -г

10)

Ua

сопротивление

нагрузки

при этом

составляет (ЗО-т-50) R,

(рис. 8.29)

Таким образом, для заданных вначале условий определены зави­ симости к. п. д. и Ra/Ro 0 7 приложенного напряжения.


Следует отметить, что по сравнению с одноконтурными гене­ раторами на диодах Ганна, работающими в режимах с задержкой об­ разования домена и подавлением домена, генератор на диоде Ганна, работающий в гибридном режиме, обладает наибольшим к. п. д.

(т)« 15 -г- 17%).

Сростом частоты при неизменных параметрах диода и напря­ жении питания время формирования домена становится больше

периода

высокочастотных

колебаний

и режим

диода переходит

в режим с ограниченным

накоплением

объемного заряда. При этом

к. п. д. мало меняется, поскольку

в режиме ОНОЗ

к. п. д. лишь на

1—3%

меньше, чем в гибридном

режиме.

 

Уменьшение частоты при времени формирования /ф, значи­

тельно

меньшем времени

пролета,

приводит к превышению Т над

и диод начинает работать в режиме с подавлением домена, при этом к. п. д. генератора уменьшается примерно до 6—7%.

Конкретные величины к. п. д. Рх и RH для каждого диода оп­ ределяются п0, L , / (или периодом колебаний). В двухконтурной

резонансной схеме с учетом второй гармоники напряжения на дио­ де к. п. д. генератора с диодом Ганна, работающим в гибридном режиме, так же, как и в других режимах работы, возрастает и со ставляет т) як 30% [44].

8.3.7. Пример расчета

генератора на диоде

Ганна

в режиме ОНОЗ

 

Рассмотрим работу диода

Ганна в одноконтурной

резонансной

схеме в режиме с ограниченным накоплением объемного заряда.

Пусть

для

конкретного

диода

Ганна

задана

характеристика

v (Е),

аппроксимируемая

с

достаточной

степенью

точности

выра­

жением (8.4), где £ М И Н , У м и н ,

u,2, vn,

Еп

величины известные.

Следовательно,

известно

сопротивление

диода

R0

и концентрация

электронов

п0.

 

зависимость

к. п. д. и сопротивления на­

Следует определить

грузки генератора от приложенного к

диоду

напряжения.

Пред­

положим,

что критерий

существования

режима ОНОЗ — выраже­

ние (8.41) выполняется.

 

 

 

 

 

 

 

 

Для нахождения необходимых зависимостей используем про­

стейший подход,

на котором основываются

при расчете генераторов

в режиме ОНОЗ. Он заключается в том, что распределения

электри­

ческого поля и концентрации носителей

в диоде считают

однород­

ными,

т. е. пренебрегают влиянием

процессов накопления

и рас­

сасывания объемного заряда в диоде в течение

периода колебаний.

При таких условиях плотность тока через

диод будет определяться

в виде

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

J

= qn0v(E),

 

 

 

 

 

(8.98)

г. е. будет определяться формой приложенного напряжения и кон­ кретным видом зависимости v (E)t

Поскольку диод работает в одноконтурной резонансной схеме, напряжение на нем записывается как

Е — Еа 4>Ех s i n со/,

(8.99)

441


где Ео — постоянная напряженность электрического поля; Е, —

амплитуда переменной

составляющей напряженности электричес­

кого поля; со =

2л/Т.

 

Амплитуда высокочастотного поля такова, что в течение ко­

роткой части ВЧ

периода результирующая напряженность элект-

Рис. 8.30. Иллюстрация к расчету

работы

генератора

в режиме ОНОЗ.

 

рического поля оказывается меньше Еп

х >

Е0 — Еп). Время,

в течение которого результирующая напряженность электрического

поля

оказывается

меньше £ „ ,

должно

удовлетворять

условию

(рис.

8.30)

 

 

 

 

 

 

ti—t3>e/inqn0\ii.

 

(8.100)

Вместе

с тем время

(ti — t3)IT

должно

быть значительно

меньше

единицы, поскольку

в противном случае

амплитуда высокочастот-