Файл: Радиопередающие устройства на полупроводниковых приборах. Проектирование и расчет.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 10.04.2024
Просмотров: 138
Скачиваний: 1
диода в таком |
включении была |
получена |
мощность Р1 = |
|
— 50-=-100 |
Вт |
при длительности питающего импульса |
||
Т = 200-Г-500 |
мс на частоте / ~ |
1 н-1,5 |
ГГц при к. п. д., |
|
равном і) = |
5-7-10% [47]. |
|
|
На более высоких частотах (единицы-десятки гигагерц) диод Ганна помещают в волноводные и коаксиально-волно- водные секции (рис. 8.34). Диод размещается между широ кой стенкой волновода и штырем, расположенным в волно воде по центру его широкой стенки (8.34, б) или централь ным проводником коаксиального шлейфа (8.34, а). Коротко-
Рис. 8.34. Секции, |
используемые для включения |
диода Ганна в вол- |
|
|
новодный |
тракт; |
|
1 , 5—к, з. поршни; |
2 — корпус |
диода Ганна; if —диод |
Ганна, 4 — выходной |
|
|
фланец. |
|
замыкающие поршни Кг и К2 служат для перестройки гене ратора по частоте и согласования диода с нагрузкой. Если диод помещен в секцию, показанную на рис. 8.34, б, то его работа эквивалентна работе в одном из резонансных режи мов (резонатор образуется поршнем Кі и штырем). Для согласования генератора с нагрузкой может быть приме нен Е — Н трансформатор или трансформирующие элемен ты — штыри, расположенные вблизи резонатора с диодом. При этом на частоту генератора в основном влияет поло жение поршня Къ а на величину нагрузки — глубина погружения штыря.
В коаксиально-волноводной секции согласование с на грузкой может осуществляться коаксиальным шлейфом. Однако лучшего согласования и в этой секции можно до биться применением трансформирующих элементов.
Как на низких, так и на высоких частотах перспектив но использование высокодобротных резонаторов, посколь ку именно в резонансных системах можно получить высокие
значения выходных мощностей и к. п. д. в режимах с за держкой образования домена, подавлением домена, в гиб ридном режиме и режиме ОНОЗ.
Следует отметить, что сущестует большое многообразие секций и резонаторов, пригодных для включения диодов Ганна при работе их в качестве генераторов. Они могут от личаться диапазонами частотной перестройки, различными способами согласования с нагрузкой, возможностями ча стотной перестройки в указанном диапазоне частот, различ ными добротностями резонаторов в диапазоне частот и дру
гими |
характеристиками. В |
каждом конкретном случае не |
||
обходимо |
знать параметры |
используемого |
диода Ганна |
|
(R0, |
L , Ua |
и др.) и добиваться наилучшего |
согласования |
генератора с нагрузкоі, т. е. при заданном напряжении вы бирать требуемую по расчету величину нагрузки для зада ваемого режима работы.
Перспективным является использование сложных резо нансных систем, в которых на диоде действует напряжение сложной формы, позволяющих получить наибольший к. п. д. на частоте первой гармоники (~30%). Такие системы могут представлять собой связанные резонаторы, в один из ко торых включен диод Ганна и которые работают на кратных частотах: например, один резонатор настраивается на ос новную частоту, второй — на частоту второй гармоники.
Некоторыми особенностями должны обладать резонанс ные системы при работе генератора в режимеОНОЗ, посколь ку при работе в этом режиме в полости резонатора должна установиться достаточно большая амплитуда высокочастот ного поля. Диод Ганна может быть введен в режим ОНОЗ за счет гармоник ганновских колебаний. Для этого либо резонатор должен обладать высокой добротностью на ча стоте режима ОНОЗ и на частоте ганновских колебаний либо система должна представлять собой связанные резо наторы на этих частотах. Можно нагружать резонатор не сразу после возникновения режима ОНОЗ, а через некото рое время, для того чтобы в резонаторе установилась доста точная для режима амплитуда колебаний. Это достигается удалением нагрузки от резонатора на расстояние несколь ких длин волны, благодаря чему в течение нескольких пер вых периодов колебаний нагрузка к резонатору не подклю чается.
Важными рабочими характеристиками генераторов на
диодах Ганна являются |
з а в и с и м о с т и к. п. |
д. и />, |
о т н а п р я ж е н и я |
с м е щ е н и я . Типичные |
рабочие |
характеристики для генератора на диоде Ганна, работаю щего в ганновском режиме на частоте 10 ГГц в секции, по казанной на рис. 8.34, а, приведены на рис. 8.35. Вольт амперная характеристика снята путем измерения средних во времени напряжения на диоде и тока через диод. Зави симости ц(и) и Pi(U) приведены для точек, соответствую щих наилучшему согласованию генератора с СВЧ трактом, т. е. показаны значения максимальных мощностей и к. п. д.
1,А |
Pf |
,Вт |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
0,8 |
о,* |
|
|
|
|
|
|
50 |
|
|
|
|
|
|||
0,6 |
0,31\ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
о,* |
0,2 |
4 |
|
|
|
|
|
40 |
|
|
|
|
|
|||
0,2 |
W |
|
|
|
|
|
|
|
30 |
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
5. |
ю |
/5 |
го |
г5 |
и,в |
|
|
|
|
|
|
||
Рис. |
8.35. |
Рабочие |
характеристики |
20 |
|
|
|
|
|
|||||||
генератора |
на диоде |
Ганна, |
работа |
|
|
|
|
|
|
|||||||
ющем |
в |
коаксиально-волноводной |
|
|
|
|
|
|
||||||||
секции |
(см. |
рис. |
8.34, а) |
|
на |
/ д а |
/0 |
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
да 10 |
ГГц. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
Рис. 8.36. |
Зависимость мощности |
ге |
|
|
|
|
|
|
||||||||
нератора |
на |
диоде |
Ганна, |
работаю |
2 |
3 |
4. |
5 |
6 |
7 |
||||||
щем в волноводной |
секции |
(см. рис. |
||||||||||||||
Глубина |
погружения |
|||||||||||||||
8.34, |
б) |
|
от |
глубины |
погружения |
|||||||||||
|
|
штыря, мм |
|
|||||||||||||
трансформирующего элемента. |
|
|
|
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
в исследуемой схеме при неизменном в каждой точке напря жении питания и оптимальной величине нагрузки для ге нератора. Зависимости приведены для импульсных диодов 3-сантиметрового диапазона при длительности импульса питания ta — 0,5 мс, скважности, равной T/ta — 50. Уве личение среднего тока через диод при больших напряже ниях и связанное с ним падение мощности и к. п. д. обуслов лено тепловым разогревом диода и существенным измене нием его характеристик: увеличивается концентрация но сителей, уменьшается подвижность, падает сопротивление прибора R0.
Не менее важными характеристиками генераторов яв
ляются |
з а в и с и м о с т и к. п. д. |
и Р, от н а п р я ж е |
н и я |
п р и н е и з м е н н о м |
с о п р о т и в л е н и и |
н а г р у з к и . Из расчетов, приведенных в § 8.3, следует, что в различных режимах генерация с к п. д., близким к максимальному, возможна в широких пределах изменения сопротивления нагрузки, причем с увеличением Ru необхо димые для достижения максимальных к. п. д. напряжения на диоде возрастают. При неизменном сопротивлении на грузки увеличение напряжения питания приводит к срыву генерации и значительному уменьшению к. п. д. (т| <^ 1%). Это связано с тем, что при определенных напряжениях на диоде перестают выполняться условия, необходимые для работы в резонансных режимах (амплитуда высокочастот ного поля £\ оказывается меньше Е0 — Еп) и режим гене ратора переходит в пролетный режим работы с малой мощ ностью и низким к. п. д.
Аналогичный срыв генерации наблюдается при неизмен ном напряжении питания и изменении в широких пределах сопротивления нагрузки. При определенных значениях со
противления нагрузки |
(при уменьшении RJR0) |
условия, |
||||
необходимые для работы диода в резонансном |
режиме, пе |
|||||
рестают |
выполняться, |
т. е. Et |
<С |
Ед — Еи, и |
режим |
гене |
ратора |
переходит в пролетный |
с |
низкими к. п. д. и |
Рг. |
||
На рис. 8.36 приведены зависимости мощности генера |
тора Ганна, в непрерывном режиме, работающего в секции рис. 8.34, б от глубины погружения трансформирующего элемента — штыря, расположенного в.волноводе на расстоя нии примерно Х/2 от диода. Аналогичная зависимость в ука занной секции наблюдается при неизменном положении штыря с увеличением напряжения питания.
Для оценки эффективности СВЧ генераторов, построен ных на твердотельных элементах (СВЧ транзисторы, ЛПД и др.), используют величину произведения P J 2 . Увеличение рабочей частоты / диодов Ганна требует уменьшения длины L приборов и, следовательно, меньших питающих напряже ний, поскольку питающие напряжения при этом обратно
пропорциональны |
/. |
Мощность |
генерируемых колебаний |
пропорциональна |
квадрату |
питающих напряжений. |
|
Отсюда следует, |
что |
произведение /э 1 /2 (Вт-ГГц2 ) — вели |
чина, которая может характеризовать качество и перспек тивность генератора. Для диодов Ганна, работающих с
доменом, |
в настоящее время |
P J 2 — 2-=-5 |
• 103 Вт-ГГц2 |
|
[18], теоретический |
предел составляет P J 2 да |
10і Вт-ГГц2 . |
||
В режиме |
ОНОЗ |
произведение |
P J 2 да 106 |
Вт-ГГц2 , что |
жпоказываетиме перспективность применения генераторов в ре ОНОЗ для получения больших мощностей.