Файл: Папиров И.И. Пластическая деформация бериллия.pdf

и не участвуют в скольжении. По-видимому, аналогичный про­ цесс происходит также в Zn и Cd при более низких темпера­ турах.

4.6. Влияние ориентации на характер пластической

де ф о р м а ц и и

Впредыдущих разделах дан анализ возможных систем

скольжения в металлах с г. п. у.-структурой. Прежде чем перейти к рассмотрению характеристик различных видов деформации и механизмов скольжения, коснемся вопроса о влиянии ориента­

тическим и пирамидальным плоскостям, а также двойникование (для металлов с с а > ] / Г 3 ) .

2. Ориентации, близкие к оси с. В этой области происходят обнаруженное Шмпдом и Боасом [20] геометрическое разупроч­

ипоэтому возможно двойное базисное скольжение.

4.Ориентации, близкие к стандартной, когда плоскость ба­ зиса наклонена к осп образца на угол около 45°. Для этой группы ориентации характерно базисное скольжение в одной системе.

1 При ориептациях, близких к оси с, критическое напряжение сдвига для базисного или призматического скольжения достигается при высоких нагруз­ ках. Однако в дальнейшем из-за переориентации угол между осью с и осью образца уменьшается, что приводит к спаду требуемой для деформации нагрузки. Это называется геометрическим разупрочнением.

Эта схема ориеитацнониой зависимости пластичности не

жения сдвига и упрочнение при базисном скольжении различ­

ствиями пропорционально людулго сдвига, на рис. 4.7 приведены безразмерные характеристики т/G И K/G. В соответствии с со­ отношением (2.1) напряжение течения уменьшается с ростом температуры от 0 до Т0. С увеличением скорости деформации кривые х*(Т) смещаются в область высоких температур.

Базисное скольжение не сопровождается сильным искаже­ нием кристаллической решетки: лауэ-пятна на рентгенограммах остаются острыми даже после деформаций около 100%, а от­ жиг не сопровождается рекристаллизацией [ 8 ] . У легкоплавких металлов (Zn, Cd) искажения частично снимаются в процессе низкотемпературного отдыха. Например, свойства деформиро­ ванных за счет базисного скольжения кристаллов цинка вос­ станавливаются после суточной выдержки при комнатной тем-

пературе. Возврат происходит также в процессе деформации при температурах ниже комнатной [32].

Окпсные пли иные пленки на поверхности кристаллов умень­ шают скорость деформации при постоянной нагрузке и увели­ чивают упрочнение [8, 146—149]. Они препятствуют выходу скользящих дислокаций из кристалла и приводят к образованию

65, 70—73, 138—140, 150]. Ф. Ф. Лаврентьев и В. Л. Владими­ рова изучили также релаксацию напряжений при базисном скольжении в Zn [151]. В этих работах наряду с монокристал­ лами, ориентированными благоприятным образом для базисного скольжения, использовались полнкрпсталлические образцы [138—140, 150]. Полученные результаты для моно- и поли­ кристаллов, например зависимости V(x) и # ( т ) , качественно подобны, из чего можно заключить, что деформация поликри­ сталлов в области температур ниже 300—400°С происходит преимущественно за счет базисного скольжения. Вклад других видов деформации возрастает с уменьшением размеров зерен.

тате изменения скорости деформации не зависит от приложен­

ционально т. Указанное различие может быть результатом как

Zn, Cd и Со Дт также пропорционально приложенному напря­ жению [27] . Возможно, постоянство Дт при деформации свя­ зано с вторичным влиянием примесей |27].

Активационный объем и энергия активации базисного сколь­ жения уменьшаются с ростом напряжений (т. е. с понижением температуры или увеличением степени деформации). У моно­ кристаллов зависимость К(т) характеризуется следующими зна­ чениями V: для M g V уменьшается от 20 000 до 3000 Ь3 в области