Рис. 9. 16. Резонансны е кривые параллельного контура.
Г. Расширение полосы пропускания контура
Очень часто в приемниках требуется расширять полосу пропускания с целью максимального приема широкополосных сигналов (телевизионного, радиолокационного и т. д .).
Известно, что полоса пропускания контура, без учета внутреннего сопротивления генератора, тем шире, чем ниже добротность контура, то есть
2Д' = Ь .
Качество контура зависит (при неизменных L и С конту ра) от сопротивления резистора R, то есть от потерь в кон туре. Поэтому расширить полосу пропускания контура можно включением дополнительного резистора последовательно Ипосл. или параллельно Rn контуру (рис. 9.17).
При последовательном включении резистора R nocn. экви валентная. добротность будет уменьшаться с увеличением со противления резистора:
О |
= |
^_______“ Г ^Ü______п о с л . |
Ѵэкв |
|
D i p |
Рис. 9. 17. К. вопросу расширения полосы пропускания кон тура.
Если R = Rnocn., то добротность контура уменьшается вдвое. Включение резистора параллельно контуру (Rn) приводит к тому же результату, так как при этом увеличиваются потери колебательной энергии, то есть уменьшается добротность контура и расширяется его полоса пропускания. Rn можно определить, зная Rnocn.:
На практике чаще используют параллельное подключе ние дополнительного резистора, ибо это конструктивно про ще. Практически Rn0cn. = единицы десятки ом,
Rn= десятки-ьсотни ком.
Д. Контуры второго и третьего видов
Впредыдущих параграфах данной главы мы рассматри вали процессы в контуре первого вида.
Контуры второго и третьего видов представляют собой параллельные контуры с неполным включением к генерато ру переменного напряжения (рис. 9.18).
Неполное включение необходимо для того, чтобы сделать величину резонансного сопротивления контура (ZkP) равной внутреннему сопротивлению генератора (лампы). При этом мощность, сообщаемая контуру от генератора, будет макси мальной.
д) |
резонансное сопротивление |
контура |
|
|
|
|
|
|
„ |
_ |
Р |
ЮОо2 |
= |
100 |
ком |
; |
|
|
|
|
2 |
10 |
|
|
|
|
|
е) |
^kp — |
R |
|
|
|
ком |
|
ширина полосы |
пропускания |
при |
Ri=100 |
|
|
|
|
Іг |
|
|
|
1,59-10V |
, , |
W O-ІО3 \ |
|
01 |
24' = -Q ( ‘ + ж ) |
|
~ |
При |
|
|
|
|
100 |
( |
^ |
100-103 |
) |
31,8жгч‘ |
Ri = oo |
|
|
|
|
|
одг _ |
Jo |
= |
1,59-10« |
15,9 |
кгц. |
|
|
|
|
§ |
|
Q |
|
100 |
|
|
|
|
|
|
|
9. 4. Связанные контуры |
|
|
|
|
|
Два контура |
|
А . Общие сведения |
|
|
|
|
энергия из |
называют |
с в я з а н н ы м и , если |
одного контура переходит в другой. Контур, питающийся не
посредственно от |
генератора, называют |
п |
е р в и ч н ы м , а |
контур, в котором колебания возникают под |
действием пер |
вичного контура, |
— в т о р и ч н ы м (рис. |
9.19). |
Рис. 9. 19. Индуктивная связь двух контуров.
Взависимости от вида связи различают:
1)контуры с индуктивной (трансформаторной) связью
(рис. 9.19);
Рис. 9. 20. Автотрансформаторная связь двух контуров.
_ /Y Y Y
L , С ед
(~)иг -
чн
Рис. 9. 21. Емкостная связь двух контуров.
ІЛгвн
Рис. 9. 22. Гальваническая связь двух контуров.
Рис. 9. 23. Смешанная индуктивно-емкостная связь между контурами.
2)контуры с автотрансформаторной связью (рис. 9.20);
3)контуры е емкостной связью (рис. 9.21);
4)контуры со смешанной связью (рис. 9.23);
5) |
контуры с |
непосредственной |
(гальванической) |
свя |
зью |
(рис. |
9.22). |
|
|
либо за счет об |
В |
этих |
контурах связь осуществляется |
щего |
магнитного |
потока (рис. 9.19), |
либо |
элементами |
связи: |
частью катушки |
первичного контура |
L CB. |
(рис. 9.20), |
внеш |
ним для обоих контуров конденсатором связи С св. (рис. 9.21), общим для обоих контуров резистором связи R CB. (рис. 9.22). При смешанной связи используют несколько элементов свя зи, например, конденсатор С св. и общий магнитный поток между катушками Li и L2 (рис. 9.23). Несмотря на различие связей, процессы в связанных контурах подчиняются общим
закономерностям, хотя |
количественные соотношения могут |
. быть разными. Поэтому |
подробнее рассмотрим процессы в |
контуре с индуктивной связью, так как они являются наибо лее простыми и находят широкое применение.
§9. 5. Процессы в связанных контурах
синдуктивной связью (рис. 9. 24, 9. 25)
Под действием и ген в первичном контуре протекает ток Іь Этот ток на индуктивности Li и конденсаторе Сі создает
разности потенциалов |
(э. д. с.), |
которые сдвинуты по фазе |
между собой наE |
180°, |
(Е ц , Е сі). |
Их определяют: |
|
L = I I - X L „ |
Е сі = 11 - X Cl - |
В катушке Li возникает магнитный поток, пересекающий
