Файл: Левичев В.Г. Радиопередающие и радиоприемные устройства [учеб. пособие].pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 10.04.2024

Просмотров: 294

Скачиваний: 3

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Эффективность работы параметрических усилителей принято оценивать при помощи коэффициента усиления по мощности, коэф­ фициента шума и полосы пропускания. В одноконтурных резо­ наторах ПУ получают Л'р =10-т-30 дб при полосе пропускания около 1% от несущей частоты усиливаемого сигнала. Среднее значение коэффициента шума получается менее 2 дб. В ПУ бегу­

щей

волны получают /Ср = 10-И5

дб при полосе пропускания

до

30%

от несущей частоты сигнала.

Коэффициент шума обычно

бы­

вает около 2—3 дб.

В случае необходимости максимального снижения шумов пара­ метрического усилителя прибегают к его охлаждению до темпе­

ратуры жидкого азота

( 7 ^ 8 0 ° К ) , а иногда и до более низкой

температуры. Если при

этом коэффициент шума получается все

же неприемлемым, то приходится применять молекулярный уси­ литель.

В молекулярном усилителе электромагнитное иоле сигнала по­ лучает дополнительную энергию от искусственно возбуждаемых молекул парамагнитного кристалла, помещенного в объемном ре­ зонаторе. Резонатор обладает способностью резонировать одно­ временно на двух различных частотах. Это позволяет на одной из частот производить возбуждение кристалла (при помощи гене­ ратора накачки), а на другой частоте осуществлять процесс уси­ ления полезного сигнала.

Для понимания принципа действия молекулярного усилителя необходимо знать особенности излучения и поглощения энергии молекулами. Известно, что молекула любого вещества состоит из атомов, которые непрерывно перемещаются (колеблются или вра­

щаются)

относительно центра массы молекулы. Известно также,

что атом

состоит из ядра с внутренними элементарными частица­

ми и внешними электронами, которые вращаются вокруг ядра по определенным орбитам.

Движение электронов в атоме и атомов в молекуле определяет их внутреннюю энергию. В молекулярных усилителях световых волн используется внутриатомная энергия. В молекулярных уси­ лителях радиотехнического диапазона используется внутримоле­ кулярная энергия.

Характерно, что собственное вращение молекулы может про­ исходить только с определенными дискретными скоростями. По­ этому и внутренняя энергия молекулы имеет вполне конкретные значения. Принято говорить, что молекулы могут иметь дискрет­ ные уровни энергии. Чем больше внутренняя энергия молекулы, тем выше ее энергетический уровень. Число возможных уровней энергии молекул у различных веществ различно. Различны также и разности между этими уровнями. Очень интересно, что у парамаг­ нитных кристаллов разность между энергетическими уровнями мо­ лекул можно искусственно изменять при помощи постоянного маг­ нитного поля. Это обстоятельство позволяет выбирать рабочую длину волны молекулярных усилителей в различных диапазонах.,

382


В настоящее время предпочтение отдают сантиметровому и деци­ метровому диапазонам волн.

Несмотря на множество возможных энергетических уровней молекул, используются обычно только три уровня. Их называют нижний, средний и верхний. Энергию этих молекул обозначим со­

ответственно W,„ Wc

и l^n-

молекулярного

усилителя

выключен,

Если

генератор

накачки

то большинство молекул рабочего кристалла

находится

на

ниж­

нем энергетическом

уровне

и

меньше

всего

 

молекул имеется на

верхнем

уровне. Объясняется

это тем,

что

в

естественных

усло­

виях любая физическая система стремится к состоянию наимень­ шей внутренней энергии. Кристалл с минимальным энергетическим уровнем способен только поглощать энергию электромагнитных волн. При воздействии на кристалл электромагнитной волны гене­ ратора накачки (определенной частоты и мощности) его многие молекулы переходят с нижнего энергетического уровня на верх­ ний. В этих условиях наименьшее число молекул оказывается на среднем уровне. Такое, состояние кристалла называется возбуж­ денным. По условию Бора перевод кристалла в возбужденное со­ стояние такого рода возможен только под воздействием электро­

магнитной

волны,

имеющей

частоту

 

 

 

 

 

 

 

f W

b -

t^..

 

 

 

 

 

 

 

У н —

/,

»

 

 

 

где

 

 

WB — WK — разность

энергий молекулы

между

ее дву­

 

 

 

 

мя энергетическими

уровнями;

 

Л=6,6 • Ю - 2

7 эрг - сек— постоянная

Планка.

 

 

 

 

Поэтому в молекулярном усилителе генератор накачки должен

генерировать колебания именно такой частоты.

 

 

 

Если сквозь возбужденный кристалл проходит

электромагнит­

ная

волна

усиливаемого сигнала,

имеющая

частоту

 

 

 

 

 

, _

WB

Wc

 

 

 

 

 

 

 

/ с —

h

 

 

 

 

то

она

вызывает

(стимулирует)

переход молекул с

верхнего уров­

ня

на

средний. В

процессе

этого

перехода

возбужденные

моле­

кулы излучают электромагнитные колебания, синфазные с коле­ баниями сигнала.- Поэтому они отдают свою энергию электромаг­

нитному

полю полезного сигнала

и его напряженность

возра­

стает.

 

 

 

В реальных условиях работы молекулярного усилителя оба эти

•процесса

происходят одновременно.

 

 

Совершенно очевидно, что усиление полезного сигнала проис­

ходит только за счет избыточного

количества молекул

верхнего

энергетического уровня над средним. Поэтому очень желательно, чтобы в невозбуждениом кристалле подавляющее большинство молекул находилось на нижнем энергетическом уровне. С целью

получения этого

необходимого

условия

приходится

прибегать

к

очень сильному

охлаждению

рабочего

кристалла.

Обычно

он

383


имеет температуру Г = 3 - 4 - 4° К. Для этого объемный резонатор с рабочим кристаллом помещают в сосуд с жидким гелием.

Поскольку молекулярные усилители работают при температу­ ре, очень близкой к абсолютному нулю, то их тепловые шумы ни­ чтожно малы. Можно считать, что их практически нет. Коэффи­ циент шума таких усилителей Кт~ 1,005.

Ничтожно малые шумы молекулярных усилителей позволяют повысить чувствительность радиоприемных устройств в сотни раз. Но для реализации этой возможности необходимо между молеку­ лярным усилителем и следующим каскадом приемника иметь ферритовый циркулятор. Объясняется это тем, :что у молекулярного усилителя вход и выход обратимы. Поэтому без циркулятора шумы приемника попадут в молекулярный усилитель (через его выход) и после усиления снова будут направлены в приемник.

Коэффициент усиления современных молекулярных усилителей по мощности бывает порядка 20—40 дб при полосе пропускания от десятков килогерц до единиц мегагерц.

Относительно малая полоса пропускания молекулярных уси­

лителей

(сотые

и даже тысячные доли процента от несущей ча­

стоты сигнала)

является их существенным

недостатком. К

тому

же нет особых

перспектив

ее значительного

расширения. В пре­

дельном

случае

она может

быть расширена

до 30—50 Мгц. Дру­

гим серьезным

недостатком

молекулярных

усилителей является

то, что они не могут

усиливать больших

входных сигналов. Мак­

симально допустимая

мощность сигнала

на входе современных мо­

лекулярных усилителей

не должна превышать Ю - 9 sr. При боль­

шей мощности

входных

сигналов усилитель

перегружается

(насы­

щается) и длительное время приемник имеет резко пониженную чувствительность.

§10. ДЕТЕКТИРОВАНИЕ АМПЛИТУДНОМОДУЛИРОВАННЫХ КОЛЕБАНИЙ

1.Назначение детектора

Детектор приемника предназначен для выделения полезной ин­ формации из принятых модулированных колебаний высокой ча­ стоты. Следовательно, в детекторе происходит процесс, обратный процессу модуляции. Он называется детектированием.

В приемниках прямого усиления детектор ставится после уси­ лителя напряжения высокой частоты, в супергетеродинных прием­ никах— после усилителя напряжения промежуточной частоты. Та­ кой детектор можно назвать сигнальным, поскольку он осуще­ ствляет процесс преобразования модулированного напряжения вы­ сокой или промежуточной частоты в напряжение того полезного сигнала, для приема которого и предназначается радиоприемное устройство.

Поскольку модуляция может быть амплитудной или частот­ ной, то и детекторы бывают амплитудные и частотные.

384


Амплитудные детекторы применяются для детектирования немодулированных или амплигудно-модулированных колебаний. Та­ кие колебания могут быть непрерывными или импульсными.

Частотные детекторы применяются для детектирования ча­ стотно-модулированных колебаний. Они представляют собой сово­ купность преобразователя модуляции с амплитудным детектором.

Амплитудный детектор бывает необходим и для других целей. Без амплитудного детектирования невозможно осуществить про­ цесс преобразования частоты, а он совершенно необходим в су­ пергетеродинном радиоприемнике. Амплитудные, детекторы при­ меняются также в системах автоматической подстройки частоты гетеродина приемника и в системах автоматической регулировки усиления.

Во всех случаях процесс детектирования основан на использо­ вании нелинейных свойств какого-либо электронного прибора. Ламповые детекторы бывают диодные, сеточные и анодные. Полу­ проводниковые детекторы бывают диодные и транзисторные.

О свойствах детектора судят по его параметрам. Основными параметрами детектора являются коэффициент передачи напря­ жения Кп и входное сопротивление RBX. Чем они больше, тем лучше детектор.

2. Диодный детектор на вакуумном диоде

О с н о в н ы е с х е м ы д и о д н ы х д е т е к т о р о в

В радиоприемных устройствах применяются две ооновныесхемы диодного детектора: схема с последовательным включением

Рис. 2.147. Основные схемы диодных детекторов:

а — диодный детектор

с последовательным

включением

сопротив­

ления нагрузки; б — д и о д н ы й детектор с

параллельным

включе­

нием

сопротивления нагрузки

 

сопротивления нагрузки (рис. 2.147, а) и схема с параллельным включением сопротивления нагрузки (рис. 2.147,6).

Первая схема применяется в качестве основного (сигнального)' детектора приемника, а вторая — в качестве детектора системы

13—869

385


автоматической регулировки усиления или системы автоматиче­ ской подстройки частоты гетеродина.

Для определения коэффициента передачи напряжения и вход­ ного сопротивления детектора необходимо иметь эксперименталь­ но снятую анодную характеристику выбранного диода. Типичный вид такой характеристики показан на рис. 2.148, а. Из нее видно, что диод обладает односторонней проводимостью. При положитель­ ном напряжении на аноде сопротивление диода мало, а при отри­ цательном — велико.

Рис. 2.148. Анодные характеристики детекторного диода:

а — реальная; б — и д е а л и з и р о в а н н а я

У детекторных диодов обычно имеется довольно резкий изгиб характеристики. Он соответствует положительному анодному на­ пряжению и'а порядка 0,3—0,5 в. Правее изгиба характеристика почти линейна. Поэтому при больших амплитудах входного на­ пряжения (когда положительное напряжение на аноде больше и'^ реальную анодную характеристику диода можно заменить идеали­ зированной, изображенной на рис. 2.148,6.

Идеализированная характеристика диода состоит из двух пря­ мых, соединенных в начале координат. Одна из прямых совпа­ дает с осью отрицательных анодных напряжений, а другая выхо­ дит из начала координат под углом, соответствующим крутизне прямолинейной части реальной характеристики. Детектор с идеа­ лизированной характеристикой диода называют идеальным.

Уравнение идеализированной анодной характеристики диода при положительных анодных напряжениях имеет следующий вид;

Де т е к т и р о в а н и е н е м о д у л и р о в а н н ы х

ко л е б а н и й

Рассмотрим физические процессы в идеальном диодном детек­ торе (рис. 2.147,а), полагая, что на входе его действует напряже­ ние высокой частоты с постоянной амплитудой. В этом простей­ шем режиме работы детектор представляет собой обычный однополупериодный выпрямитель с емкостным фильтром. На его вы-

386