Эффективность работы параметрических усилителей принято оценивать при помощи коэффициента усиления по мощности, коэф фициента шума и полосы пропускания. В одноконтурных резо наторах ПУ получают Л'р =10-т-30 дб при полосе пропускания около 1% от несущей частоты усиливаемого сигнала. Среднее значение коэффициента шума получается менее 2 дб. В ПУ бегу
щей |
волны получают /Ср = 10-И5 |
дб при полосе пропускания |
до |
30% |
от несущей частоты сигнала. |
Коэффициент шума обычно |
бы |
вает около 2—3 дб.
В случае необходимости максимального снижения шумов пара метрического усилителя прибегают к его охлаждению до темпе
ратуры жидкого азота |
( 7 ^ 8 0 ° К ) , а иногда и до более низкой |
температуры. Если при |
этом коэффициент шума получается все |
же неприемлемым, то приходится применять молекулярный уси литель.
В молекулярном усилителе электромагнитное иоле сигнала по лучает дополнительную энергию от искусственно возбуждаемых молекул парамагнитного кристалла, помещенного в объемном ре зонаторе. Резонатор обладает способностью резонировать одно временно на двух различных частотах. Это позволяет на одной из частот производить возбуждение кристалла (при помощи гене ратора накачки), а на другой частоте осуществлять процесс уси ления полезного сигнала.
Для понимания принципа действия молекулярного усилителя необходимо знать особенности излучения и поглощения энергии молекулами. Известно, что молекула любого вещества состоит из атомов, которые непрерывно перемещаются (колеблются или вра
щаются) |
относительно центра массы молекулы. Известно также, |
что атом |
состоит из ядра с внутренними элементарными частица |
ми и внешними электронами, которые вращаются вокруг ядра по определенным орбитам.
Движение электронов в атоме и атомов в молекуле определяет их внутреннюю энергию. В молекулярных усилителях световых волн используется внутриатомная энергия. В молекулярных уси лителях радиотехнического диапазона используется внутримоле кулярная энергия.
Характерно, что собственное вращение молекулы может про исходить только с определенными дискретными скоростями. По этому и внутренняя энергия молекулы имеет вполне конкретные значения. Принято говорить, что молекулы могут иметь дискрет ные уровни энергии. Чем больше внутренняя энергия молекулы, тем выше ее энергетический уровень. Число возможных уровней энергии молекул у различных веществ различно. Различны также и разности между этими уровнями. Очень интересно, что у парамаг нитных кристаллов разность между энергетическими уровнями мо лекул можно искусственно изменять при помощи постоянного маг нитного поля. Это обстоятельство позволяет выбирать рабочую длину волны молекулярных усилителей в различных диапазонах.,
В настоящее время предпочтение отдают сантиметровому и деци метровому диапазонам волн.
Несмотря на множество возможных энергетических уровней молекул, используются обычно только три уровня. Их называют нижний, средний и верхний. Энергию этих молекул обозначим со
ответственно W,„ Wc |
и l^n- |
молекулярного |
усилителя |
выключен, |
Если |
генератор |
накачки |
то большинство молекул рабочего кристалла |
находится |
на |
ниж |
нем энергетическом |
уровне |
и |
меньше |
всего |
|
молекул имеется на |
верхнем |
уровне. Объясняется |
это тем, |
что |
в |
естественных |
усло |
виях любая физическая система стремится к состоянию наимень шей внутренней энергии. Кристалл с минимальным энергетическим уровнем способен только поглощать энергию электромагнитных волн. При воздействии на кристалл электромагнитной волны гене ратора накачки (определенной частоты и мощности) его многие молекулы переходят с нижнего энергетического уровня на верх ний. В этих условиях наименьшее число молекул оказывается на среднем уровне. Такое, состояние кристалла называется возбуж денным. По условию Бора перевод кристалла в возбужденное со стояние такого рода возможен только под воздействием электро
магнитной |
волны, |
имеющей |
частоту |
|
|
|
|
|
|
|
f — W |
b - |
t^.. |
|
|
|
|
|
|
|
У н — |
/, |
» |
|
|
|
где |
|
|
WB — WK — разность |
энергий молекулы |
между |
ее дву |
|
|
|
|
мя энергетическими |
уровнями; |
|
Л=6,6 • Ю - 2 |
7 эрг - сек— постоянная |
Планка. |
|
|
|
|
Поэтому в молекулярном усилителе генератор накачки должен |
генерировать колебания именно такой частоты. |
|
|
|
Если сквозь возбужденный кристалл проходит |
электромагнит |
ная |
волна |
усиливаемого сигнала, |
имеющая |
частоту |
|
|
|
|
|
, _ |
WB |
— |
Wc |
|
|
|
|
|
|
|
/ с — |
h |
|
|
|
|
то |
она |
вызывает |
(стимулирует) |
переход молекул с |
верхнего уров |
ня |
на |
средний. В |
процессе |
этого |
перехода |
возбужденные |
моле |
кулы излучают электромагнитные колебания, синфазные с коле баниями сигнала.- Поэтому они отдают свою энергию электромаг
нитному |
полю полезного сигнала |
и его напряженность |
возра |
стает. |
|
|
|
В реальных условиях работы молекулярного усилителя оба эти |
•процесса |
происходят одновременно. |
|
|
Совершенно очевидно, что усиление полезного сигнала проис |
ходит только за счет избыточного |
количества молекул |
верхнего |
энергетического уровня над средним. Поэтому очень желательно, чтобы в невозбуждениом кристалле подавляющее большинство молекул находилось на нижнем энергетическом уровне. С целью
получения этого |
необходимого |
условия |
приходится |
прибегать |
к |
очень сильному |
охлаждению |
рабочего |
кристалла. |
Обычно |
он |
имеет температуру Г = 3 - 4 - 4° К. Для этого объемный резонатор с рабочим кристаллом помещают в сосуд с жидким гелием.
Поскольку молекулярные усилители работают при температу ре, очень близкой к абсолютному нулю, то их тепловые шумы ни чтожно малы. Можно считать, что их практически нет. Коэффи циент шума таких усилителей Кт~ 1,005.
Ничтожно малые шумы молекулярных усилителей позволяют повысить чувствительность радиоприемных устройств в сотни раз. Но для реализации этой возможности необходимо между молеку лярным усилителем и следующим каскадом приемника иметь ферритовый циркулятор. Объясняется это тем, :что у молекулярного усилителя вход и выход обратимы. Поэтому без циркулятора шумы приемника попадут в молекулярный усилитель (через его выход) и после усиления снова будут направлены в приемник.
Коэффициент усиления современных молекулярных усилителей по мощности бывает порядка 20—40 дб при полосе пропускания от десятков килогерц до единиц мегагерц.
Относительно малая полоса пропускания молекулярных уси
|
|
|
|
|
|
|
|
|
лителей |
(сотые |
и даже тысячные доли процента от несущей ча |
стоты сигнала) |
является их существенным |
недостатком. К |
тому |
же нет особых |
перспектив |
ее значительного |
расширения. В пре |
дельном |
случае |
она может |
быть расширена |
до 30—50 Мгц. Дру |
гим серьезным |
недостатком |
молекулярных |
усилителей является |
то, что они не могут |
усиливать больших |
входных сигналов. Мак |
симально допустимая |
мощность сигнала |
на входе современных мо |
лекулярных усилителей |
не должна превышать Ю - 9 sr. При боль |
шей мощности |
входных |
сигналов усилитель |
перегружается |
(насы |
щается) и длительное время приемник имеет резко пониженную чувствительность.
§10. ДЕТЕКТИРОВАНИЕ АМПЛИТУДНОМОДУЛИРОВАННЫХ КОЛЕБАНИЙ
1.Назначение детектора
Детектор приемника предназначен для выделения полезной ин формации из принятых модулированных колебаний высокой ча стоты. Следовательно, в детекторе происходит процесс, обратный процессу модуляции. Он называется детектированием.
В приемниках прямого усиления детектор ставится после уси лителя напряжения высокой частоты, в супергетеродинных прием никах— после усилителя напряжения промежуточной частоты. Та кой детектор можно назвать сигнальным, поскольку он осуще ствляет процесс преобразования модулированного напряжения вы сокой или промежуточной частоты в напряжение того полезного сигнала, для приема которого и предназначается радиоприемное устройство.
Поскольку модуляция может быть амплитудной или частот ной, то и детекторы бывают амплитудные и частотные.
Амплитудные детекторы применяются для детектирования немодулированных или амплигудно-модулированных колебаний. Та кие колебания могут быть непрерывными или импульсными.
Частотные детекторы применяются для детектирования ча стотно-модулированных колебаний. Они представляют собой сово купность преобразователя модуляции с амплитудным детектором.
Амплитудный детектор бывает необходим и для других целей. Без амплитудного детектирования невозможно осуществить про цесс преобразования частоты, а он совершенно необходим в су пергетеродинном радиоприемнике. Амплитудные, детекторы при меняются также в системах автоматической подстройки частоты гетеродина приемника и в системах автоматической регулировки усиления.
Во всех случаях процесс детектирования основан на использо вании нелинейных свойств какого-либо электронного прибора. Ламповые детекторы бывают диодные, сеточные и анодные. Полу проводниковые детекторы бывают диодные и транзисторные.
О свойствах детектора судят по его параметрам. Основными параметрами детектора являются коэффициент передачи напря жения Кп и входное сопротивление RBX. Чем они больше, тем лучше детектор.
2. Диодный детектор на вакуумном диоде
О с н о в н ы е с х е м ы д и о д н ы х д е т е к т о р о в
В радиоприемных устройствах применяются две ооновныесхемы диодного детектора: схема с последовательным включением
Рис. 2.147. Основные схемы диодных детекторов:
а — диодный детектор |
с последовательным |
включением |
сопротив |
ления нагрузки; б — д и о д н ы й детектор с |
параллельным |
включе |
нием |
сопротивления нагрузки |
|
сопротивления нагрузки (рис. 2.147, а) и схема с параллельным включением сопротивления нагрузки (рис. 2.147,6).
Первая схема применяется в качестве основного (сигнального)' детектора приемника, а вторая — в качестве детектора системы
автоматической регулировки усиления или системы автоматиче ской подстройки частоты гетеродина.
Для определения коэффициента передачи напряжения и вход ного сопротивления детектора необходимо иметь эксперименталь но снятую анодную характеристику выбранного диода. Типичный вид такой характеристики показан на рис. 2.148, а. Из нее видно, что диод обладает односторонней проводимостью. При положитель ном напряжении на аноде сопротивление диода мало, а при отри цательном — велико.
Рис. 2.148. Анодные характеристики детекторного диода:
а — реальная; б — и д е а л и з и р о в а н н а я
У детекторных диодов обычно имеется довольно резкий изгиб характеристики. Он соответствует положительному анодному на пряжению и'а порядка 0,3—0,5 в. Правее изгиба характеристика почти линейна. Поэтому при больших амплитудах входного на пряжения (когда положительное напряжение на аноде больше и'^ реальную анодную характеристику диода можно заменить идеали зированной, изображенной на рис. 2.148,6.
Идеализированная характеристика диода состоит из двух пря мых, соединенных в начале координат. Одна из прямых совпа дает с осью отрицательных анодных напряжений, а другая выхо дит из начала координат под углом, соответствующим крутизне прямолинейной части реальной характеристики. Детектор с идеа лизированной характеристикой диода называют идеальным.
Уравнение идеализированной анодной характеристики диода при положительных анодных напряжениях имеет следующий вид;
Де т е к т и р о в а н и е н е м о д у л и р о в а н н ы х
ко л е б а н и й
Рассмотрим физические процессы в идеальном диодном детек торе (рис. 2.147,а), полагая, что на входе его действует напряже ние высокой частоты с постоянной амплитудой. В этом простей шем режиме работы детектор представляет собой обычный однополупериодный выпрямитель с емкостным фильтром. На его вы-