ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 18.06.2024
Просмотров: 106
Скачиваний: 1
Мнязавой и др. [Л. 107]; Куицем |[Л. 81], Мняке [Л. 108], Хейлигом (Л. 109] и Эртелом ![Л. ПО]. Согласно резуль татам, приведенным в этих работах, сопротивление слоя достигает первого максимума яри образовании CsSb ч второго максимума при образовании Cs3Sb. Другие мак симумы наблюдались одними авторами, но не были под тверждены другими. Причиной такого расхождения мо жет быть действительная разница в материалах, полу ченных разными авторами (это может быть связано с отличием процессов изготовления), или трудность оп ределения отношения элементов в процессе образования соединения. На рис. 12 приведена типичная зависимость сопротивления слоя от содержания Cs (по данным Хейлига).
Влияние температуры на сопротивление Cs3Sb иссле довалось во многих работах. Основной целью этих ис следований было определе ние энергии активации про водимости АЕ. При этом ис пользовалось обычное соот ношение между проводи мостью полупроводникового
слоя и температурой
|
|
|
|
|
|
о = |
а0е |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Зависимость |
проводимо |
|||||
|
|
|
|
|
сти от температуры, |
постро |
||||||
|
|
|
|
|
енная в координатах |
log а — |
||||||
|
|
|
|
|
=/(1/7'), |
представляет собой |
||||||
|
|
Содержание Cs |
прямую линию, наклон кото |
|||||||||
Рис. |
12. Изменение |
электриче |
рой определяет энергию ак |
|||||||||
тивации. |
|
Значения |
энергии |
|||||||||
ского |
сопротивления |
в |
процес |
|
||||||||
се образования СБЗБЬ |
фотока |
активации |
АЕ, |
полученные |
||||||||
|
тода [Л. 109]. |
|
разными |
|
авторами, |
сильно |
||||||
|
|
|
|
|
различаются. |
В |
|
литературе |
||||
встречаются величины АЕ меньше 0,4 эв |
и |
превышаю |
||||||||||
щие |
1 эв. Например, Шурман |
и Кангро {Л. 111] обнару |
||||||||||
жили в различных |
температурных областях |
|
характери |
|||||||||
стики два наклона, |
которые соответствовали |
|
значениям |
|||||||||
А£ |
0,56 и 0,16 эв. Уолис |
[Л. |
138] |
приводит |
значения |
|||||||
энергии |
активации, |
лежащие |
в пределах |
между |
0,41 и |
|||||||
1,22 |
эв. |
Харпер |
и |
Чойк |
{Л. |
112] |
получили |
значения |
||||
энергии |
активации |
на разных |
пленках |
между |
0,4 и |
|||||||
0,7 эв. Они .не обнаружили никакой |
корреляции |
между |
56
энергией активации и спектральными характеристиками фотоэмиссии или оптического поглощения.
Причина различия результатов, полученных разными авторами, связана прежде всего с трудностью получения материала с воспроизводимым етехиометрическим со ставом. Кроме того, изменение температуры, необходи мое для этих измерений, вызывает изменения свойств материала, так что вид температурной характеристики проводимости зависит от методики измерений. Другой источник неопределенности измерений связан с пленоч ным характером исследуемых Cs3Sb фотокатодов. По верхностная проводимость, которая определяется состо янием поверхности тонкой пленки, может играть более существенную роль, чем объемная проводимость. Нако нец, дополнительные осложнения могут быть связаны с влиянием подложки и контактов на свойства материала.
Следует отметить резкий контраст между большим разбросом величин АЕ и хорошо воспроизводимыми ре зультатами фотоэмиссионных и оптических измерений, полученными разными авторами. Такое различие можно объяснить тем, что энергия активации связана с наличи ем в материале примесей, в то время как оптические и фотоэмиссионные характеристики определяются собст венными свойствами материала.
Тип проводимости. Как было указано Спайсером
[Л. |
113], проводимость Cs3Sb при комнатной температу |
ре |
значительно превышает проводимость собственного |
материала с такой же шириной запрещенной зоны (равной приблизительно 1,6 эв). Следовательно, можно сделать вывод, что проводимость CsaSb определяется наличием дефектов, концентрация которых, по оценке Спайсера, составляет 1020 —102 1 см~3. Общепризнано, что эти дефекты связаны в основном с нарушением стехиометрического состава, а не с наличием примесных атомов. Большое число экспериментов было проведене для определения типа проводимости Cs3Sb и для выяс нения вопроса: что является причиной появления дефек тов — избыток Sb или Cs.
В отличие от большого разброса экспериментальных результатов, относящихся к измерению сопротивления Cs3Sb, многочисленные исследования типа проводимо сти привели к почти единогласному выводу, что Cs3Sb обладает дырочной проводимостью. Большинство ре зультатов было получено из измерений знака термо-
э. д. с. После работы Борзяка {Л. 114] р-тип проводимо сти Cs3Sb обнаружили также Саката [Л. 115, 116], Имамура [Л. 117, 118], Чикава и др. [Л. 119], Вутем [Л. 120], Едличка [Л. 121] и Хегино и др. [Л. 122]. Изме рения эффекта Холла, выполненные Сакатой [Л. 123], также указали на р-пт проводимости.
Причина нестехиометрического состава Cs3Sb (избы
ток Cs или Sb) долгое |
время |
обсуждалась в |
научной |
|||||||
литературе. В то время |
как Джек |
и |
Вехтель |
[Л. 80], |
||||||
а также |
Шир и Зальм |
1[Л. 83], основываясь |
главным |
|||||||
образом |
на теоретическом |
анализе, |
предположили, что |
|||||||
в Cs3Sb существует избыток |
Cs, Спайсер (Л. 113] указал, |
|||||||||
что внедрение Cs в плотноупакованную решетку |
Cs3Sb |
|||||||||
мало вероятно. В экспериментальных |
работах |
Соммера |
||||||||
[Л. 124], а также Колфнлда |
и |
Чепмана |
[Л. 125] |
было |
||||||
убедительно доказано, что Cs3Sb |
фотокатод |
содержит |
||||||||
•стехиометрический избыток Sb. |
|
|
|
|
|
|
||||
Следует |
отметить, что введение |
щелочного |
металла |
|||||||
в избытке |
по сравнению -с |
количеством, |
необходимым |
|||||||
для получения максимума фотоэмиссии, |
приводит |
к об |
разованию нестабильного материала, который постепен но теряет лишний щелочной металл. Этот процесс, мед ленно протекающий при комнатной температуре, уско ряется при нагревании и приводит к восстановлению сое динения с максимальной чувствительностью. Совпадени? максимума химической стабильности и максимума фото чувствительности наблюдается не только для Cs3Sb, но и для других антимонидов щелочных металлов с р-ти- лом 'проводимости, которые будут рассмотрены в сле дующих главах. Причина такого совпадения непонятна, но тем не менее оно имеет большое практическое зна чение, так как позволяет вводить щелочной металл в из бытке относительно количества, требуемого для получе ния максимума. фоточувствительности. Поскольку этот избыток можно впоследствии удалить коротким прогре вом, процесс образования фотокатода не требует введе ния тщательно контролируемого количества щелочного металла.
Фотопроводимость Cs3 Sb. Первые исследования фото проводимости Cs3Sb были проведены вскоре после от крытия фотоэмиссионных свойств этого материала [Л. 114]. Целью измерений спектральных характеристик фотопроводимости было получение дополнительной ин формации относительно зонной структуры Cs3Sb. Одна-
ко До сих пор опубликовано лишь небольшое числа t&j ких исследований, результаты которых к тому же часто противоречивы. Вероятно, это связано, по крайней мере частично, с различными трудностями, встречающимися при проведении таких измерений. Во-первых, фотопро водимость Cs3Sb очень мала. Во-вторых, измерения фо топроводимости иа постоянном токе приводят к невос производимым результатам вследствие уже упомянуто го электролитического разложения Cs3Sb. В-третьих, на
измерения фотопроводимости |
влияет фотоэмиссионный |
|||
ток |
между двумя контактами, |
который |
накладывается |
|
на |
ток фотопроводимости. Следует также учесть, |
что |
||
большое влияние на фотопроводимость |
оказывают |
де |
фекты, присутствующие в материале, которые меняются
от образца к образцу. Все это затрудняет |
получение вос |
|||||
производимых результатов. |
|
|
|
|||
Спектральные |
характеристики |
фотопроводимости, |
||||
опубликованные |
Борзяком |
{Л. 114, |
126] и Спайсером |
|||
[Л. 127], не обнаруживают |
достаточно |
резкого |
спада, |
|||
для того |
чтобы из них можно было определить |
длинно |
||||
волновую |
границу фотопроводимости |
и, |
следовательно, |
|||
ширину запрещенной зоны. Спайсер |
предполагает, что |
|||||
причиной |
этого |
является |
примесная |
фотопроводимость |
или влияние непрямых оптических переходов. В отличие от результатов Борзяка и Спайсера, Кунце [Л. 8] не об наружил в Cs3Sb никакой фотопроводимости до прове дения поверхностного окисления. Приведенные резуль таты показывают, что исследования фотопроводимости Cs3Sb еще не завершены.
4-8. ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
Оптические свойства Cs3Sb впервые были исследова
ны Моргулисом |
и др. (Л., 135] |
и |
Бартоном |
[Л. |
136]. |
|||
Бартон, по-видимому, первым указал на тесную |
связь |
|||||||
между |
спектральными характеристиками |
фотоэмиссин |
||||||
ь оптического поглощения и тем самым |
стимулировал |
|||||||
более |
подробное |
изучение |
оптических свойств |
Cs3Sb |
||||
в последующих |
работах. Ниже |
рассмотрены |
основные |
|||||
результаты этих |
исследований. |
|
|
|
|
|
||
После экспериментов |
Карханиной |
и |
Моргулиса |
|||||
[Л. 137] и Миязавы |[Л. 89] очень |
подробное |
исследова |
||||||
ние было проведено Уолисом (Л. |
138]. Из |
измерений |
||||||
спектральных характеристик пропускания |
и |
отражения |