Файл: Бессонов А.Ф. Установки для высокотемпературных комплексных исследований.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 24.06.2024
Просмотров: 154
Скачиваний: 0
возможность вывода газообразных продуктов реакции без потерь к какому-либо газоанализатору [157].
Основой для создания указанной приставки послужили аппа ратура и методика, разработанные для изучения кинетики твердо фазных реакций. Своеобразие поставленной задачи с конструктив ной точки зрения заключается в изоляции реакционного объема от нагревателя и других деталей высокотемпературной приставки с целью предохранения их от агрессивных газов, а также избежа ния потерь газообразных продуктов реакции. Материалом для изолирующего реакционного сосуда служит в данной работе
плавленый кварц.
Цилиндрический реакционный сосуд, имеющий секториальные вырезы для прохождения рентгеновских лучей, помещают в гер метизированный корпус приставки. Внутрь корпуса под неболь шим давлением подают инертный газ. Инертный газ может выхо дить из приставки только через вырезы в реакционном сосуде и трубку для отвода газов. Создающийся таким образом поток инерт ного газа выносит через внутренний объем реакционного сосуда газообразные продукты реакции и препятствует их попаданию
внутрь корпуса.
Нагреватель представляет собой керамическую трубу с секториальными вырезами для прохода рентгеновских лучей, распо ложенную коаксиально реакционному сосуду. На его внутренней поверхности по образующим уложена в канавках нагревательная спираль. Нагреватель окружен двумя никелевыми отражатель ными экранами в форме стаканов с секториальными вырезами для прохождения рентгеновских лучей и отверстиями для реак ционного сосуда. Секториальные окна для прохождения рент геновских лучей в корпусе герметизируются бериллиевой
фольгой.
Предлагаемая приставка дает возможность изучать при задан ных температурах (от комнатной до 1200° С) и расходах реакцион ного газа зависимость содержания твердой фазы от времени в ре акциях твердого вещества с газом, т. е. изучать кинетику указан ных реакций в дифрагирующем слое. При наличии подходящего газоанализатора одновременно с получением данных для твердого вещества можно фиксировать изменения состава газообразных продуктов реакции, т. е. получать прямой ответ на вопрос, какие фазовые изменения в твердой фазе соответствуют изменениям в га зовой.
Имеются и другие методы и конструкции рентгеновских камер для высокотемпературных съемок [126, 227]. Последняя из них позволяет проводить рентгеноструктурные исследования а-ак- тивных препаратов в инертной газовой среде до 2500° С.
Таким образом, для решения многих задач, возникающих при высокотемпературных исследованиях, лучше подходят дифрактометрические методы, но в ряде случаев более удобным оказывается метод Дебая — Шерера.
86
Наиболее очевидное преимущество метода Дебая—Шерера состоит в том, что можно использовать образец малых размеров. Облучаемый объем составляет около 0,1 мм3, и такой фактор, как градиент температуры, доставляющий много трудностей при дифрактометрических измерениях, практически отсутствует.
Кроме того, новую фазу, существующую только при повышенной температуре, легче определить, если зарегистрировать всю рент генограмму. Если же картину изменений в образце регистриро вать при помощи дифрактометра, выбрав достаточно малую ско рость развертки, чтобы положение линий можно было определить с такой же точностью, с какой они определяются по дебайеграмме, то это займет не меньше времени, чем съемка на пленку.
Для метода Дебая—Шерера характерна также повышенная четкость линий на рентгенограмме в области обратного отражения.
Существенный недостаток дифрактометра заключается также в том, что исследуемую поверхность образца труднее расположить правильно в приставке дифрактометра, чем в камерах Дебая— Шерера.
Если нужно проследить быстрые изменения фаз с температу рой, тогда действительно требуются такие скорости, которые обе спечиваются только дифрактометром при съемках в ограничен ных угловых пределах.
В заключение следует указать, что для решения некоторых задач высокотемпературные рентгеновские камеры могут быть весьма простыми (особенно при работе на дифрактометрах), до ступными для изготовления в лабораториях заводов и институ тов, но тем не менее для повсеместного применения высокотемпе ратурных исследований, особенно при изучении кинетики превра щений в твердой фазе, необходимо, чтобы серийно производи лось достаточное количество недорогих высокотемпературных камер различных типов: для съемок в области малых и больших углов скольжений, с вращением и без вращения образца, в ваку уме и в различных газовых средах, а также при высоких давле ниях.
Основные трудности при создании высокотемпературных рент геновских камер-приставок (и фоторегистрирующих и к дифракто метрам) возникают из-за следующих факторов:
1)из-за ограниченности величины реакционного объема, а также самой камеры;
2)наличия в камере щелей для прохода рентгеновских лучей;
3)из-за необходимости вращения или колебания образца в слу чае крупнокристалличности исследуемых веществ;
4)во многих случаях из-за необходимости обеспечения точной юстировки образца в продолжение всего цикла нагревания (из-за изменения размеров образца);
5)из-за необходимости обеспечения гибкого и точного регу лирования температуры в реакционном объеме.
Глава VI
ИЗМЕРЕНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПРИ ВЫСОКИХ ТЕМПЕРАТУРАХ
Из электрофизических свойств — характеристик ниже рас смотрены удельное электросопротивление, э. д. с. (гальваниче ской ячейки), термо э. д. с. и работа выхода электрона.
1.НАЗНАЧЕНИЕ И ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ
Рентгеновский анализ дает возможность установить наличие, ■ исчезновение или возникновение отдельных фаз в образцах непо средственно при нагревании, а химический и микроскопический — после охлаждения.
Термографический, массометрический, частично дилатометри ческий методы позволяют предположить о происходящих про цессах в нагреваемых образцах.
Электрические методы дают возможность изучать термодина мические свойства веществ, тип проводимости, кинетику и меха низм реакций в твердом состоянии, а также обладают повышен ной чувствительностью к структурным изменениям.
Использование метода измерения электросопротивления дает возможность более глубоко вникнуть в механизм процесса и уста новить влияние различных факторов на его кинетику, так как электросопротивление является очень чувствительным свойством к малейшим структурным изменениям в веществе. Как известно, электросопротивление полупроводников и твердых электроли тов находится в экспоненциальной зависимости от температуры. В координатах «логарифм электросопротивления — обратная ве-. личина абсолютной температуры» эта зависимость должна выра жаться прямой линией, но в зависимости от структуры и состава исследуемого вещества, а также от физико-химических превра щений, происходящих в веществе в процессе нагрева, ход зависи мости меняется.
Физико-химические процессы, сопровождающие твердофазные реакции, отличаются, как уже отмечалось выше, большим много образием: дегидратация, возникновение дефектов и разрыхление кристаллических решеток; перестройка кристаллических реше ток вследствие полиморфных превращений; образование и распад твердых растворов, поверхностная диффузия; рекристаллиза-
.88
дия; плавление и растворение компонентов смеси в расплавах; кристаллизация из расплавов; собственно химическое взаимо действие. Все эти превращения должны закономерно отражаться на ходе температурной зависимости электросопротивления смеси веществ.
Перестройка кристаллической решетки в процессе нагрева меняет не только концентрацию и подвижность носителей тока, но и тип проводимости; появление жидкой фазы должно в какой-то мере увеличить электропроводность исследуемой смеси.
2. МЕТОДЫ И УСТАНОВКИ
Для измерения электросопротивления твердых веществ исполь зуют различные методы. Для полупроводниковых соединений его часто измеряют на постоянном токе. Но использование постоян ного тока при исследовании проводимости твердых образцов свя зано со значительным влиянием на результаты измерений переход ных сопротивлений между образцом и электродами, между зер нами в образце, а также появлением э. д. с. поляризации. При
/ 2 3 4 5 |
|
VZZZZZZZZZZZZZ&ZZ. |
за |
v. ГЧ V |
6 7
Рис. 38. Схема ячейки для измерения электросопро тивления таблеток:
1 — фарфоровая труба; 2 — изогнутая кварцевая трубка; 3 — платиновый токоподвод; 4 — образец; 5 — алундовый стержень; 6 — платиновый слой; 7 — термопара
использовании же переменного тока достаточно больших частот влияние прослоек между микрокристаллами на результаты изме рений сглаживается, а также практически полностью исключается поляризация.
Кроме того, получение наиболее точных результатов исследо ваний при использовании постоянного тока связано с дополни тельными трудностями, вызванными необходимостью стабилиза ции токов большой величины.
Если ячейка для исследования образцов выполнена так, как показано на рис. 38 [134], то с ее помощью можно измерять элект росопротивление образцов в любой газовой среде. Например, на. рис. 39 приведены кривые зависимости электросопротивления окислов урана от времени в потоке водорода для трехокиси урана и закиси-окиси при 450° С (разогрев образцов до заданной темпе ратуры проводили в потоке аргона), полученные автором при ис пользовании такой ячейки.
8!>
В ячейке образец в виде таблетки зажимают между плати новыми пластинками, которые контактируют с платиновыми токоподводами. При помощи изогнутой кварцевой трубки не только зажимают образец, но и осуществляют подачу соответствующего газа непосредственно к образцу. Алундовый стержень укрепляют на резиновой пробке, плотно пригнанной к фарфоровой трубе. Предусмотрена возможность для циркуляции газа. Нагрев об разца производят при помощи электрической печи.
Электросопротивление измеряют контактным методом при по мощи моста переменного тока (Уитстона) на частоте 3000Гц с элек тронным осциллографом в качестве нуль-индикатора.
LgR
Рис. 39. Изменение сопротивления R во времени т в про цессе восстановления 1Юз (/) и 11з08 (//) водородом при
450° С
Таблетки для измерения диаметром 10 и высотой 3—4 мм при готовляют прессованием тщательно растертых порошков. Чтобы обеспечить надежность контактов, на торцы таблеток напрессо вывают тонкие платиновые слои.
В установке для измерения электросопротивления при темпе ратурах до 2100° С в контролируемой атмосфере для нагрева образца применяют рефлекторную печь типа двойной раковины (рис. 40) [190]. При использовании в качестве источников свето вой энергии двух ксеноновых дуговых ламп мощностью 5000 Вт максимальная температура образца составляет 2138 К. Образец подвешивают в печи на электродах, плотно его обжимающих. Температуру образца измеряют термопарой.
Для измерения электросопротивления штабиков из тугоплав ких материалов при нагреве до 2500° С сконструирована вакуум ная высокотемпературная установка [167]. Установка предста вляет собой печь, помещенную под колпак из молибденового стекла. Образец регулируемым винтом зажимают между двумя прутковыми вольфрамовыми контактами. Для уменьшения тепло вых потерь вокруг образца имеются экраны. Температуру измеряют пирометром через отверстие в экране. В экране есть еще два от верстия для электродов из вольфрама в случае использования так
90
называемого зондового метода измерения электросопротивления. Однако при этом методе в местах контакта зонд— образец могут образоваться большие приконтактные сопротивления, которые затрудняют измерение.
Всвязи с развитием ряда областей новой техники для работы
вусловиях высоких температур все более широко применяют то копроводящие материалы, изделия из которых изготовляют ме таллокерамическим способом. Исследование электрических свойств подобных материалов при высоких температурах сопряжено с ни которыми трудностями эксперименталь
ного характера. |
|
|
|
|
|
|
Параболических |
|
||||||
|
Установка для определения темпе |
Н |
реф лект ора ^ |
|
||||||||||
ратурной зависимости удельного сопро |
|
|
|
|
||||||||||
тивления цилиндрических токопроводя |
|
|
\\ |
|||||||||||
щих |
металлокерамических |
образцов |
|
|
||||||||||
диаметром |
6— 10 и высотой |
15—30 мм |
|
Печь /I |
|
|||||||||
в |
интервале температур |
300—2500° С |
|
|
|
|
||||||||
показана на рис. |
41 |
[115]. |
Для |
поме |
|
|
|
» 1 |
||||||
щения |
|
исследуемого |
образца |
внутри |
|
1 |
4 |
Д Е |
||||||
нагревателя |
(с |
защитными |
экранами) | |
|
д —л |
|||||||||
служит |
опорная |
стойка. |
Ее основание ^ |
\\ |
1\ /\\ |
I |
||||||||
представляет собой площадку, имеющую |
I |
\/ \\ |
||||||||||||
|
||||||||||||||
втулку с алундовой трубкой. На ее верх |
\\ |
I Фокусы Л |
// |
|||||||||||
нем конце находится другая |
площадка, |
|
|
|
|
|||||||||
в которую ввинчен молибденовый стер |
|
|
|
|
||||||||||
жень. Через этот стержень ток подво |
|
|
|
|
||||||||||
дится |
к образцу. |
Верхний конец стер |
Рис. 40. Рефлекторная пе |
|||||||||||
жня заканчивается вольфрамовой на |
типа двойной раковины |
|||||||||||||
садкой. Образец устанавливают торцом |
|
|
|
воль |
||||||||||
на |
эту |
насадку, |
сверху |
на |
него накладывают небольшой |
фрамовый цилиндрик, который с помощью вольфрамовых тяг прижимает образец к нижней опоре. Тяги служат вторым токопроводом. Установку закрывают металлическим водоохлаждаемым вакуумным колпаком.
Образец нагревают низкоомным трехфазным трубчатым воль фрамовым нагревателем. Постоянный ток величиной 1 А является измерительным током. Температуру на концах исследуемого участка образца определяют двумя вольфрам-молибденовыми термопарами, одни из ветвей которых служат также и зондами для измерения падения напряжения на этом участке. Измерения производят в вакууме или в среде инертного газа. В установке предусмотрена также возможность измерения температуры пиро метром.
На рис. 42 показана установка с электронным нагревателем, обеспечивающим равномерный всесторонний нагрев опытного об разца до 1200—2900 К [39].
Использование внешнего обогрева, осуществляемого электрон ной бомбардировкой всей поверхности образца в вакууме 10~4—
91